選擇晶體振蕩器必須考慮的5件事…

　　當選擇晶體振蕩器時，必須針對輸出頻率、頻率穩(wěn)定度和溫度范圍、輸出電壓和功率、輸出波形，以及封裝尺寸和外形等各種因進行全盤考慮…

　　在設(shè)計中，大多數(shù)的電子系統(tǒng)需要某種振蕩器作為關(guān)鍵功能區(qū)塊。一些典型的用途包括：作為時脈，用于同步操作的數(shù)位系統(tǒng)中;用于接收器或發(fā)射器的穩(wěn)定RF訊號;用于精確測量的準確頻率參考;或用于精確計時的即時時脈。系統(tǒng)規(guī)格以及振蕩器必須如何發(fā)揮作用，將決定晶體振蕩器的大多數(shù)參數(shù)。

　　振蕩器中的關(guān)鍵元件是諧振器，它將控制頻率，以及確定所能實現(xiàn)的穩(wěn)定度。盡管采用電感-電容(LC)或電阻-電容(RC)諧振器實現(xiàn)的簡單振蕩器可滿足一些應(yīng)用的要求，但是添加石英晶體將可大幅地將元件的頻率穩(wěn)定度提高好幾個數(shù)量級，而且所需的成本通常很小。

　　輸出頻率

　　任何振蕩器最基本的屬性都是它所產(chǎn)生的頻率。根據(jù)定義，振蕩器是接受輸入電壓(通常為直流電壓)并在某一頻率下產(chǎn)生重復(fù)交流(AC)輸出的元件。所需的頻率由系統(tǒng)類型以及如何使用該振蕩器所決定。

　　有些應(yīng)用需要kHz范圍的低頻晶體。常見的例子是32.768kHz的手表晶體。 但是大多數(shù)的現(xiàn)有應(yīng)用都需要更高頻率的晶體，范圍大約從不到10MHz到大于100MHz之間。

　　頻率穩(wěn)定度和溫度范圍

　　所需的頻率穩(wěn)定度由系統(tǒng)的要求決定。振蕩器的穩(wěn)定度可簡單地表述為：由于某些現(xiàn)象引起的頻率變化除以中心頻率。公式為：

　　穩(wěn)定度=頻率變化÷中心頻率

　　例如，如果振蕩器輸出頻率為10MHz，而且隨溫度變化了10Hz，則其溫度穩(wěn)定度為：10/10,000,000 = 1x10-6=1ppm。晶體振蕩器的典型穩(wěn)定度可以在100ppm至0.001ppm之間。頻率穩(wěn)定度通常視應(yīng)用需求決定，并進而確定所需要的晶體振蕩器類型。振蕩器必須工作的溫度范圍是確定可達到穩(wěn)定度的主要因素。

　　晶體振蕩器類型

　　簡單晶體振蕩器(XO)： 這是最基本的類型，其穩(wěn)定度完全由晶體諧振器本身的固有特性決定。 在MHz范圍內(nèi)的較高頻率晶體由石英棒制成，其制造方式是即使環(huán)境溫度在-55℃至+125℃(-67°F至 +257°F)之間變化，也可提供相對穩(wěn)定的頻率。即使在這么寬的溫度范圍內(nèi)，適當切割的石英晶體也可實現(xiàn)±25ppm的穩(wěn)定度。與諸如隨溫度變化可達1%(10,000ppm)或更高的LC振蕩電路等其它被動諧振器相較，晶體振蕩器的性能已大幅提升了。但對于某些應(yīng)用來說，即使25ppm也不夠好，因此必須采用額外措施。

　　溫度補償晶體振蕩器(TCXO)： 如果固有頻率與石英晶體的溫度穩(wěn)定度無法滿足應(yīng)用要求，就可以采用溫度補償單元。TCXO使用溫度感測元件以及產(chǎn)生電壓曲線的電路，在整個溫度范圍內(nèi)，該電壓曲線與晶體的頻率變化趨勢完全相反，所以可理想地抵消晶體的漂移。根據(jù)TCXO的類型和溫度范圍，TCXO的典型穩(wěn)定度規(guī)范范圍為小于±0.5ppm至±5ppm。

　　恒溫控制晶體振蕩器(OCXO)： 對于某些應(yīng)用，TCXO的頻率-溫度穩(wěn)定度指標仍無法滿足要求。在這些情況下，可能需要OCXO。顧名思義，具有烤腔的振蕩器將晶體加熱到更高溫度，但仍受控制，使得環(huán)境溫度即使變化大，晶體的溫度也保持穩(wěn)定。由于晶體的溫度和振蕩器的敏感部份變化很小，頻率-環(huán)境溫度穩(wěn)定度得到顯著改善。在環(huán)境溫度范圍內(nèi)，OCXO的穩(wěn)定度可以達到0.001ppm。然而，這種穩(wěn)定度的提升是以增加功耗為代價的，將熱量提供給烤腔當然需要能量。典型的OCXO可能需要1到5W的功率以維持內(nèi)部溫度。在開機后，還需要等待溫度和頻率穩(wěn)定的暖機時間，取決于晶體振蕩器的類型，暖機時長通常從1分鐘到10多分鐘。

　　壓控晶體振蕩器(VCXO)： 在一些應(yīng)用中，期望能夠調(diào)諧或調(diào)整振蕩器的頻率，以便將其鎖相到鎖相環(huán)(PLL)中的參考，或可能用于調(diào)節(jié)波形。VCXO透過電子頻率控制(EFC)電壓輸入，提供了這項功能。對于某些專用元件，VCXO的調(diào)諧范圍規(guī)格可能在±10ppm到±100ppm(甚至更高)。

　　TCVCXO和VCOCXO： TCXO或OCXO通常包括EFC輸入電壓，使其得以進行調(diào)整，以便將輸出頻率精確地校準為標稱值。

　　圖1：通用振蕩器方塊圖

　　圖2：不同晶體振蕩器類型的頻率與溫度穩(wěn)定度

　　輸入電壓和功率

　　任何類型的晶體振蕩器通常都可以被設(shè)計為利用系統(tǒng)中已有的DC輸入供電電壓來操作。在數(shù)位系統(tǒng)中，通常希望使用電壓，以匹配系統(tǒng)中邏輯元件所用的電壓;該系統(tǒng)中將驅(qū)動振蕩器，使其得以直接相容于邏輯電平。+3.3V或+5V是這些數(shù)位單元的典型輸入。具有較高功率輸出的其它元件可以使用較高電壓，例如+12V或+15V。另一個考慮因素是為元件供電所需的電流量。XO或TCXO可能只需要幾mA，因此在低電壓系統(tǒng)中，其功耗可以小于0.01W。另一方面，在上電時，一些OCXO可能需要5W或6W。

　　輸出波形

　　然后要選擇輸出波形以匹配振蕩器將在系統(tǒng)中驅(qū)動的負載。最常見的輸出之一是CMOS，以驅(qū)動邏輯電平輸入。CMOS輸出將是在接地和系統(tǒng)的Vdd軌之間擺動的方波。對于高于約100MHz的較高頻率，通常使用差分方波。這些振蕩器具有兩個180°反相的輸出、具有快速上升和下降時間以及非常小的抖動。最通用的類型是LVPECL和LVDS。如果振蕩器用于驅(qū)動RF元件(如混頻器或其它具有50Ω輸入阻抗的元件)，則通常會指定某個功率級的正弦波輸出。盡管如果需要可以輸出更高功率，但一般產(chǎn)生的輸出功率通常在0dBm到+13dBm(1mW到20mW)之間。

　　封裝尺寸和外形

　　取決于振蕩器的類型和規(guī)格，對于晶體振蕩器封裝的要求將大相逕庭。簡單的時脈振蕩器和一些TCXO可以安裝在小至1.2×2.5mm2的封裝中;而一些OCXO可以大到50×50mm2，對某些特定設(shè)計，甚至可以更大。雖然一些通孔封裝，如雙列直插式4或14接腳類型仍然用于較大的元件(如OCXO或?qū)Ｓ肨CXO)，但目前大多數(shù)的設(shè)計都使用表面黏著封裝。這些表面黏著配置可以是密封的陶瓷封裝，或是基于FR-4、具有用于I/O建構(gòu)的元件。

　　如上所述，當選定晶體振蕩器時，有許多不同的選擇必須考慮。然而，透過檢查使用晶體振蕩器的系統(tǒng)，最方便的選擇將變得顯而易見;例如可用于為晶體振蕩器供電的輸入電壓以及振蕩器的輸出將驅(qū)動的元件類型等因素。還必須考慮應(yīng)用的其它限制條件，例如實體尺寸和操作環(huán)境。除了這些基本參數(shù)之外，針對特定應(yīng)用，還有許多其它規(guī)格必須加以以考量。當全盤考慮這些因素后，將會找到一款滿足系統(tǒng)要求的晶體振蕩器。