基于NI Multisim 10與LabVIEW的單結晶體管伏安特性測試
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SM掃描子VI功能：將采集的數據文件讀人，并可以顯示出數據或波形，其程序框圖如5所示。經SN TRAN轉換后得到的數據可以用數值方式顯示兩個量之間的對應關系；也可以作為圖形直觀地顯示兩個量之間的變化趨勢。UTJ VI單結晶體管顯示子VI功能：顯示單結晶體管VE和IE之間的變化趨勢，程序框圖如圖6所示。其前面板顯示的單結晶體管伏安特性曲線如圖7所示。
2.2 單結晶體管伏安特性參數的讀取
游標是圖形的特殊個性化特征，利用圖形的游標能夠準確地讀出曲線上任何一點的數據，如圖7所示。這里增加了兩個游標，分別命名為P：VP&IP和V：VV＆IV，且可以設置成在圖中顯示，這樣既可直觀地看出具體點的標記。名稱后面的數據分別表示橫坐標電壓和縱坐標電流的數值，且數據精度可以根據需要設置。因單結晶體管的反向漏電流很小，只是微安級，所以應將精度設置大些，才能體現出數據的變化。移動游標，可以讀出任意點的坐標，這樣方便于讀數，游標的形狀、顏色均可以改變，增加了使用的靈活性。
2.3 單結晶體管伏安特性分析
截止區(qū) 當加在第二基極與第一基極間的電壓VBB固定時，等效電路中A點對B1的電壓UA=ηVBB為定值；當VE較小，且VE
負阻區(qū) 當VE繼續(xù)增加，且VE>VA時，管子轉向導通，PN結電流開始顯著增加，這時將有大量的空穴進入基區(qū)，使E，B1間的載流子大量增加，Re1迅速減小，而RB1的減小又使VA降低，導致IE又進一步加大，這種正反饋的過程，使IE急劇增加，VA下降，此時單結晶體管呈現了負阻特性，如圖中曲線的P～V段。到了“V”點，負阻特性結束，V點電壓Vv稱為谷點電壓。前面板中V點坐標顯示為Vv=0.867 417 V，對應的電流稱為谷點電流Iv(Iv=0.057 295 A=57.29 mA)。
飽和區(qū) 過了谷點V之后，繼續(xù)增加VE，IE～VE曲線的形狀接近二極管導通時的正向特性曲線，如曲線“V”點向上段，此時稱為飽和區(qū)。
當改變VBB電壓時，即改變了閾值電壓VA，此時曲線的峰點電壓也隨之改變。
3 結 語
Muhisim 10與LabVIEW相結合，利用子程序做成測試單結晶體管弛張振蕩電路中電容器的充放電尖脈沖波形，可以彌補普通示波器測試頻帶窄而不能顯示這些波形的缺陷。這種方法還可以推廣到測試并顯示任何電路中任意兩個量之間的關系，這對分析電路的伏安特性、傳輸特性等具有很大的意義。
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