跟上節(jié)奏 半導體行業(yè)假期動態(tài)匯總

　　新年剛過，小編為您匯整了假期內(nèi)，您絕不該錯過的最新半導體新聞動態(tài)!快跟上最新的行業(yè)節(jié)奏!瞧瞧這些半導體巨頭不打烊都在做些甚么努力?先來看看2017其后半導體行業(yè)的總體展望：

　　PART 1

　　2017年半導體總體“運勢”

　　Gartner公布2017年半導體行業(yè)同比增長4.7%，達3400億美元;

　　WSTS于2016年11月秋季預測，2016年半導體同比下降0.1%，以及2017年半導體增長3.3%;

　　SEMI預估2017年全球半導體產(chǎn)業(yè)在3D NAND Flash和晶圓代工廠持續(xù)沖擊產(chǎn)能下，將擺脫去年疲弱，恢復強勁成長，預估年產(chǎn)值將超過3，600億元，年增5~7%;

　　臺積電董事長張忠謀預測，2017半導體增長4%，代工增長7%，及臺積電增長5%-10%。

PART 2

　　英特爾 姜還是老的辣

　　據(jù)外媒報道，英特爾為了進一步探索芯片生產(chǎn)工藝，將在今年建立一座 7nm 試驗工廠，以測試 7nm 芯片的生產(chǎn)工藝。英特爾介紹，7nm 工藝計劃使用 III-V 材料(比如氮化鎵)來進行芯片生產(chǎn)，以提高性能速度并展現(xiàn)更長續(xù)航力。同時，他們將會在生產(chǎn)中引入極紫外線(EUV)工具，來幫助進行更加精細的功能蝕刻。

　　目前，業(yè)內(nèi)多家芯片廠商都展開了 7nm 工藝上的探索，7nm也被視為半導體巨頭的決戰(zhàn)工藝節(jié)點。Globalfoundries 表示，他們將在 2018 年開始 7nm 芯片的生產(chǎn);臺積電則計劃將于明年量產(chǎn) 7 納米工藝制程;三星半導體部門總經(jīng)理 Heo Kuk 表示，公司的目標是實現(xiàn) 2018 年年初能夠量產(chǎn) 7 納米工藝。

　　英特爾擁有最先進的晶圓廠，長久以來，英特爾一直都是芯片制造技術的領頭羊。如今，當摩爾定律逐漸被認為走入瓶頸階段之際，英特爾此舉顯示了姜還是老的辣。

　　臺積電 張忠謀意外摔傷有驚無險

　　臺積電7納米已在今年第1季進行試產(chǎn)，主要客戶包括可程序邏輯門陣列(FPGA)大廠賽靈思(Xilinx)、繪圖芯片大廠NVIDIA，業(yè)界亦盛傳高通的高階手機芯片將回到臺積電并采用7納米投片。臺積電計劃2017年第4季可完成產(chǎn)能建置及認證，隨后就進入量產(chǎn)階段，預估約于2018年進入7納米量產(chǎn)。

　　不過在新年假期，卻傳出臺積電董事長張忠謀人在夏威夷意外摔傷，公司出面澄清并無大礙，卻讓投資市場足足嚇出一身冷汗。盡管臺積電接班人制度已就緒，但張忠謀動見觀瞻仍左右臺積電的運營與投資人信心，所幸有驚無險。

三星 全球半導體最大買家

　　日前公布初步業(yè)績報告稱，公司2016年第四季度營收預計為53萬億韓元(約合443億美元)，盡管Galaxy Note 7爆炸事件令三星蒙受了巨大損失，但營業(yè)利潤同比增長49.84%，環(huán)比猛增76.92%，達9.2萬億韓元(約合人民幣528億元)。

　　據(jù)此計算，三星該季度的營業(yè)利潤率為17.36%，創(chuàng)下過去兩年來的最高。這也是三星電子2013年第三季度營業(yè)利潤觸頂突破10萬億韓元之后時隔3年多再次突破9萬億韓元。

　　手機業(yè)務遭遇召回陰霾之時，內(nèi)存芯片價格上漲、Galaxy S7銷售強勁以及OLED顯示屏供不應求等原因，為三星實現(xiàn)高速增長是最大的功臣。據(jù)此前彭博社的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，三星電子芯片部門2016年第四季度的運營利潤可能將達到4.5萬億韓元，創(chuàng)出歷史新高。

　　在三星芯片業(yè)務增長的背后，半導體為不可或缺的重要組成部分。目前三星利用最尖端生產(chǎn)線以10納米級工藝生產(chǎn)PC、服務器、移動設備用DRAM。而10納米級這技術與20納米級4GB移動DRAM相比，容量增加2倍，單位容量(GB)能效提高了約2倍，進一步提升了新一代移動設備的使用便利性。

　　另一項最新統(tǒng)計出爐，國際研究暨顧問機構 Gartner 表示，2016 年三星電子與蘋果仍為全球半導體最大買家，占市場整體需求 18.2%;2016 年三星與蘋果一共消費了價值 617 億美元的半導體，較 2015 年小幅增加 4 億美元。

　　Gartner 分析師表示，三星電子與蘋果已連續(xù)第 6 年稱霸半導體消費領域，雖然兩家公司在半導體產(chǎn)業(yè)的技術和價格趨勢仍持續(xù)發(fā)揮相當大影響力。

　　PART 3

　　中國持續(xù)迎來晶圓 投資狂潮

　　根據(jù)SEMI 最新研究數(shù)據(jù)表示，當前中國大陸正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過40 億美元，占全球晶圓建廠支出總金額的70%。

　　而到2018年，中國建造晶圓廠相關支出更將成長至100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

　且看“大基金”戰(zhàn)略布局

　　“國家大基金”負責人丁文武介紹，過去兩年多來，總共決策投資了43個項目，累計項目承諾投資額818億元，實際出資超過560億元。實施項目覆蓋了集成電路設計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態(tài)建設等各環(huán)節(jié)，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈上完整布局。

　　2017年國家大基金國家大基金仍將重點關注一些方向。丁文武介紹，2017年在存儲器方面，紫光牽頭帶動長江存儲，投資總額達240億美元;先進工藝方面，已經(jīng)開始啟動，在特殊工藝方面仍需要持續(xù)關注;在化合物半導體與功率半導體方面，關注三安光電的發(fā)展情況;功率半導體方面，無論設計和制造都有布局;在CPU方面，選擇2017年破局性的部署;FPGA方面，國內(nèi)后起之秀有幾家，需要整合給予更多支持;傳感器MEMS，移動物聯(lián)網(wǎng)芯片，潛在市場巨大。

　紫光集團 “光照何方”?

　　也就在農(nóng)歷年前，總投資額達2600億元人民幣的紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項目，宣布正式在南京簽約。

　　紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目，由紫光集團投資建設，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝，總投資超300億美元。項目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬片。項目落戶南京，將成為未來中國在主流存儲器領域的跨越式發(fā)展。除投資額高達300億美元的芯片工廠建設以外，紫光集團還將投資約300億元人民幣建設南京配套IC國際城，包含科技園、設計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學校、商業(yè)設施、國際人才公寓等綜合配套設施。

　　作為“集成電路航母”紫光集團目前位在武漢的長江存儲也正如火如荼進展，相傳紫光集團未來與成都的落地合作意向也將在新的年度里一一落實。

　　各地迅雷不及掩耳速度投資晶圓廠的大動作，也預計在新的一年度紫光集團持續(xù)“光照何方”備受矚目。

　　中國半導體整并潮未歇

　　全球半導體產(chǎn)業(yè)的并購動作自2014年起就從未間斷，不論是整合元件大廠(IDM)或IC設計皆無法置身事外。這股整并潮預料將在2017年持續(xù)上演，其中中國新增的半導體產(chǎn)能將在2017年逐步打開，整并動作也會隨著產(chǎn)能布建完成而越加明顯，中國的技術與資源整并將是2017年半導體的一大焦點。