臺媒：大陸2025年IC自主目標恐難達成 海外技術(shù)取得成關鍵

　　中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進口。為此中國國務院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃，目標到了2020年達到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標，到了2025年更要達到7成水準。不過市調(diào)機構(gòu)IC Insights分析認為，這項目標恐難達成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。

　　國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思

　　根據(jù)IC Insights報導指出，現(xiàn)實情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)中由于各環(huán)節(jié)環(huán)環(huán)相扣，任何缺少不論是一款低階IC、制程材料或封裝類型等的情況，都有可能導致整個電子系統(tǒng)的生產(chǎn)及出貨受到影響。因此，透過政府力量設定一個要達到的自給自足或一定水準供應比例的數(shù)字，將是不切實際的做法。

　　如美國政府在1980年代初期試圖確保用于生產(chǎn)軍用IC的每個晶圓制造、封裝材料以及半導體制程設備的每個環(huán)節(jié)中，至少有一個是來自美國本地制造的產(chǎn)品、材料或技術(shù)，但若有無法由美國本地供應的情況產(chǎn)生，就有可能導致整個產(chǎn)線無法生產(chǎn)及出貨，因此政府設定低于100%自給自足率目標的規(guī)定反而成為了限制及不可能達成的任務。美國政府30多年前這項目標最終就以不得不放棄告終，即使當年的IC制程還不是很復雜。

　　因此，可以說任何在IC產(chǎn)業(yè)中低于100%自給自足率的情況，都可以說是未達自給自足的水準。

　　大陸發(fā)展IC產(chǎn)業(yè)資金不成問題　技術(shù)才是主要困境

　　對中國政府來說，若要讓2025年中國制造的計劃成真，資金及技術(shù)掌握將成為兩大關鍵，兩者被認為對目標達成與否有著相等重要性，其中在資金掌握上較不是問題，如中央政府已批準提供大陸本地IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展達近200億美元的資金支持，大陸地方政府及民間投資者合計也可望提供另外近1,000億美元的資金支持。

　　整體而言上述合計的龐大資金支援規(guī)模，可能已足以投建至少10座大規(guī)模300納米IC產(chǎn)線。由此可確定大陸在發(fā)展自有IC產(chǎn)業(yè)上，在資金獲取上應不是什么太大問題。

　　因此，發(fā)展阻礙反而主要是出在技術(shù)掌握上。雖然自2014年起大陸IC產(chǎn)業(yè)積極尋求向海外進行既有IC企業(yè)及技術(shù)收購移動，欲借此壯大自有新投建的晶圓廠房實力，并因此獲致部分成功案例，如買下ISSI及豪威科技(OmniVision)，但發(fā)展至今許多海外國家政府對于大陸IC產(chǎn)業(yè)對中國IC企業(yè)的收購移動均已產(chǎn)生戒心，美國政府即為一明確案例，因而對大陸IC產(chǎn)業(yè)的收購移動會有所限制及阻擋。

　　在此情況下，反而不利大陸IC產(chǎn)業(yè)未來持續(xù)借由收購策略，壯大自有技術(shù)實力的可能性，可以說此途徑的機會之窗已經(jīng)關上，未來大陸IC產(chǎn)業(yè)只能尋求自行研發(fā)的方式壯大自有技術(shù)水平。

　　因此，目前大陸新投建晶圓廠所采用的制程技術(shù)，相較于全球一線晶圓大廠仍落后達至少兩個世代，如福建省晉華集成電路公司投建的12吋晶圓廠仍在32納米DRAM制程技術(shù)階段，上海華力微電子新廠房制程技術(shù)也仍在28納米世代，這讓大陸半導體業(yè)者要與國際一線大廠競爭，仍存在一段明顯技術(shù)上的落差。

　　人才挖角取得他廠知識產(chǎn)權(quán)策略　恐得不償失

　　雖然近期外傳大陸IC產(chǎn)業(yè)透過挖角三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)以及英特爾(Intel)大陸IC產(chǎn)線工程師的方式，欲強化自主技術(shù)開發(fā)能力，因這些被挖角工程師能夠?qū)⒃展镜膶＠麢?quán)及經(jīng)驗帶到新公司，不過IC Insights認為這是相當危險的方法，最顯著例子就是約10多年前臺積電與中芯國際(SMIC)的專利侵權(quán)案。

　　臺積電在2003年控訴中芯國際挖角超過100名前臺積電員工，要求這些員工提供臺積電的商業(yè)機密給中芯國際，臺積電指控中芯國際侵犯該公司5項IC制程技術(shù)專利，而后再增至8項，最后到了2015年初由中芯國際支付臺積電1.75億美元、以及臺積電取得中芯國際8%股份解決此爭議。由此，可看出要透過人才挖角取得他廠專利，反而可能導致自身面臨更大的法律爭訟與賠償風險。

　　全球DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)發(fā)展多年，發(fā)展至今形成只剩幾家主要大廠瓜分市占率局面，這些大廠早已掌握大量相關專利，若大陸半導體業(yè)者欲自行開發(fā)新的DRAM或NAND Flash技術(shù)，將很有可能侵犯到主要大廠持有的專利，屆時面臨的侵權(quán)訴訟戰(zhàn)反而恐讓大陸業(yè)者得不償失。

　　雖然預期2016~2021年大陸本地IC生產(chǎn)的年復合成長率(CAGR)可望迎來非常強勁的18%水準，但有鑒于2016年大陸IC生產(chǎn)規(guī)模僅130億美元，因此即使CAGR高，但仍只是從相對小的產(chǎn)值規(guī)模茁壯起，規(guī)模要見到大幅擴增仍需時間。