透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

　　隨著硅基電力電子器件逐漸接近其物理極限值，新型半導(dǎo)體材料以更大的禁帶寬度、電子飽和漂移速度更快為特點(diǎn)，制造出的半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，在光電器件、微波器件和電力電子器件具有先天優(yōu)勢。

　　Gartner每年發(fā)布的技術(shù)成熟度曲線已經(jīng)成為科技和投資界一場盛事。Gartner長期致力于通過技術(shù)成熟度曲線研究，對(duì)不同領(lǐng)域的技術(shù)和趨勢做出評(píng)估，指導(dǎo)政府、科研企業(yè)、投資界在最佳時(shí)間采用這些技術(shù)或者切入該市場。該曲線按照技術(shù)觸發(fā)期、期望膨脹期、幻覺破滅谷底期、復(fù)蘇期、成熟期分為五個(gè)階段。并同時(shí)按照距離主流應(yīng)用的時(shí)間分組為“少于2年”，“2-5年”，“5-10年”和“10年以上”分為4個(gè)級(jí)別。并用這5個(gè)階段和4個(gè)級(jí)別完成一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣，用于評(píng)估投資該市場的風(fēng)險(xiǎn)。

　　2016技術(shù)成熟度曲線(來源：Gartner 2016年7月)

　　新型半導(dǎo)體材料主要是以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對(duì)我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。

　　作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，GaAs和傳統(tǒng)Si相比，有直接帶隙、光電特性優(yōu)越的特點(diǎn)，是良好的光電器件和射頻器件的材料。GaAs器件也曾被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)CPU芯片的理想材料，上世紀(jì)末一些公司曾有深入的研究并取得一些成果，但未能被市場充分應(yīng)用。后來隨著半導(dǎo)體照明和3G手機(jī)的普及，GaAs作為發(fā)光器件和功率器件越來越多的被應(yīng)用，并于本世紀(jì)出步入成熟期。

　　GaAS器件技術(shù)發(fā)展 (數(shù)據(jù)來源：賽迪智庫)

　　作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展和政府推廣，GaN基的LED已經(jīng)發(fā)展成熟，但作為微波通信器件和電力電子器件，還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有廣泛被應(yīng)用。GaN基的微波通信器件具有優(yōu)于GaAs的高頻特性和微波特性，目前主要用于軍用領(lǐng)域，隨著未來5G的大面積鋪開，GaAS將不能滿足這種高頻特性需求，GaN的將會(huì)大規(guī)模部署于民用領(lǐng)域。作為電力電子器件，GaN相對(duì)于SiC具有相對(duì)低的成本優(yōu)勢，適合于高端的低電壓如白色家電、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域，但由于目前技術(shù)尚未成熟，成本導(dǎo)致了大規(guī)模應(yīng)用尚需時(shí)日;而SiC功率器件經(jīng)過多年的發(fā)展，SiC基SBD器件技術(shù)已經(jīng)成熟，MOSFET性能突出，SiC的IGBT已經(jīng)有多家公司發(fā)布高性能樣品，混合或全SiC功率模塊已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，但大規(guī)模商用尚需時(shí)日。但在高端的如高速列車、風(fēng)力發(fā)電以及智能電網(wǎng)已經(jīng)部分的開始使用SiC產(chǎn)品。GaN和SiC產(chǎn)品作為功率器件和高頻器件，在逐步步入成熟期;但在其他領(lǐng)域，如固態(tài)紫外器件、激光探測等領(lǐng)域，還有更長的路要走。

　　GaN的技術(shù)成熟度 (數(shù)據(jù)來源：IMS Research)

　　SiC的技術(shù)成熟度 (數(shù)據(jù)來源：賽迪智庫整理)

　　碳基材料中的石墨烯具有比金屬還高的電子遷移率，所以導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性都非常優(yōu)越，加之具有六邊形網(wǎng)狀的化學(xué)結(jié)構(gòu)，其強(qiáng)度非常高，并且具有高比表面積和高透光性，可應(yīng)用于工程復(fù)合材料、鋰離子電池電極、透明電極、觸摸屏、傳感器、半導(dǎo)體器件等。石墨烯產(chǎn)業(yè)化仍處于發(fā)展初期，產(chǎn)業(yè)鏈劃分仍不明確。目前石墨烯在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用還處于實(shí)驗(yàn)室階段，很多國家和大公司都在布局石墨烯的研究;但在裝備及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用技術(shù)方面已經(jīng)較為成熟，例如作為涂料添加劑。石墨烯在不同的應(yīng)有領(lǐng)域也有不同的成熟度，但整體而言，石墨烯產(chǎn)業(yè)距離成熟和大規(guī)模商用仍有很長一段距離。

　　石墨烯技術(shù)應(yīng)用成熟度曲線 (數(shù)據(jù)來源：賽迪智庫)

　　Gartner每年除了技術(shù)成熟度曲線外，還會(huì)發(fā)布一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣，用于比較候選技術(shù)的相對(duì)收益和成熟度，可用于確定新興技術(shù)的優(yōu)先次序以及投資回報(bào)和風(fēng)險(xiǎn)。

　　Gartner 的優(yōu)先權(quán)矩陣

　　作為下一代半導(dǎo)體材料，該領(lǐng)域吸引了許多國家研究機(jī)構(gòu)和有實(shí)力的大公司投入。歐盟主導(dǎo)的的“石墨烯旗艦計(jì)劃(the Graphene Flagship)”不僅致力于石墨烯材料的研發(fā)，而且在融入“地平線2020發(fā)展計(jì)劃框架”后，進(jìn)一步推動(dòng)石墨烯及相關(guān)材料走出實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)在社會(huì)中的應(yīng)用。新材料在《《中國制造2025》重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中是十大重點(diǎn)領(lǐng)域之一，其中先進(jìn)半導(dǎo)體材料和石墨烯材料分別被納入關(guān)鍵戰(zhàn)略材料和前沿新材料兩個(gè)發(fā)展重點(diǎn)。