劑量測(cè)量核心器件選擇的對(duì)比
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半導(dǎo)體探測(cè)器可以分為以下幾種
鋰漂移型探測(cè)器：
探測(cè)γ射線需要更大的靈敏區(qū)，這種要求必須使得鋰漂移進(jìn)入P型半導(dǎo)體材料進(jìn)行補(bǔ)償而獲得，由于鍺的探測(cè)效率優(yōu)先于硅的，所以的一般用鍺（鋰）漂移探測(cè)器。其探測(cè)器的靈敏體積可大于200立方厘米。鑒于死層太厚，因此在探測(cè)較低能量的x射線時(shí)采用硅（鋰）漂移探測(cè)器。應(yīng)該注意的是當(dāng)漂移型探測(cè)器用于探測(cè)x射線和γ射線時(shí)必須保持在低溫 77K 和真空中。
將金沉積在半導(dǎo)體N型單晶硅片上，利用金和半導(dǎo)體之間的電勢(shì)差，在半導(dǎo)體中形成沒(méi)有自由載流子的耗盡層，形成探測(cè)器的靈敏區(qū)。高純硅厚度可以達(dá)到4~5mm。還可以用極薄的硅片做成全耗盡型探測(cè)器，最薄可以達(dá)到1~2微米，可以通過(guò)入射粒子穿過(guò)后的能量損失鑒別粒子種類(lèi)。
超純鍺探測(cè)器制作工藝簡(jiǎn)單，制造周期短，可以在室溫下儲(chǔ)存。便于制成超大靈敏體積，超薄壁死層，可以同時(shí)探測(cè)X射線和γ射線。除了鍺鋰Ge（Li），硅鋰Si（Li）高純鍺HPGe、金硅面壘型探測(cè)器外還有硅微條，象元、CCD。它們廣泛應(yīng)用在核醫(yī)學(xué)、天體物理、高能物理、X光成像等領(lǐng)域。
熱釋光探測(cè)器
原理是物體在受輻射作用后積蓄的能量在加熱過(guò)程中以光的形勢(shì)釋放出來(lái)的一種物理現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是一次性的，一次輻射后一次加熱會(huì)有一次的光釋放，熱釋光探測(cè)器就是利用這種原理制作而成。
此類(lèi)產(chǎn)品體積小、重量輕、精度高、量程范圍廣、能量響應(yīng)好?？赏瑫r(shí)測(cè)α、β、γ、X等多射線。主要應(yīng)用于輻射防護(hù)、放射行生物學(xué)、放射醫(yī)學(xué)、地質(zhì)學(xué)、考古學(xué)、以及環(huán)保領(lǐng)域。
探測(cè)器優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比
評(píng)論