內(nèi)存霸主三星擴(kuò)產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇
全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時(shí)間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過(guò)受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201703/345337.htm三星決定斥資87億美元,擴(kuò)充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示,新產(chǎn)線約需兩年時(shí)間建造,將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉(zhuǎn)換良率,決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。
對(duì)于今年DRAM供需,稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn),及威剛董事長(zhǎng)長(zhǎng)陳立白都表示,今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash),且只做DRAM 制程升級(jí),未見(jiàn)擴(kuò)大資本支出增產(chǎn),加上DRAM市場(chǎng)除個(gè)人計(jì)算機(jī)外,在各類(lèi)智能裝置,如車(chē)用、電視、家庭自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器以及移動(dòng)裝置等普遍使用, 讓供給缺口浮現(xiàn)。
半導(dǎo)體市場(chǎng)變化快速,新廠生產(chǎn)商品常到落成時(shí)才拍板定案。 以三星華城廠 17 號(hào)線為例,此一產(chǎn)線原本預(yù)定制造系統(tǒng)半導(dǎo)體,但是后來(lái)改用于生產(chǎn)內(nèi)存。 三星也在南韓平澤廠(Pyeongtaek)竣工后,才決定平澤廠 6 月啟用時(shí)將生產(chǎn) NAND Flash。
三星電子代表說(shuō),三星 DRAM 的毛利率超過(guò) 45%,盡管三星產(chǎn)品售價(jià)高,但是由于質(zhì)量出眾,優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,在市場(chǎng)供不應(yīng)求。 三星是內(nèi)存霸主,去年在全球 DRAM 市占高達(dá) 48%。
集邦統(tǒng)計(jì),首季除利基型DRAM漲幅在10~15%外,其余包括標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、服務(wù)器DRAM、移動(dòng)DRAM等,漲幅都在20~35%不等,并在淡季寫(xiě)下單季歷史最大漲幅。 預(yù)估第2季DRAM合約價(jià)仍會(huì)續(xù)漲,漲幅雖收斂,但也會(huì)逾一成。 三星決定增產(chǎn)DRAM,內(nèi)存模塊業(yè)界表示,這一波DRAM上漲是由三星領(lǐng)軍,使價(jià)格回到合理的利潤(rùn),預(yù)料不至于殺價(jià)搶市場(chǎng)份額。
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