內(nèi)存霸主三星擴(kuò)產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇

　　全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，業(yè)界認(rèn)為，由于建廠時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。

　　三星決定斥資87億美元，擴(kuò)充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線約需兩年時(shí)間建造，將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉(zhuǎn)換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。

　　對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM 制程升級(jí)，未見擴(kuò)大資本支出增產(chǎn)，加上DRAM市場除個(gè)人計(jì)算機(jī)外，在各類智能裝置，如車用、電視、家庭自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器以及移動(dòng)裝置等普遍使用， 讓供給缺口浮現(xiàn)。

　　半導(dǎo)體市場變化快速，新廠生產(chǎn)商品常到落成時(shí)才拍板定案。 以三星華城廠 17 號(hào)線為例，此一產(chǎn)線原本預(yù)定制造系統(tǒng)半導(dǎo)體，但是后來改用于生產(chǎn)內(nèi)存。 三星也在南韓平澤廠(Pyeongtaek)竣工后，才決定平澤廠 6 月啟用時(shí)將生產(chǎn) NAND Flash。

　　三星電子代表說，三星 DRAM 的毛利率超過 45%，盡管三星產(chǎn)品售價(jià)高，但是由于質(zhì)量出眾，優(yōu)于競爭對手，在市場供不應(yīng)求。 三星是內(nèi)存霸主，去年在全球 DRAM 市占高達(dá) 48%。

　　集邦統(tǒng)計(jì)，首季除利基型DRAM漲幅在10~15%外，其余包括標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、服務(wù)器DRAM、移動(dòng)DRAM等，漲幅都在20~35%不等，并在淡季寫下單季歷史最大漲幅。 預(yù)估第2季DRAM合約價(jià)仍會(huì)續(xù)漲，漲幅雖收斂，但也會(huì)逾一成。 三星決定增產(chǎn)DRAM，內(nèi)存模塊業(yè)界表示，這一波DRAM上漲是由三星領(lǐng)軍，使價(jià)格回到合理的利潤，預(yù)料不至于殺價(jià)搶市場份額。