東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢壘二極管

　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)，該二極管將該公司現(xiàn)有產(chǎn)品所提供的正向浪涌電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化硅肖特基勢壘二極管出貨即日啟動。

　　這些新的碳化硅肖特基勢壘二極管采用東芝的第二代碳化硅工藝制造，與第一代產(chǎn)品相比，正向浪涌電流提高了約70%，同時開關(guān)損耗指標(biāo)“RON * Qc” [1]降低了大約30%，這使它們適合應(yīng)用于高效功率因數(shù)校正(PFC)方案中。

　　這些新產(chǎn)品提供4A、6A、8A和10A 4種額定電流，支持非絕緣型“TO-220-2L”封裝或絕緣型“TO-220F-2L”封裝。這些產(chǎn)品有助于提高4K大屏幕液晶電視、投影機和多功能復(fù)印機等裝置以及通信基站和電腦服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的電源效率。

　　新碳化硅肖特基勢壘二極管的產(chǎn)品陣容及主要規(guī)格：

　　注[1] RON：陰陽極導(dǎo)通電阻，Qc：總電容電荷