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	 > 模擬技術(shù) > 新品快遞 > 東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET
          
						
          
				作者：東芝半導(dǎo)體
				時(shí)間：2017-03-21
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET?！癉TMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)降低近79%。 該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動設(shè)備的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201703/345537.htm
          　　  

           
          　　新MOSFET產(chǎn)品陣容及主要規(guī)格：
          　　  

           
           
           
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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