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	 > 模擬技術(shù) > 新品快遞 > 東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET
          
						
          
				作者：東芝半導(dǎo)體
				時(shí)間：2017-03-21
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET?！癉TMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)降低近79%。 該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開(kāi)關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設(shè)備的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動(dòng)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201703/345537.htm
          　　  

           
          　　新MOSFET產(chǎn)品陣容及主要規(guī)格：
          　　  

           
           
           
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            東芝
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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