緣何說第三代半導(dǎo)體會爆發(fā)？

　　(一)一二代半導(dǎo)體各有瓶頸，難以滿足新興市場需求

　　第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表，主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)運算領(lǐng)域，硅基芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝，隨著科技需求的日益增加，硅傳輸速度慢、功能單一的不足暴露了出來，同時集成電路產(chǎn)業(yè)遵循的“摩爾定律”演進趨緩，以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，主要應(yīng)用于通信領(lǐng)域。從21世紀(jì)開始，智能手機、新能源汽車、機器人等新興的電子科技發(fā)展迅速，同時全球能源和環(huán)境危機突出，能源利用趨向低功耗和精細管理，傳統(tǒng)的第一、二代半導(dǎo)體材料由于自身的性能限制已經(jīng)無法滿足科技的需求，這就呼喚需要出現(xiàn)新的材料來進行替代。

　　(二)第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢明顯，重點領(lǐng)域市場需求量大

　　以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點，在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點，有望突破第一、二代半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展瓶頸，市場應(yīng)用潛力巨大。根據(jù)第三代半導(dǎo)體不同的發(fā)展情況，其主要應(yīng)用為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測器以及其他4個領(lǐng)域，每個領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同，其中前沿研究領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體還處于實驗室研發(fā)階段。預(yù)計到2020年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用將在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國防三大領(lǐng)域催生上萬億元潛在市場，而碳化硅和氮化鎵器件很可能成為推動整個電力電子、光電子和微波射頻三大領(lǐng)域效率提升和技術(shù)升級的關(guān)鍵動力之一。

　　(三)發(fā)達國家展開全面部署，美日歐欲搶戰(zhàn)略制高點

　　國際上第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)整體進入產(chǎn)業(yè)形成期，并開始步入激烈競爭的階段，眾多國家將其列入國家戰(zhàn)略，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點。

　　(四)國家意志驅(qū)動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體迎來機遇

　　我國政府高度重視第三代半導(dǎo)體材料的研究與開發(fā)，從2004年開始對第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究進行了部署，啟動了一系列重大研究項目，2013年科技部在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項目征集指南中明確將第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用列為重要內(nèi)容。2015年5月，國務(wù)院發(fā)布《中國制造2025》，新材料是《〈中國制造2025〉重點領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中十大重點領(lǐng)域之一，其中第三代半導(dǎo)體被納入關(guān)鍵戰(zhàn)略材料發(fā)展重點;同年，京津冀聯(lián)合共建了第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，欲搶占第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略新高地，并引進國際優(yōu)勢創(chuàng)新資源。2016年作為“十三五”開局之年，科技部、工信部、國家發(fā)改委等多部委出臺多項政策，對第三代半導(dǎo)體材料進行布局。從政策的內(nèi)容來看，科技創(chuàng)新仍是重點，產(chǎn)業(yè)化布局、專業(yè)人才儲備、投資鼓勵、產(chǎn)業(yè)園規(guī)劃建設(shè)、生產(chǎn)制造扶植等方面的支持政策也逐步出臺，力爭全面實現(xiàn)“換道超車”。地方政策也在2016年大量出臺，一方面多地均將第三代半導(dǎo)體寫入“十三五”相關(guān)規(guī)劃(17項);另一方面不少地方政府有針對性的對當(dāng)?shù)鼐哂幸欢▋?yōu)勢的SiC和GaN材料企業(yè)進行扶持。