P10深陷“閃存門(mén)” 誰(shuí)是最終受益者

　　近日華為因P10閃存門(mén)事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖，部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存，而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對(duì)質(zhì)量把控一向嚴(yán)格的華為會(huì)出現(xiàn)這種問(wèn)題，是故意為之還是另有隱情?誰(shuí)是最終受害者，誰(shuí)又會(huì)從中獲益呢?

　　近日華為因P10閃存門(mén)事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖，部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存，而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對(duì)質(zhì)量把控一向嚴(yán)格的華為會(huì)出現(xiàn)這種問(wèn)題，是故意為之還是另有隱情?誰(shuí)是最終受害者，誰(shuí)又會(huì)從中獲益呢?

　　P10閃存門(mén)

　　過(guò)去的一個(gè)星期里，華為P10手機(jī)UFS閃存問(wèn)題在貼吧、論壇等網(wǎng)絡(luò)媒介上迅速發(fā)酵。根源在于，華為在P10發(fā)布會(huì)上宣稱該機(jī)使用了最新的UFS 2.1閃存，相比之前的eMMC閃存，性能有了非常大的提高。

　　華為官方的性能測(cè)試顯示，麒麟960搭配UFS 2.1閃存的讀取速度超過(guò)800MB/s，寫(xiě)入接近180MB/s，隨機(jī)讀取超過(guò)140MB/s，隨機(jī)寫(xiě)入也有14MB/s左右。相比之下，eMMC標(biāo)準(zhǔn)閃存的讀取速度只有200-300MB/s的水平，與UFS 2.1閃存在較大差異。

　　華為的解釋

　　閃存門(mén)事件發(fā)生后，華為第一時(shí)間給出了解釋，表示“近期個(gè)別社交網(wǎng)絡(luò)上關(guān)于P10/P10 Plus閃存選用問(wèn)題，我們同樣與業(yè)界多家優(yōu)秀的閃存解決方案供應(yīng)商緊密合作，共同保障產(chǎn)品品質(zhì)及用戶體驗(yàn)，同時(shí)也是為了保障供應(yīng)的穩(wěn)定。”

　　逐字逐句進(jìn)行分析，華為這番話的意思大概是，P10確實(shí)存在更換閃存一事，但是這也是為了保障穩(wěn)定供應(yīng)，不得已而為之。

　　業(yè)內(nèi)人士表示，之所以這次P10的閃存采用了不同的芯片，確實(shí)就是出于對(duì)保證供貨量的考慮。“對(duì)于華為來(lái)說(shuō)，供應(yīng)商所提供的UFS 2.1芯片量并不足夠，如果全部都采用這款芯片的話，P10的出貨量就要大打折扣，這是一個(gè)關(guān)鍵性問(wèn)題，所以這次需要采用其他方案，但是當(dāng)中沒(méi)有涉及到偷工減料的問(wèn)題。”

　　當(dāng)然閃存讀取速度并不是衡量一部手機(jī)好壞的充要條件，其中還涉及拍照、CPU性能、系統(tǒng)流暢度等多方因素。所以從選購(gòu)手機(jī)的角度來(lái)說(shuō)，消費(fèi)者應(yīng)該從自身的實(shí)際需求出發(fā)，合理分配閃存、拍照、性能等因素的權(quán)重。

　　誰(shuí)是最終受益者?

　　“閃存門(mén)”的出現(xiàn)，對(duì)華為的影響首當(dāng)其沖。表面看來(lái)，華為似乎通過(guò)更換閃存獲取了更多的利潤(rùn)，但深層次講，此舉無(wú)疑會(huì)損害華為整個(gè)的品牌形象。

　　雖然說(shuō)增加利潤(rùn)華為今年的重中之重，但“君子愛(ài)財(cái)，取之有道”，作為全球第三，并且市場(chǎng)份額還在持續(xù)上升的手機(jī)廠商，華為并不存在動(dòng)力去主動(dòng)更換手機(jī)閃存。為何?華為手機(jī)的目標(biāo)，大家都知道的，可一旦信譽(yù)受到影響，又何談趕超蘋(píng)果三星呢?

　　從華為的官方聲明中，我們也了解到華為此舉也是為了保證P10的足量供應(yīng)。也就是說(shuō)如果不使用eMMC閃存,我們就很難買(mǎi)到這部手機(jī)，想買(mǎi)又買(mǎi)不到，最大的獲利者會(huì)是誰(shuí)呢?

　　如今韓系廠商在手機(jī)供應(yīng)鏈上占據(jù)著至關(guān)重要的地位，特別是閃存，自2002年以來(lái)，韓系廠商連續(xù)14年在NAND市場(chǎng)占有率保持第一，而在DRAM市場(chǎng)，韓系廠商的市場(chǎng)份額已經(jīng)接近90%。尤其是華為使用的UFS 2.1閃存，目前只有韓系廠商能夠生產(chǎn)，所以從大環(huán)境來(lái)講，華為遭到打壓并不讓人意外。

　　實(shí)際上華為并不是第一個(gè)受此待遇的中國(guó)廠商，HTC的遭遇想必很多人都記憶猶新，利用供應(yīng)鏈武器對(duì)潛在對(duì)手進(jìn)行打擊，從而保證自身地位，這招韓國(guó)人很在行!而且這招妙就秒在，對(duì)于這種待遇，華為還只能忍氣吞聲，無(wú)法反抗，誰(shuí)叫你做手機(jī)就得用人家的閃存呢?

　　應(yīng)對(duì)之道

　　面對(duì)不可控的韓國(guó)閃存，最好的辦法就是使用我們自己的閃存。好在我們?cè)贜AND閃存領(lǐng)域已經(jīng)取得一定進(jìn)展，據(jù)央視報(bào)道我國(guó)首個(gè)存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開(kāi)工，該基地總投資240億美元，計(jì)劃于2020年全面建成，建成后年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

　　國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來(lái)科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

　　唯有自主才能做到可控，華為P10閃存門(mén)不僅是華為的教訓(xùn)也是所有中國(guó)手機(jī)廠商的教訓(xùn)，確實(shí)更換閃存是華為錯(cuò)，但更深層次的原因是核心零部件受制于人，結(jié)果就是被人任意拿捏而無(wú)法反抗。所以只有我們高端制造業(yè)崛起，才能徹底避免類(lèi)似事件。