P10深陷“閃存門” 誰是最終受益者

　　近日華為因P10閃存門事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖，部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存，而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對質(zhì)量把控一向嚴(yán)格的華為會出現(xiàn)這種問題，是故意為之還是另有隱情?誰是最終受害者，誰又會從中獲益呢?

　　近日華為因P10閃存門事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖，部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存，而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對質(zhì)量把控一向嚴(yán)格的華為會出現(xiàn)這種問題，是故意為之還是另有隱情?誰是最終受害者，誰又會從中獲益呢?

　　P10閃存門

　　過去的一個星期里，華為P10手機(jī)UFS閃存問題在貼吧、論壇等網(wǎng)絡(luò)媒介上迅速發(fā)酵。根源在于，華為在P10發(fā)布會上宣稱該機(jī)使用了最新的UFS 2.1閃存，相比之前的eMMC閃存，性能有了非常大的提高。

　　華為官方的性能測試顯示，麒麟960搭配UFS 2.1閃存的讀取速度超過800MB/s，寫入接近180MB/s，隨機(jī)讀取超過140MB/s，隨機(jī)寫入也有14MB/s左右。相比之下，eMMC標(biāo)準(zhǔn)閃存的讀取速度只有200-300MB/s的水平，與UFS 2.1閃存在較大差異。

　　華為的解釋

　　閃存門事件發(fā)生后，華為第一時間給出了解釋，表示“近期個別社交網(wǎng)絡(luò)上關(guān)于P10/P10 Plus閃存選用問題，我們同樣與業(yè)界多家優(yōu)秀的閃存解決方案供應(yīng)商緊密合作，共同保障產(chǎn)品品質(zhì)及用戶體驗，同時也是為了保障供應(yīng)的穩(wěn)定。”

　　逐字逐句進(jìn)行分析，華為這番話的意思大概是，P10確實存在更換閃存一事，但是這也是為了保障穩(wěn)定供應(yīng)，不得已而為之。

　　業(yè)內(nèi)人士表示，之所以這次P10的閃存采用了不同的芯片，確實就是出于對保證供貨量的考慮。“對于華為來說，供應(yīng)商所提供的UFS 2.1芯片量并不足夠，如果全部都采用這款芯片的話，P10的出貨量就要大打折扣，這是一個關(guān)鍵性問題，所以這次需要采用其他方案，但是當(dāng)中沒有涉及到偷工減料的問題。”

　　當(dāng)然閃存讀取速度并不是衡量一部手機(jī)好壞的充要條件，其中還涉及拍照、CPU性能、系統(tǒng)流暢度等多方因素。所以從選購手機(jī)的角度來說，消費(fèi)者應(yīng)該從自身的實際需求出發(fā)，合理分配閃存、拍照、性能等因素的權(quán)重。

　　誰是最終受益者?

　　“閃存門”的出現(xiàn)，對華為的影響首當(dāng)其沖。表面看來，華為似乎通過更換閃存獲取了更多的利潤，但深層次講，此舉無疑會損害華為整個的品牌形象。

　　雖然說增加利潤華為今年的重中之重，但“君子愛財，取之有道”，作為全球第三，并且市場份額還在持續(xù)上升的手機(jī)廠商，華為并不存在動力去主動更換手機(jī)閃存。為何?華為手機(jī)的目標(biāo)，大家都知道的，可一旦信譽(yù)受到影響，又何談趕超蘋果三星呢?

　　從華為的官方聲明中，我們也了解到華為此舉也是為了保證P10的足量供應(yīng)。也就是說如果不使用eMMC閃存,我們就很難買到這部手機(jī)，想買又買不到，最大的獲利者會是誰呢?

　　如今韓系廠商在手機(jī)供應(yīng)鏈上占據(jù)著至關(guān)重要的地位，特別是閃存，自2002年以來，韓系廠商連續(xù)14年在NAND市場占有率保持第一，而在DRAM市場，韓系廠商的市場份額已經(jīng)接近90%。尤其是華為使用的UFS 2.1閃存，目前只有韓系廠商能夠生產(chǎn)，所以從大環(huán)境來講，華為遭到打壓并不讓人意外。

　　實際上華為并不是第一個受此待遇的中國廠商，HTC的遭遇想必很多人都記憶猶新，利用供應(yīng)鏈武器對潛在對手進(jìn)行打擊，從而保證自身地位，這招韓國人很在行!而且這招妙就秒在，對于這種待遇，華為還只能忍氣吞聲，無法反抗，誰叫你做手機(jī)就得用人家的閃存呢?

　　應(yīng)對之道

　　面對不可控的韓國閃存，最好的辦法就是使用我們自己的閃存。好在我們在NAND閃存領(lǐng)域已經(jīng)取得一定進(jìn)展，據(jù)央視報道我國首個存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工，該基地總投資240億美元，計劃于2020年全面建成，建成后年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　唯有自主才能做到可控，華為P10閃存門不僅是華為的教訓(xùn)也是所有中國手機(jī)廠商的教訓(xùn)，確實更換閃存是華為錯，但更深層次的原因是核心零部件受制于人，結(jié)果就是被人任意拿捏而無法反抗。所以只有我們高端制造業(yè)崛起，才能徹底避免類似事件。