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          北航與微電子所成功制備國內(nèi)首個80nm磁隨機存儲器芯片器件
          
						
          
				作者：
				時間：2017-05-08
				來源：中科院微電子研究所
				
				
				
				
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          　　近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201705/358867.htm

          　　STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。
          

          　　微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm磁隧道結(jié)，器件性能良好，其中器件核心參數(shù)包括隧穿磁阻效應(yīng)達(dá)到92%，可實現(xiàn)純電流翻轉(zhuǎn)且電流密度達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
          

          　　在北京市科委的大力支持下，該工作完全采用了可兼容傳統(tǒng)CMOS集成電路的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的條件，對我國存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實際意義的推動作用。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            80nm
                        存儲器
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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