中微半導體堅持自主創(chuàng)新 8年申請超過800件相關(guān)專利

　　筆者從5月23日在北京舉行的02重大專項成果發(fā)布會上了解到，過去九年中，中微半導體通過先后承擔并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的02專項任務，使我國在該項設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進水平同步。

　　中微半導體率先開發(fā)了包括甚高頻去耦合反應離子刻蝕的等離子體源和雙反應臺的反應腔等一系列完全自主創(chuàng)新的設(shè)計，使之與國外同類設(shè)備相比，在產(chǎn)能、潔凈室面積占用和設(shè)備擁有成本等重要指標上都具有約30%的優(yōu)勢。中微半導體高效、好用的介質(zhì)刻蝕設(shè)備不但支持了國內(nèi)制造企業(yè)從65納米到28納米技術(shù)代的發(fā)展，而且已經(jīng)在國際市場上，在各個技術(shù)節(jié)點上都與世界最先進的設(shè)備廠商競爭。

　　目前中微半導體已經(jīng)有460多個介質(zhì)刻蝕反應臺在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上高質(zhì)穩(wěn)定的生產(chǎn)了4000多萬片晶圓。中微半導體在臺積電的研發(fā)線上正在進行5納米的刻蝕開發(fā)和核準。

　　在02專項的支持下，中微半導體還開發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機，達到了刻蝕的線寬均勻性3sigma小于1納米的精確程度，已經(jīng)在中芯國際北京生產(chǎn)線的評價中得到了很好的結(jié)果，并將在多個國際一流和生產(chǎn)線試運行。

　　中微半導體還開發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設(shè)備，產(chǎn)品不但占有了約50%的大陸市場，而且已經(jīng)進入了臺灣、新加坡、日本和歐洲市場。特別是在國際MEMS傳感器最領(lǐng)先的博世(BOSCH)和意法半導體(STM)進入大生產(chǎn)，比美國的刻蝕設(shè)備有更好的表現(xiàn)。

　　對照專項實施之前我國幾近空白的高端半導體裝備產(chǎn)業(yè)，中微半導體所取得的02專項成果具有高度自主創(chuàng)新的內(nèi)涵和不斷跨越式發(fā)展的特征。美國因此不得不承認繼續(xù)限制向中國出口高端刻蝕設(shè)備已經(jīng)“達不到其目的了”，并正式聲明，從瓦森納協(xié)定的軍民兩用出口限制清單中將刻蝕設(shè)備移除。

　　中微半導體介質(zhì)刻蝕機的開發(fā)，還帶動了國內(nèi)材料產(chǎn)業(yè)的本土化發(fā)展，中微半導體刻蝕設(shè)備材料國產(chǎn)化率達到35%，已開發(fā)了20多個國內(nèi)的反應器和系統(tǒng)主機加工等供應廠商，加工能力和質(zhì)量達到了國際先進水平。

　　知識產(chǎn)權(quán)從來都是先進企業(yè)用來圍堵后發(fā)者的利器。因此，知識產(chǎn)權(quán)斗爭的激烈程度也是后發(fā)者是否成功的標記。

　　中微半導體在近八年中在全世界共申請了超過800件相關(guān)專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，目前有一半以上已獲授權(quán)。中微半導體堅持自主創(chuàng)新，但在公司的產(chǎn)品威脅到早已瓜分完畢的既定市場時，不可避免的遭到來自競爭對手的知識產(chǎn)權(quán)阻擊。美國最大的兩家半導體設(shè)備公司曾先后向中微提起知識產(chǎn)權(quán)訴訟。中微半導體都沉著應對，據(jù)理力爭，最后的結(jié)果是中微半導體勝訴一起，另一起以“和解”結(jié)束。