FET知識(shí):采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例
與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級(jí)FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí),為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201705/359668.htm與晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。
最一般的源極接地電路和自偏置電路
n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反。
FET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為反向偏置電壓,因此其偏置電路的構(gòu)造有些不同。
與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構(gòu)成的FET“自偏置電路”,由于其穩(wěn)定程度良好,在實(shí)際電路中得到了普遍應(yīng)用。
自偏置電路源極電阻對(duì)電路的穩(wěn)定作用
與柵極和源極間電壓VGS相對(duì)應(yīng)的漏極電流ID(A),流過(guò)源極電阻RS(Ω)。VGS為負(fù)極性的偏置電壓。
此時(shí),如果我們把VGS的絕對(duì)值變得很小,漏極電流ID就會(huì)增大。這樣一來(lái),源極電壓VS(V)就會(huì)升高,從而使得VCS的絕對(duì)值增大,同時(shí)ID也會(huì)減小,電路的狀態(tài)向穩(wěn)定的方向變化。
源極接地電路要實(shí)現(xiàn)放大功能,需要給源極電阻并聯(lián)電容
實(shí)現(xiàn)交流信號(hào)放大時(shí),需要忽略源極電阻RS的影響。與源極電阻RS并聯(lián)的電容CS(F),使得交流信號(hào)變化對(duì)源極電壓VS沒(méi)有影響,源極電壓VS保持不變。對(duì)于交流信號(hào)來(lái)說(shuō),源極是通過(guò)電容CS接地的,因此也稱(chēng)為源極接地電路。該電路對(duì)交流信號(hào)的電壓放大倍數(shù)A為
A=gm*RD
式中,RD(Ω)為漏極電阻。由于結(jié)型FET的gm很小(在1~10mS之間),很難實(shí)現(xiàn)電壓放大倍數(shù)很大的單級(jí)放大電路。
漏極接地電路的偏置電路和放大倍數(shù)
漏極接地電路(源極跟隨器)與晶體管的共集放大電路(射極跟隨器)相同。漏極接地電路中,漏極與電源VPS相連接(關(guān)于n溝道FET),通過(guò)電源接地,所以可以被看作為“漏極接地”電路。
信號(hào)的放大倍數(shù)A為A≈1,實(shí)際的放大倍數(shù)要比1略小一些。
柵極接地電路的偏置電路和放大倍數(shù)
柵極接地電路和晶體管基極接地電路一樣。偏置電路和其他的結(jié)型FET的接地電路一樣。
結(jié)型FET的柵極和源極間為反向偏置電壓,源極通過(guò)電阻RS接地,柵極直接與地電位相連。
柵極接地電路,輸入、輸出信號(hào)的極性相反。信號(hào)的電壓放大倍數(shù)A為
A=gm*RD
評(píng)論