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          F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應用

          作者: 時間:2017-06-04 來源:網(wǎng)絡 收藏
          以基于TMS320C32 開發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用;利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內(nèi)的特 性,結(jié)合TMS320C3x提出實現(xiàn)系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。

          關(guān)鍵詞 存儲器 TMS320C32 自動引導 Am29F040

          引 言

          在對電力系統(tǒng)斷路器的狀態(tài)監(jiān)測過程中,需要對故障數(shù)據(jù)進行保存,以便于查看;而在故障期間難免會出現(xiàn)停機的現(xiàn)象,因此,如何在斷電的狀態(tài)下保存數(shù)據(jù),就成為一個關(guān)鍵問題。對于故障出現(xiàn)的監(jiān)測裝置必須滿足兩個基本的特性--實時性和快速性。這兩種特性都需要以快速處理大量的數(shù)據(jù)信息為基礎,所以我們采用數(shù)據(jù)信號處理來滿足這方面的要求?,F(xiàn)在,閃存( Memory)已經(jīng)成為DSP系統(tǒng)的一個基本的配置。 這里Flash存儲器主要用來存放用戶程序代碼。一般來說,將用戶需要的程序代碼裝入F1ash存儲器有三種方法:一種是在存儲器出廠前將數(shù)據(jù)寫入;一種是用戶使用編程器自己編程;最后一種是將存儲器安裝在用戶電路板后進行編程。隨著芯片制造工藝的提高,芯片的集成度也越來越高,使Flash存儲器正在向小型化、貼片式方向發(fā)展。本文結(jié)合TMS320C3x系列的DSP上電引導表產(chǎn)生方法,討論AMD公司生產(chǎn)的Am29F040閃存在系統(tǒng)中的編程方法。

          1 Flash存儲器Am29F040

          Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開機后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。 下面首先介紹Am29F040的特點和操作。 Am29F040是采用5 V單電源供電的可編程只讀存儲器,是一種電可擦除與重新編程的器件。該器件由8個獨立的64 K字節(jié)塊組成,訪問速度為55~150 ns。片內(nèi)的狀態(tài)機控制編程和擦除器件、嵌入式字節(jié)編程與區(qū)段/芯片擦除功能是全自動的。內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。


          A0~A18:地址線。其中A8~A18提供存儲區(qū)地址, 行地址確定所在扇區(qū);A0~A7選定某扇區(qū)的一 個字節(jié),扇區(qū)容量是256字節(jié)。DQ0-DQ7:數(shù)據(jù)輸入/輸出。在讀周期輸出數(shù)據(jù); 在寫周期接收數(shù)據(jù)。寫過程中寫入的數(shù)據(jù)被內(nèi) 部鎖存。CE:輸入,芯片使能, 低電平時選中該器件。OE:輸入,輸出使能, 低電平時打開數(shù)據(jù)輸出緩沖 區(qū),允許讀操作WE:輸入,寫使能,低電平時允許寫操作。Vcc為5V電源。Vss為地。 工作方式有讀方式、待機方式、輸出禁止及算法選擇。 例如,對于寫操作的編程命令,如表1所列。 其中:RA為被讀出的存儲單元地址; PA為被編程的存儲單元地址; RD為所選地址單元被讀出的數(shù)據(jù); PD為所選地址單元被編程的數(shù)據(jù)。 除編程地址、區(qū)段地址和讀地址之外的所有總線周期地址,地址引腳A18、A17、A16、A15為高或低。 下面以命令表的編程命令為例,簡要介紹字節(jié)編程。表1所列命令是一個4總線周期指令。首先,在地址5555H寫入數(shù)據(jù)0AAH,地址2AAAH寫入數(shù)據(jù)055H,再在地址5555H寫入數(shù)據(jù)AOH,最后是編程的地址和數(shù)據(jù)。 對于芯片擦除功能,自動地提供編程和電擦除之前,校驗所有存儲單元所需的電壓和時序,然后自動擦除并校驗單元界限。利用數(shù)據(jù)輪詢(data-polling)特性,可以監(jiān)視自動芯片擦除操作期間器件的狀態(tài),以檢驗操作是否完成。 程序如下:int Chip-Erase (){*(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫芯片擦除命令部分*/*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x80808080;*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA:*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x10101010;while((*(int)0x000055550x80808080)!=0x80808080) /*數(shù)據(jù)輪詢*/ 對于區(qū)段擦除暫停,在區(qū)段擦除期間擦除暫停有效,數(shù)據(jù)值為BOH,不管地址值。區(qū)段擦除恢復,僅在擦除暫停之后擦除有效,數(shù)據(jù)值為30H,不管地址值。下面是簡要的程序代碼:int Sector- Erase(sectadd) int * sectadd;{ *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫區(qū)段擦除命令部分*/ *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *(int*)0x00005555=0x80808080; *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *sectadd=0x30303030; 對于數(shù)據(jù)保護,此特性禁止在1-8個區(qū)段的任何組合進行編程和擦除操作。執(zhí)行編程和擦除被保護區(qū)段的命令時,不改變區(qū)段內(nèi)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輪詢位和跳轉(zhuǎn)位工作在2~100μs,然后返回到有效數(shù)據(jù)。在地址引腳A9和控制引腳E,使用11.5~12.5 V高電壓VID’且在控制引腳E上使用VIL將使此特性起作用。其具體操作為:當W為VIH’E為VIL且地址引腳G為VID時,區(qū)段保護方式被激活,地址引腳A18、A17、A16用來選擇被保護的區(qū)段。一旦地址穩(wěn)定,W處于脈沖低電平,操作開始于W的下降沿。


          2 在TMS320C3x中的應用

          TMS320C3x支持32位或16位寬度的程序外部存儲器。由于Am29F040的數(shù)據(jù)寬度是8位,而從RAM單元中取出的數(shù)據(jù)寬度為32位,所以還要采用移位的方法寫入Am29F040。 引導表的格式主要由下面幾部分組成:首先,是包括引導表數(shù)據(jù)寬度和其它數(shù)據(jù)總線寄存器值的頭文件。接著,是COFF文件中各個段的數(shù)據(jù),其中每個段都包含一個該段的文件頭來說明該段的代碼長度和地址。最后是結(jié)束段。 這里,采用COFF格式生成引導表比較麻煩。公司提供了一個很有用的轉(zhuǎn)換工具HEX30,只須編寫一個命令文件,就可使用這個轉(zhuǎn)化工具自動生成引導表。F1ash存儲器燒寫流程如圖2所示。


          采用公司的TMS320C32的DSP,AMD公司生產(chǎn)的8位Am29F040作為Flash存儲器,這里使用了4片Am29F040。編寫時必須注意: ①目標字寬度,也就是處理器的操作碼長度。選好DSP后,該長度也就確定了。按照我們的例子為32位。 ②數(shù)據(jù)寬度。由-datawidth 設定,為32位。 ③存儲器寬度。由-Memwidth 設定,本例中為32位。 ④ROM寬度。由-romwidth設定,為8位,由Flash存儲器確定。 程序如下: C3XCHECK.OUT -MAP 29f040.MAP -i /*輸出文件為Intel格式*/ -datawidth 32 -Memwidth 32 -romwidth 8 ROMS{FLASHROM:org=000000h,len=80000h,romwidth=8, /*512K X 8*/files={f040.bo f040.b1 f040.b2 f040.b3}}SECONS{ .text :paddr=00000040h .ffttxt :paddr=000008dlh .data :paddr=0000000h .sintab :paddr=000009eeh .paras :paddr=00000a2eh} 命令文件按照上述編寫,生成了4個文件,分別為f040.b0、f040.bl、f040.b2及f040.b3,然后可以直接用編程器燒寫至4片Am29F040即可。 利用上面的方法已經(jīng)可以完成工作,但是我們還可以利用TMS320C32的boot loader(上電加載)功能直接調(diào)入到存儲器中。 D S P芯片復位以后,將自動地運行固化0H~0FFH空間內(nèi)的引導裝載程序,執(zhí)行引導程序裝 載功能。進入引導裝載程序以后,DSP將一直等待中斷INT0-INT3的中斷狀態(tài),根據(jù)不同的中斷,決定是以BOOTl-BOOT3的存儲空間裝載程序到指定的快速閃存,還是以從串口將程序引導裝載到指定的快速閃存。TI公司的引導裝載程序是公開的(如果需要,可由其網(wǎng)站下載得到)。實現(xiàn)引導裝載功能時,需要自己設計程序頭,其中必須描述: ① 待裝載程序的存儲器寬度為8位/16位/32位; ②S W W 等待狀態(tài)發(fā)生器的方式; ③裝載到快速R A M 的程序大小; ④裝載的目的地址。 如果在實際系統(tǒng)中目的地址不止一個,其操作 過程也是一樣的。當一個模塊裝載完畢以后,如果還有一個另外的模塊,那么它將繼續(xù)執(zhí)行。與上面的方法一樣,在程序頭加上必要的信息就可以了。 如將引導表作為程序的一個初始化段,在運行程序的時候?qū)⒃摱蔚膬?nèi)容也直接寫到F1ash存儲器里面。具體來說,首先編寫一段C語言程序,將上面由HEX30生成的文件轉(zhuǎn)化為.dat數(shù)據(jù)文件 (使得DSP可以識別,DSP不能識別.bO文件)。然后,在編程程序中建一個段,其中包含這個數(shù)據(jù)文件。最后,在直接運行程序時,將其中的內(nèi)容燒寫到存儲器里面。采用這種方法,比采用EPROM編程器編程速度更快,而且省時省力,需要修改時不用取出 F1ash存儲器,可以在線編程修改。

          3 結(jié) 論

          通過實際的電路仿真測試,證明這種設計思想簡單、程序語法正確,數(shù)據(jù)傳輸效率高,充分利用了TMS320C32編程語言特點。這種方法能夠?qū)崿F(xiàn)F1ash存儲器在系統(tǒng)編程和在DSP系統(tǒng)上電后的用戶程序的自動引導。同時,由對Flash存儲器Am29F040應用的討論可知,其不僅可以利用編程器編程,而且可以通過TMS320C32在線進行擦除、讀寫及編程。

          參考文獻

          1 Texas Instruments.TMS320C3x User’s Guide.1997 2 Texas Instruments.TMS320C3x/C4x AssemblyLanguage Tools User’s Guide.1998 3 AMD.Am29F040 使用手冊.1996-11(收修改稿日期:2002—ll—27)


          關(guān)鍵詞: DSP Flash TI

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