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          DDR4內(nèi)存的未來
          
						
          
				作者：
				時間：2017-06-08
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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           我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn)，預(yù)計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來太大幫助，DDR4內(nèi)存是否性能過剩，成為末路黃花?目前還不好說，不管怎么樣，技術(shù)總是要向前發(fā)展的。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201706/351188.htm
          今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進行了解。

          現(xiàn)在Intel平臺內(nèi)存規(guī)格

          DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢
          此前JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會就正式宣布未來DDR4內(nèi)存標準的關(guān)鍵技術(shù)，預(yù)計將會在2012年中，DDR4內(nèi)存將會具備更高的性能，并且功耗方面更低。
                                    
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            DDR4內(nèi)存
                        Intel
                        DDR3-2133
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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