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          業(yè)界最快trr性能的600V超級結MOSFET PrestoMOS新增更低Ron、更低Qg的“R60xxMNx系列”

          作者: 時間:2017-07-05 來源:電子產品世界 收藏

            <概要>

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201707/361394.htm

            全球知名半導體制造商的高速trr※1型600V 超級結MOSFET PrestoMOS※產品群又新增“系列”,非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設備等的電機驅動。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET,以業(yè)界最小的開關損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。

            此次開發(fā)的“系列”通過優(yōu)化獨有的芯片結構,在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎上,還成功地使Ron※2和Qg※3顯著降低。由此,在變頻空調等電機驅動的應用中,輕負載時的功率損耗與以往的IGBT相比,降低約56%,節(jié)能效果非常明顯。

            不僅如此,“系列”利用多年積累的模擬技術優(yōu)勢,還實現了超強的短路耐受能力,減輕了因電路誤動作等導致的異常發(fā)熱帶來的破壞風險,有助于提高應用的可靠性。

            本系列產品已于2016年12月份開始以月產10萬個規(guī)模投入量產,前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),后期工序的生產基地為ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.(韓國)。

            今后,ROHM將繼續(xù)開發(fā)凝聚了ROHM模擬設計技術優(yōu)勢的高性能、高可靠性產品,不斷為社會的進一步節(jié)能貢獻力量。

            <背景>

            近年來,節(jié)能化趨勢日益加速,隨著日本節(jié)能法的修訂,家電產品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標識APF(Annual Performance Factor)※4,不再僅僅關注功率負載較大的設備啟動時和額定條件下的節(jié)能,要求負載較小的正常運轉時更節(jié)能的趨勢日益高漲。據稱,在全球的電力需求中,近50%被用于驅動電機,隨著空調在新興國家的普及,全球的電力局勢逐年嚴峻。在這種背景下,ROHM開發(fā)出PrestoMOS,非常適用于要求低功耗化的空調等白色家電和工業(yè)設備等的電機驅動,可大大降低應用正常運轉時的功耗,滿足了社會的節(jié)能需求。

            <特點>

            1. 業(yè)界最快的trr性能、低Ron、低Qg,有助于應用節(jié)能

            一般MOSFET具有高速開關和低電流范圍的傳導損耗低的優(yōu)點,設備正常運轉時可有效降低功耗?!癛60xxMNx系列”利用ROHM獨有的Lifetime控制技術,不僅保持了業(yè)界最快trr性能,而且Ron和Qg更低,非常有助于變頻電路的節(jié)能。

            2.超強短路耐受能力,確??煽啃?/p>

            通常,一旦發(fā)生短路,即具有電路誤動作、流過超出設計值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來,因性能與短路之間的制約關系,確保超強的短路耐受能力是非常困難的,而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術優(yōu)勢,對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進行了優(yōu)化,可確保電機驅動所必須的短路耐受能力,有助于提高應用的可靠性。

            3.自導通損耗微小

            自導通是指MOSFET在關斷狀態(tài)下,高邊主開關一旦導通,則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加,電壓被柵極感應,柵極電壓上升,MOSFET誤動作。該現象使MOSFET內部產生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容,可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內。

            <應用>

            空調、冰箱、工業(yè)設備(充電站等)

            <產品陣容表>

            

            ☆開發(fā)中

            另外,產品陣容包括下述封裝產品,詳情敬請垂詢。

            同時,TO-263(LPTS)封裝的樣品也準備了一部分。

            <術語解說>

            ※1 trr : 反向恢復時間

            開關二極管從導通狀態(tài)到完全關斷狀態(tài)所花的時間。

            ※2 Ron : 導通電阻(Ω)

            開關二極管成為導通狀態(tài)時的電阻值。

            ※3 Qg : 柵極輸入電荷量

            MOSFET進行ON/OFF切換時,注入柵極電極所需的電荷量。

            ※4 APF(Annual Performance Factor)

            全年使用家用空調時的能效比。數值越大節(jié)能性能越好。

            Presto: 源自意大利語,是表示“極快”的音樂術語。

            擁有業(yè)界最快trr性能的ROHM獨有的功率MOSFET。是實現業(yè)界最小開關損耗的產品。



          關鍵詞: ROHM R60xxMNx

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