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          中國三大存儲器廠商建廠神速,明年上半年迎“裝機大戰(zhàn)”

          作者: 時間:2017-07-11 來源:集微網 收藏
          編者按:目前國內三大存儲器廠商正處于緊鑼密鼓的施工階段,預計2018上半年陸續(xù)進入設備安裝階段,新一輪的設備入廠調試安裝大戲即將上演。

            SEMI(國際半導體產業(yè)協會)“全球廠預測”最新報告指出,2017年中國總計有14座廠正在興建,并將于2018年開始裝機。2018年中國設備支出總金額將逾100億美元,成長超過55%,全年支出金額位居全球第二。總計2017年中國將有48座晶圓廠有設備投資,支出金額達67億美元。展望2018年,SEMI預估中國將有49座晶圓廠有設備投資,支出金額約100億美元。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201707/361565.htm

            武漢:長江存儲

            2016年7月26日,長江存儲科技有限責任公司正式成立,武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司,而紫光集團則是參與長江存儲的二期出資。注冊地位于武漢東湖開發(fā)區(qū)關東科技工業(yè)園的長江存儲,公司注冊資本189億元。

            2016年12月30日,由紫光集團聯合國家集成電路產業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家基地項目,在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設。該項目總投資240億美元,主要生產芯片,總占地面積1968畝。

            這一項目即將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產,2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。

            目前,長江存儲32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試,達到預期要求。預計2018年實現量產,并于2019年實現產能滿載。

            今年6月,長江存儲的廠址區(qū)域正在加速打樁工作中。預計2018年4月將實現設備安裝,第一階段每月的產能大約在50,000片,大規(guī)模生產的產品將是長江存儲64層的3D NAND產品。

            相信,2018年第一家具有中國自主知識產權的 3D NAND 即將誕生。如果說2017年是東芝的天下,2018年必將在中國行業(yè)劃下濃重的一筆。

            合肥長鑫

            總投資額達72億美元的合肥長鑫12寸存儲晶圓廠,以生產 19nm DRAM 產品為主,預計2019年底將實現達 12.5萬片的月產能。

            據悉,該廠的生產設備安裝時間預計在2018年第一季度,目前已開始與晶圓供應商進行商談,以確保 2018 年內獲得穩(wěn)定的晶圓供應。在晶圓廠建設完成之后,月產能預計將高達 12.5 萬片,其規(guī)模將與韓國 SK Hynix 現在的產能差不多,比福建晉華的存儲器產能更高,僅次于紫光在武漢的 12 寸晶圓廠月產能 20 萬片的規(guī)模。

            據了解,長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員,構成陸日臺的存儲器研發(fā)團隊,預定2017年人才儲備達到千人規(guī)模、2018年上看2,000人。

            目前可見,合肥長鑫的施工速度要比長江存儲的速度快一些,廠房正在加速建設中,預計9月完成。從產品的原型設計,到試量產仍需要一年多的時間,加上產能的提升,預計2019年2月才能實現大規(guī)模量產,2019年底有望實現12.5萬片的月產能。

            福建晉華存儲項目

            目前進度最快的是福建晉華存儲器生產線項目,在近6萬平方米的施工現場,鋼筋密度最大、施工難度最高、用工量最繁復的主廠房,正進行鋼結構吊裝,目前也已完成一半的工程量,最快今(2017)年10月,主廠房將順利封頂。

            據悉,今年4月~6月晉華已計劃推出R&D迷你產線,以實現每月 5000 片的產能,無論從產品進度和施工作業(yè)來看,晉華存儲器項目的速度都是最快。

            福建省晉華集成電路有限公司(簡稱晉華公司)是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資的集成電路生產企業(yè),是中國國家基金積極布局的戰(zhàn)略項目。

            目前一期總投資370億元,已納入國家十三五集成電路重大項目清單,并得到第一筆 30 億元國家專項資金支持,將通過引進臺灣和全球技術、人才、資源,打造中國第一個自主技術的內存制造項目及 12 吋晶圓廠,爭取 3-5 年內在國內主板上市。

            2016年5月聯電宣布與晉華集成電路公司簽約合作,由聯電負責開發(fā)DRAM制程相關技術。福建省晉華12寸新廠初期將導入32納米制程,預期在2018年9月開始試產,投入DRAM及相關產品的研發(fā)生產與銷售,預計2019年到2020年期間將月產能擴大至3萬片。

            中芯國際、華力微、淮安德科碼紛紛建廠

            2016年10月,中芯國際投資近百億美元在上海開啟新的12寸集成電路生產線,可覆蓋14nm至10/7nm工藝節(jié)點,滿產后規(guī)??蛇_每月7萬片,供應給新一代移動通訊和智能終端機領域。其天津8寸廠開啟了擴建項目,目前月產能在4.5萬片,預計全部達產后中芯天津月產能將達15萬片8英寸晶圓。在深圳中芯國際也將啟動一條12寸產線,定位主流成熟技術,預計2017年底投產,預期產能將達每月4萬片晶圓。

            2016年11月,華力微二期12寸新生產線建設項目正式啟動,將在浦東新區(qū)康橋工業(yè)區(qū)南區(qū)建設一條月產能4萬片,工藝為28-20-14納米的12英寸集成電路芯片生產線,主要從事邏輯芯片生產,重點服務國內設計企業(yè)先進芯片的制造需求。該項目預計2018年底完成工藝串線、試生產,形成 1 萬片生產能力,2022年前實現達產。

            2017年6月,淮安德科碼開啟12英吋半導體芯片晶圓廠項目,總投資150億元,一期為年產24萬片,預計9月開始生產設備的安裝。



          關鍵詞: 存儲器 晶圓

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