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	 > 手機與無線通信 > 業(yè)界動態(tài) > 5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS
          
						
          
				作者：
				時間：2017-07-24
				來源：新電子
				
				
				
				
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            編者按：展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
          
            
          
			
			
          
				
				
			
          
                
			
          　　研究機構(gòu)Yole Developpement指出，隨著5G技術(shù)日益成熟，未來射頻功率放大器(RF PA)市場將出現(xiàn)顯著成長，但傳統(tǒng)的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵(GaN)取代，砷化鎵(GaAs)的市場占比則相對穩(wěn)定。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201707/362075.htm
          　　據(jù)Yole預(yù)估，電信基地臺設(shè)備升級與小型基地臺的廣泛布建，將是推動RF PA市場規(guī)模成長最主要的動力來源。 2016年全球RF PA市場規(guī)模約為15億美元，到2022年時，市場規(guī)模將達到25億美元，復(fù)合年增率(CAGR)為9.8%。 不過，由于導(dǎo)入新的射頻技術(shù)，并且使用更高的通訊頻段，因此RF PA必須使用新的制程技術(shù)來實現(xiàn)。

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            5G
                        GaN
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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