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          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          作者: 時間:2017-07-24 來源:新電子 收藏
          編者按:展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。

            研究機構(gòu)Yole Developpement指出,隨著技術(shù)日益成熟,未來射頻功率放大器(RF PA)市場將出現(xiàn)顯著成長,但傳統(tǒng)的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵()取代,砷化鎵(GaAs)的市場占比則相對穩(wěn)定。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201707/362075.htm

            據(jù)Yole預估,電信基地臺設備升級與小型基地臺的廣泛布建,將是推動RF PA市場規(guī)模成長最主要的動力來源。 2016年全球RF PA市場規(guī)模約為15億美元,到2022年時,市場規(guī)模將達到25億美元,復合年增率(CAGR)為9.8%。 不過,由于導入新的射頻技術(shù),并且使用更高的通訊頻段,因此RF PA必須使用新的制程技術(shù)來實現(xiàn)。




          關鍵詞: 5G GaN

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