ROHM PrestoMOS實(shí)現(xiàn)業(yè)界最快600V超級(jí)結(jié)

　　近年來，節(jié)能化趨勢(shì)日益加速，家電節(jié)能的標(biāo)準(zhǔn)不斷修訂，相比傳統(tǒng)關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動(dòng)時(shí)和額定條件下的節(jié)能，近年來要求負(fù)載較小的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)更節(jié)能的趨勢(shì)日益高漲。據(jù)稱，在全球的電力需求中，近50%被用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，隨著空調(diào)在新興國家的普及，全球的電力局勢(shì)逐年嚴(yán)峻。在這種背景下，ROHM開發(fā)出PrestoMOS，非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)，可大大降低應(yīng)用正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的功耗，滿足了社會(huì)的節(jié)能需求。

　　作為家電用MOSFET的領(lǐng)導(dǎo)者，ROHM的高速trr型600V 超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOS產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET，以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評(píng)。

　　一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點(diǎn)，設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)可有效降低功耗?！癛60xxMNx系列”利用ROHM獨(dú)有的Lifetime控制技術(shù)，不僅保持了業(yè)界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于變頻電路的節(jié)能。在保障性能的同時(shí)，安全性也得到進(jìn)一步提升，通常，一旦發(fā)生短路，即具有電路誤動(dòng)作、流過超出設(shè)計(jì)值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來，因性能與短路之間的制約關(guān)系，確保超強(qiáng)的短路耐受能力是非常困難的，而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì)，對(duì)熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進(jìn)行了優(yōu)化，可確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)所必須的短路耐受能力，有助于提高應(yīng)用的可靠性。

　　自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，高邊主開關(guān)一旦導(dǎo)通，則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加，電壓被柵極感應(yīng)，柵極電壓上升，MOSFET誤動(dòng)作。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容，可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi)。

　　此次開發(fā)的“R60xxMNx系列”作為ROHM MOSFET產(chǎn)品序列中的高速Trr產(chǎn)品家族，通過優(yōu)化ROHM獨(dú)有的芯片結(jié)構(gòu)，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上，還成功地使Ron和Qg顯著降低。由此，在變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，輕負(fù)載時(shí)的功率損耗與以往的IGBT相比，降低約56%，節(jié)能效果非常明顯。

　　不僅如此，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì)，還實(shí)現(xiàn)了超強(qiáng)的短路耐受能力，減輕了因電路誤動(dòng)作等導(dǎo)致的異常發(fā)熱帶來的破壞風(fēng)險(xiǎn)，有助于提高應(yīng)用的可靠性。