5G重塑RF技術(shù)演進，Qorvo蓄勢待發(fā)

　　射頻功率組件市場將迎來一新波成長潮。 市場研究機構(gòu)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計，未來5年5G通訊基礎(chǔ)建設(shè)對基站需求的增長，將為RF功率組件市場注入新的成長動能;預(yù)估2016~2022年全球RF功率組件市場產(chǎn)值，將由15億美元攀升至25億美元，年復(fù)合成長率可達9.8%。

　　新的無線網(wǎng)絡(luò)將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會為芯片供應(yīng)商帶來巨大的商機，尤其是RF功率半導(dǎo)體銷售商。預(yù)計包括基站和無線回程在內(nèi)的電信基礎(chǔ)設(shè)施市場，將占據(jù)整體市場的半壁江山。2016~2022年期間，基站市場預(yù)計將以12.5%的復(fù)合年增長率持續(xù)快速增長，而電信回程市場的復(fù)合年增長率預(yù)計將為5.3%。

　　Yole預(yù)估在未來的幾年間，隨著電信基站升級和smallcell小型基站需求的增長，市場將會強勁增長。2016年至2022年底，整體市場收入可能會上漲75%，在此期間復(fù)合增長率達到9.8%，市場規(guī)模從2016年的15億美元到2022年的25億美元。今日，市場正在跨過4G網(wǎng)絡(luò)建置完成的門檻，然后開始向5G轉(zhuǎn)型。當(dāng)然，過程中還有很多待解決和建置的部分。然而，新的無線射頻網(wǎng)絡(luò)將需要更多的裝置設(shè)備和更高的頻率這兩點是無庸置疑的。芯片供應(yīng)商，特別是RF功率半導(dǎo)體廠商，將因此擁有巨大的發(fā)展機會。

　　與此同時，伴隨著採用GaAs和GaN的固態(tài)技術(shù)取代舊式真空管設(shè)計的趨勢，國防方面的應(yīng)用也為射頻功率裝置提供了絕佳的機會。這些新技術(shù)因應(yīng)各種使用情境，提供了更好的性能、減小的尺寸和可靠度。有鑑于此，它們的所佔的市場份額逐漸增加。到2022年，該市場區(qū)隔的收入將增長20%左右，而2016年至2022年的年均複合增長率為4.3%。

　　Yole的技術(shù)和市場分析師ZhenZong表示：“在接下來的5年，5G時代將逐步實現(xiàn)，如此的革命性轉(zhuǎn)型將重塑RF技術(shù)發(fā)展的局勢。”不僅對智能手機應(yīng)用來說如此，3瓦以上的RF電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用和5G相關(guān)技術(shù)，將為RF功率市場中的化合物半導(dǎo)體提供相當(dāng)可觀的商機。預(yù)計GaN將于未來5~10年成為3W以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)，GaAs基于其穩(wěn)定性與不錯的性價比，也得以維持一定比重;至于LDMOS部分則將繼續(xù)衰退，市場規(guī)模跌至整體15%，然考慮到其高成熟性與低成本等，短期內(nèi)在RF功率市場仍不至面臨淘汰。

　　RF功率組件廠商潛力無限，Qorvo蓄勢待發(fā)

　　伴隨RF功率組件發(fā)展趨勢日漸明朗，各家大廠開始有所動作、搶爭新一代科技的主導(dǎo)權(quán)：主流LDMOS供貨商包括恩智浦(NXP)、Ampleon、英飛凌(Infineon)等，正嘗試通過外部代工獲取GaN技術(shù);傳統(tǒng)GaAs廠商亦紛紛開始著重投資在此，少部分已成功將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進GaN、在市場拔得頭籌;至于純GaN供貨商如科銳(Cree)旗下的Wolfspeed，一方面為LDMOS大廠供應(yīng)相關(guān)組件、壯大市場，一方面則努力確保自身在GaN技術(shù)發(fā)展的領(lǐng)先地位。

　　Yole指出，待GaN組件成為主流，掌握GaN市場的廠商將取代LDMOS主力廠商，成為RF功率市場領(lǐng)導(dǎo)者?，F(xiàn)階段除Wolfspeed，該領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)廠商幾乎都是由GaAs廠商轉(zhuǎn)進。 就近期包括Infineon收購Wolfspeed受阻于美國政府、和康電訊(M/A-COM)與Infineon間的訴訟等相關(guān)事件來看，該領(lǐng)域的競爭似乎也日趨白熱化。而在背后還隱藏著一哥射頻大玩家——Qorvo。2015年，射頻前端模組領(lǐng)域兩大廠商Triquint和RFMD合并成了今天的Qorvo，成就了今天FEM市場的領(lǐng)跑者之一。

　　作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo 預(yù)測， 8GHz 以下砷化鎵仍是主流， 8GHz 以上氮化鎵替代趨勢明顯。砷化 鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、能耗低、適合高頻率、支持寬帶寬等特點，包括Qorvo在內(nèi)的幾個業(yè)界先驅(qū)已經(jīng)在GaN上投入了巨額資金研究。Qorvo認為GaN具有高功率密度、寬頻性能、高功率處理、輸入功率穩(wěn)定、減少零件尺寸和數(shù)量等特點，讓其受到功率放大器和無線基礎(chǔ)設(shè)施等市場的青睞。Qorvo將利用其在毫米波和GaN on Sic技術(shù)上的專業(yè)知識, 全面助力網(wǎng)絡(luò)設(shè)備服務(wù)提供商5G進程的實現(xiàn)。

　　Qorvo在5G相關(guān)領(lǐng)域也積累了許多核心技術(shù)。從 LowDrift™ 和 NoDrift™ 濾波技術(shù)和天線調(diào)諧到 RF Fusion™ 和RF Flex™ 射頻前端解決方案，再到更加基礎(chǔ)的GaN技術(shù)，Qorvo提供了行業(yè)領(lǐng)先的核心架構(gòu)，濾波器和開關(guān)產(chǎn)品。此外Qorvo還與運營商和標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)合作，讓5G理想變?yōu)楝F(xiàn)實。

　　目前Qorvo有兩條重要的產(chǎn)品線：移動設(shè)備產(chǎn)品線、 基礎(chǔ)設(shè)施(MP)和國防產(chǎn)品線 (Infrastructure and Defense Product, IDP)，這兩個產(chǎn)品線分別針對不同的市場，并在先進技術(shù)研發(fā)方面存在互補關(guān)系。產(chǎn)品種類已經(jīng)全面覆蓋使用多種工藝(GaN，GaAs等)實現(xiàn)的功放，收發(fā)機，LNA，射頻開關(guān)，以及BAW和SAW濾波器。每一個產(chǎn)品種類下都有豐富的產(chǎn)品型號，并在射頻鏈路中占據(jù)重要地位。除了有先進的技術(shù)研發(fā)外，Qorvo還擁有獨立的封裝廠和制造廠，有利于控制成本和穩(wěn)定質(zhì)量，加快高集成度產(chǎn)品的研發(fā)進度。