<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 手機與無線通信 > 業(yè)界動態(tài) > 5G重塑RF技術演進,Qorvo蓄勢待發(fā)

          5G重塑RF技術演進,Qorvo蓄勢待發(fā)

          作者: 時間:2017-08-03 來源:集微網(wǎng) 收藏

            射頻功率組件市場將迎來一新波成長潮。 市場研究機構(gòu)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計,未來5年通訊基礎建設對基站需求的增長,將為RF功率組件市場注入新的成長動能;預估2016~2022年全球RF功率組件市場產(chǎn)值,將由15億美元攀升至25億美元,年復合成長率可達9.8%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201708/362545.htm

            新的無線網(wǎng)絡將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會為芯片供應商帶來巨大的商機,尤其是RF功率半導體銷售商。預計包括基站和無線回程在內(nèi)的電信基礎設施市場,將占據(jù)整體市場的半壁江山。2016~2022年期間,基站市場預計將以12.5%的復合年增長率持續(xù)快速增長,而電信回程市場的復合年增長率預計將為5.3%。

            Yole預估在未來的幾年間,隨著電信基站升級和smallcell小型基站需求的增長,市場將會強勁增長。2016年至2022年底,整體市場收入可能會上漲75%,在此期間復合增長率達到9.8%,市場規(guī)模從2016年的15億美元到2022年的25億美元。今日,市場正在跨過4G網(wǎng)絡建置完成的門檻,然后開始向轉(zhuǎn)型。當然,過程中還有很多待解決和建置的部分。然而,新的無線射頻網(wǎng)絡將需要更多的裝置設備和更高的頻率這兩點是無庸置疑的。芯片供應商,特別是RF功率半導體廠商,將因此擁有巨大的發(fā)展機會。

            與此同時,伴隨著採用GaAs和GaN的固態(tài)技術取代舊式真空管設計的趨勢,國防方面的應用也為射頻功率裝置提供了絕佳的機會。這些新技術因應各種使用情境,提供了更好的性能、減小的尺寸和可靠度。有鑑于此,它們的所佔的市場份額逐漸增加。到2022年,該市場區(qū)隔的收入將增長20%左右,而2016年至2022年的年均複合增長率為4.3%。

            Yole的技術和市場分析師ZhenZong表示:“在接下來的5年,時代將逐步實現(xiàn),如此的革命性轉(zhuǎn)型將重塑RF技術發(fā)展的局勢。”不僅對智能手機應用來說如此,3瓦以上的RF電信基礎設施應用和5G相關技術,將為RF功率市場中的化合物半導體提供相當可觀的商機。預計GaN將于未來5~10年成為3W以上RF功率應用的主流技術,GaAs基于其穩(wěn)定性與不錯的性價比,也得以維持一定比重;至于LDMOS部分則將繼續(xù)衰退,市場規(guī)模跌至整體15%,然考慮到其高成熟性與低成本等,短期內(nèi)在RF功率市場仍不至面臨淘汰。

            RF功率組件廠商潛力無限,蓄勢待發(fā)

            伴隨RF功率組件發(fā)展趨勢日漸明朗,各家大廠開始有所動作、搶爭新一代科技的主導權:主流LDMOS供貨商包括恩智浦(NXP)、Ampleon、英飛凌(Infineon)等,正嘗試通過外部代工獲取GaN技術;傳統(tǒng)GaAs廠商亦紛紛開始著重投資在此,少部分已成功將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進GaN、在市場拔得頭籌;至于純GaN供貨商如科銳(Cree)旗下的Wolfspeed,一方面為LDMOS大廠供應相關組件、壯大市場,一方面則努力確保自身在GaN技術發(fā)展的領先地位。

            Yole指出,待GaN組件成為主流,掌握GaN市場的廠商將取代LDMOS主力廠商,成為RF功率市場領導者?,F(xiàn)階段除Wolfspeed,該領域領導廠商幾乎都是由GaAs廠商轉(zhuǎn)進。 就近期包括Infineon收購Wolfspeed受阻于美國政府、和康電訊(M/A-COM)與Infineon間的訴訟等相關事件來看,該領域的競爭似乎也日趨白熱化。而在背后還隱藏著一哥射頻大玩家——。2015年,射頻前端模組領域兩大廠商Triquint和RFMD合并成了今天的,成就了今天FEM市場的領跑者之一。

            作為射頻領域的專家,Qorvo 預測, 8GHz 以下砷化鎵仍是主流, 8GHz 以上氮化鎵替代趨勢明顯。砷化 鎵作為一種寬禁帶半導體,可承受更高工作電壓,意味著其功率密度及可工作溫度更高,因而具有高功率密度、能耗低、適合高頻率、支持寬帶寬等特點,包括Qorvo在內(nèi)的幾個業(yè)界先驅(qū)已經(jīng)在GaN上投入了巨額資金研究。Qorvo認為GaN具有高功率密度、寬頻性能、高功率處理、輸入功率穩(wěn)定、減少零件尺寸和數(shù)量等特點,讓其受到功率放大器和無線基礎設施等市場的青睞。Qorvo將利用其在毫米波和GaN on Sic技術上的專業(yè)知識, 全面助力網(wǎng)絡設備服務提供商5G進程的實現(xiàn)。

            Qorvo在5G相關領域也積累了許多核心技術。從 LowDrift™ 和 NoDrift™ 濾波技術和天線調(diào)諧到 RF Fusion™ 和RF Flex™ 射頻前端解決方案,再到更加基礎的GaN技術,Qorvo提供了行業(yè)領先的核心架構(gòu),濾波器和開關產(chǎn)品。此外Qorvo還與運營商和標準機構(gòu)合作,讓5G理想變?yōu)楝F(xiàn)實。

            目前Qorvo有兩條重要的產(chǎn)品線:移動設備產(chǎn)品線、 基礎設施(MP)和國防產(chǎn)品線 (Infrastructure and Defense Product, IDP),這兩個產(chǎn)品線分別針對不同的市場,并在先進技術研發(fā)方面存在互補關系。產(chǎn)品種類已經(jīng)全面覆蓋使用多種工藝(GaN,GaAs等)實現(xiàn)的功放,收發(fā)機,LNA,射頻開關,以及BAW和SAW濾波器。每一個產(chǎn)品種類下都有豐富的產(chǎn)品型號,并在射頻鏈路中占據(jù)重要地位。除了有先進的技術研發(fā)外,Qorvo還擁有獨立的封裝廠和制造廠,有利于控制成本和穩(wěn)定質(zhì)量,加快高集成度產(chǎn)品的研發(fā)進度。



          關鍵詞: 5G Qorvo

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();