國內(nèi)存儲器市場分析 該如何走存儲器國產(chǎn)化道路？

　　在市場競爭格局方面，國內(nèi)市場一直面臨著被三星、SK海力士、美光、東芝等國際存儲器巨頭所壟斷的局面，雖然國內(nèi)政府與企業(yè)不斷加大對存儲器產(chǎn)品設計和制造領域的重視程度，但是由于國內(nèi)技術的限制，國內(nèi)存儲器的發(fā)展一直比較緩慢。

　　目前，存儲器市場最大的兩種產(chǎn)品種類是DRAM 和 NAND Flash。 DRAM 全球市場規(guī)模約 410 億美元，三星、SK海力士、美光、東芝等國際存儲器巨頭壟斷95%以上的市場。NAND Flash 受益于智能手機和 SSD 的興起而達到300 億美元左右，幾乎全部被三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光等企業(yè)壟斷，市占率約為 99%。由于存儲器生產(chǎn)具備嚴格的工藝要求和規(guī)模效應，以及該行業(yè)典型的周期性，持續(xù)的資金投入是存儲器企業(yè)渡過虧損期的重要保證。

　　然而，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模近 2000 億元，占整個半導體市場規(guī)模的27%，晶圓產(chǎn)能和資本支出占比近 1/3，但是我國存儲器幾乎完全依賴進口供給，存儲器已經(jīng)成為我國半導體產(chǎn)業(yè)受國外制約最嚴重的產(chǎn)品之一， 存儲器國產(chǎn)化也成為了我國半導體發(fā)展戰(zhàn)略中的重要一步。

　　對于國內(nèi)市場發(fā)展的現(xiàn)狀，國內(nèi)的集成電路企業(yè)也采取了一系列措施，如并購，合作與合資以及自主研發(fā)等，但對于并購，國外也相應的采取防堵措施，這條路似乎走不通，由于中國在存儲器方面起步較晚，目前一些中小型企業(yè)都采取合作與合資的做法，但是中國如何在這個過程中從學生轉變?yōu)槔蠋熓且粋€問題。從目前的態(tài)勢走自主研發(fā)道路的風險要更大些，因此要集中國內(nèi)的最頂級人材，也可學習臺積電的“夜鶯部隊“方式，爭取更多的時間去努力攻克它，但是相信只有通過自主研發(fā)的成果才是屬于自己的。