背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲(chǔ)DRAM實(shí)力能否殺出重圍？

　　在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬(wàn)片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線一期項(xiàng)目開(kāi)工儀式。

　　據(jù)資料顯示，晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)項(xiàng)目由福建省電子信息集團(tuán)和泉州、晉江兩級(jí)政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預(yù)計(jì)于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國(guó)家重點(diǎn)支持的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，晉華項(xiàng)目已納入國(guó)家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項(xiàng)目清單，并獲得首筆30億元國(guó)家專項(xiàng)建設(shè)基金支持。

　　此項(xiàng)目堪稱晉江所有重點(diǎn)在建項(xiàng)目中的“巨無(wú)霸”，而這背后所采用的技術(shù)則是臺(tái)灣地區(qū)第二大代工廠聯(lián)電(UMC)的。在莫大康的《晉華存儲(chǔ)器項(xiàng)目異軍突起》一文中，筆者了解到幾大細(xì)節(jié)：

　　1，聯(lián)電接受晉華委托開(kāi)發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)，技術(shù)主要應(yīng)用在利基型 DRAM 的生產(chǎn)(開(kāi)初是32納米制程，之后技術(shù)逐步升級(jí))由晉華提供設(shè)備與資金，并支付聯(lián)電技術(shù)報(bào)酬金做為開(kāi)發(fā)費(fèi)用，而最終開(kāi)發(fā)成果由雙方共同擁有。

　　2，聯(lián)電已經(jīng)在南科廠組建超過(guò)100人的團(tuán)隊(duì)，投入 DRAM 相關(guān)制程，設(shè)立小型生產(chǎn)線進(jìn)行試產(chǎn)。整個(gè)專案由前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電副總經(jīng)理陳正坤所領(lǐng)軍。

　　3，第一期月產(chǎn)12英寸60，000片，投資370億元，于2018年9月達(dá)產(chǎn)，預(yù)計(jì)年銷售額12億美元。而項(xiàng)目的二期工程將在五年內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)至月產(chǎn)120，000片規(guī)模。

　　由于DRAM，包括利基型DRAM的設(shè)計(jì)相對(duì)并不復(fù)雜，只要購(gòu)買先進(jìn)制程設(shè)備，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)該不是什么問(wèn)題。

　　頭頂臺(tái)灣第二大代工廠的聯(lián)電能否擔(dān)此重任?

　　聯(lián)電有什么?

　　聯(lián)電是臺(tái)灣第一家半導(dǎo)體制造企業(yè)，于1980年成立，老對(duì)手臺(tái)積電卻比聯(lián)電遲了7年于1987年在臺(tái)灣成立，聯(lián)電也是臺(tái)灣第一家上市的半導(dǎo)體公司(1985年)。早成立七年的聯(lián)電卻并沒(méi)有臺(tái)積電的成就，臺(tái)積電用采取半導(dǎo)體代工模式迅速超過(guò)聯(lián)電。

　　1995年聯(lián)電也轉(zhuǎn)變成為半導(dǎo)體代工模式與臺(tái)積電全面競(jìng)爭(zhēng)，不過(guò)已經(jīng)無(wú)法改變戰(zhàn)局，雙方的差距越拉越遠(yuǎn)。2004年臺(tái)積電營(yíng)收2559億元新臺(tái)幣，占全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的份額46%;聯(lián)電營(yíng)收1173億元新臺(tái)幣，占全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的份額23%，無(wú)論營(yíng)收還是市場(chǎng)份額聯(lián)電都只有臺(tái)積電的一半。

　　被臺(tái)積電拉開(kāi)差距這件事還得追溯到2003年，臺(tái)積電0.13微米自主工藝技術(shù)驚艷亮相，而聯(lián)電則因?yàn)闆Q策性失誤，在該制程上選擇與IBM合作開(kāi)發(fā)，最終臺(tái)積電獲得了勝利，這一節(jié)點(diǎn)成為了二者競(jìng)爭(zhēng)的分水嶺。此后，臺(tái)積電一路躍升為晶圓代工的霸主，而聯(lián)電業(yè)績(jī)平平開(kāi)始掉隊(duì)，此后的事情無(wú)需贅述，二者在這場(chǎng)競(jìng)賽中的走勢(shì)一直延續(xù)至今。

　　上圖為2016年全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收排名，取得探花地位的聯(lián)電，2016 年的銷售額達(dá) 45.8 億美元，雖金額年增長(zhǎng) 3%，但市占率卻下滑 1 個(gè)百分點(diǎn)，來(lái)到 9% 的市占率。聯(lián)電 2016 年?duì)I收成長(zhǎng)，主要受惠于 28 納米制程制程訂單滿載，進(jìn)而降低了淡季帶來(lái)的壓力。再加上聯(lián)電位于中國(guó)廈門的 Fab 12 寸晶圓廠成功量產(chǎn)，推動(dòng)了聯(lián)電 2016 年度營(yíng)收表現(xiàn)。

　　聯(lián)電在國(guó)內(nèi)的布局早有動(dòng)作，早在2001年開(kāi)始進(jìn)軍中國(guó)大陸市場(chǎng)借道設(shè)立和艦希望借助大陸這個(gè)極具潛力的市場(chǎng)改變格局，花了16年時(shí)間完全收購(gòu)了和艦的股份。

　　除此之外，2014年底聯(lián)電再次進(jìn)軍大陸，宣布在廈門建設(shè)更先進(jìn)的12寸半導(dǎo)體工廠(和艦科技是8寸半導(dǎo)體工廠)，經(jīng)過(guò)兩年時(shí)間的緊急建設(shè)到今年11月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，不過(guò)并沒(méi)能如其預(yù)期的投產(chǎn)28nm工藝而是40nm工藝。

　　根據(jù)最新消息， 聯(lián)電的先進(jìn)制程技術(shù)已達(dá)14nm，廈門聯(lián)芯也已被批準(zhǔn)切入28納米，聯(lián)電財(cái)務(wù)長(zhǎng)劉啟東指出，14納米制程已在近期量產(chǎn)出貨，預(yù)計(jì)今年會(huì)帶來(lái)不少的營(yíng)收貢獻(xiàn)。

　　殺出重圍

　　目前，全球DRAM絕大部分市場(chǎng)份額掌握在三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)手中，總占比約97%。

　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的市場(chǎng)觀察，三星電子、SK海力士和美光科技等三大DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)廠商的服務(wù)器DRAM營(yíng)收在第二季環(huán)比增長(zhǎng)30%，因DRAM晶片供應(yīng)緊張繼續(xù)提升平均售價(jià)。該公司預(yù)計(jì)，在2017年剩余時(shí)間里，服務(wù)器DRAM供應(yīng)將保持緊張。

　　有業(yè)內(nèi)人士分析表示缺貨是DRAM資本減持和新制程轉(zhuǎn)進(jìn)良率不高兩大原因造成。

　　在技術(shù)方面，三星DRAM從20納米級(jí)制程(28-25-20)，轉(zhuǎn)進(jìn)1x納米制程。外媒報(bào)道，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對(duì)手1~2年，2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM，計(jì)劃今年下半年推進(jìn)至15納米。與此同時(shí)，SK海力士也準(zhǔn)備在今年下半年量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動(dòng)設(shè)備用的18納米DRAM。

　　雖說(shuō)聯(lián)電目前已在南科廠籌組數(shù)百人團(tuán)隊(duì)，開(kāi)始投入DRAM相關(guān)制程技術(shù)開(kāi)發(fā)，不過(guò)初步規(guī)劃將從32nm制程切入，可以說(shuō)在技術(shù)起步上還落后很多。再者，存儲(chǔ)器的發(fā)展并非一朝一夕，嚴(yán)格的生產(chǎn)線管理，提高成品率及控制產(chǎn)品的最低成本顯得至關(guān)重要。作為“新進(jìn)者”，晉華存儲(chǔ)還得從長(zhǎng)計(jì)議。

　　不管怎么說(shuō)，晉華的存儲(chǔ)項(xiàng)目已經(jīng)起航，目前晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開(kāi)發(fā)”重大技術(shù)合同通過(guò)評(píng)審，合同成交總金額達(dá)7億美元，其中技術(shù)交易額4億美元，折合人民幣26.0984億元，是目前國(guó)內(nèi)經(jīng)評(píng)審認(rèn)定最大金額的單項(xiàng)技術(shù)合同。作為國(guó)家重點(diǎn)支持項(xiàng)目，這一艘戰(zhàn)艦未來(lái)能承載多少希望，我們還是拭目以待。