俄專家發(fā)明單分子厚度微電路

　　據(jù)俄羅斯《消息報(bào)》報(bào)道，俄專家成功找到具有指定特性的二維半導(dǎo)體的制造方法，使將來制造微型電子設(shè)備成為可能。

　　俄羅斯科學(xué)院生化物理研究所首席研究員列昂尼德·切爾諾扎通斯基稱，盡管現(xiàn)在談微型電子設(shè)備的投產(chǎn)還為時(shí)尚早，但這一發(fā)現(xiàn)具有全球意義。

　　以德米特里·戈利貝格教授為首的研究小組與日本國立材料研究所、中國北京交通大學(xué)和澳大利亞昆士蘭科技大學(xué)的專家共同開展了相關(guān)研究。研究結(jié)果發(fā)布在《先進(jìn)材料》(AdvancedMaterials)科學(xué)雜志上。

　　半導(dǎo)體材料是在氮化硼基礎(chǔ)上制造而成，氮化硼可通過改變氧濃度而改變禁帶寬度。向氮化蹦不同部位添加不等量的氧，可在板上“畫出”所需微電路。專家稱，該發(fā)現(xiàn)使這種材料在不同科技領(lǐng)域的使用成為可能，特別光伏和光電子學(xué)領(lǐng)域。

　　俄羅斯專家的這一發(fā)現(xiàn)有助于制造出比現(xiàn)有服務(wù)器小千倍的服務(wù)器，而且與現(xiàn)有服務(wù)器相比，不僅體積不同，能耗也不同，借此可實(shí)現(xiàn)蓄能裝置的微型化。