存儲(chǔ)器“漲”勢(shì)不停 中國(guó)有望填補(bǔ)產(chǎn)能缺口

　　據(jù)報(bào)道，東芝集團(tuán)就存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)出售事宜已與西部數(shù)據(jù)在內(nèi)的聯(lián)盟達(dá)成協(xié)議，雙方將于月底簽約，沸沸揚(yáng)揚(yáng)了大半年的出售案終于塵埃落定。今年以來(lái)，東芝存儲(chǔ)器延期供貨及美光臺(tái)灣晶圓廠液氮泄露等一系列事件，導(dǎo)致了存儲(chǔ)器市場(chǎng)缺貨不斷一片“漲”勢(shì)。

缺貨之勢(shì)來(lái)勢(shì)洶洶

　　2017年第二季度半導(dǎo)體行業(yè)各大廠商財(cái)報(bào)已先后出爐，其中三星電子營(yíng)收為554.1億美元位居第一，同比增長(zhǎng)率為19%。對(duì)此三星表示，第二季度營(yíng)收主要來(lái)源于市場(chǎng)對(duì)DRAM和SSD存儲(chǔ)芯片的需求。SK海力士營(yíng)收同比增長(zhǎng)74.3%，穩(wěn)居增長(zhǎng)率第一，公司也表示DRAM芯片正是“始作俑者”。

　　四年前，一把火燒掉了SK海力士無(wú)錫工廠，造成PC DRAM、內(nèi)存、SSD以及整條產(chǎn)業(yè)鏈漲價(jià)，那次大火影響了整個(gè)市場(chǎng)三年之久。如今三年已去，市場(chǎng)還未完全恢復(fù)，美光氮?dú)庑孤┦录陌l(fā)生或令存儲(chǔ)器市場(chǎng)雪上加霜。

　　7月6日，臺(tái)灣地區(qū)美光晶圓科技工廠因氮?dú)庀到y(tǒng)發(fā)生意外，造成超過(guò)半數(shù)以上晶圓報(bào)廢，估計(jì)報(bào)廢大約在6萬(wàn)片左右。事后，經(jīng)美光調(diào)查澄清，廠內(nèi)確實(shí)出現(xiàn)氮?dú)庀到y(tǒng)問(wèn)題，但已解決。對(duì)此，有觀點(diǎn)稱(chēng)該事件將影響全球DRAM市場(chǎng)5.5%的份額，同時(shí)市場(chǎng)也將隨之急劇變化。

　　此外，東芝之事也加速了缺貨之勢(shì)，由于東芝存儲(chǔ)器一直尋找合作商，導(dǎo)致旗下產(chǎn)品也處于延期供貨狀態(tài)。

　　據(jù)業(yè)者預(yù)測(cè)，美光受損產(chǎn)線恢復(fù)生產(chǎn)將需要三個(gè)月時(shí)間，而東芝存儲(chǔ)器恢復(fù)正常供貨狀態(tài)也需要交易完成之后，所以未來(lái)半年存儲(chǔ)器市場(chǎng)仍會(huì)處于缺貨狀態(tài)。

　　產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)不穩(wěn)

　　存儲(chǔ)器作為智能手機(jī)，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無(wú)貨可用的尷尬。加之下半年又是終端產(chǎn)品上市的高峰期，對(duì)于核心元器件的需求將會(huì)更加凸顯?？梢灶A(yù)見(jiàn)的到，具有話語(yǔ)權(quán)的行業(yè)代表企業(yè)將首先獲得產(chǎn)能配額，小品牌可能面臨產(chǎn)品延期的窘境。

　　據(jù)業(yè)者預(yù)測(cè)，此次存儲(chǔ)器市場(chǎng)“漲”勢(shì)將持續(xù)至2019年，未來(lái)一兩年內(nèi)勢(shì)必有部分廠商順勢(shì)而起，加大對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的投產(chǎn)，市場(chǎng)也會(huì)逐漸隨之恢復(fù)常態(tài)。

　　中國(guó)產(chǎn)能即將釋放

　　全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)風(fēng)云變幻，中國(guó)作為終端產(chǎn)品消費(fèi)大國(guó)，自然也免不了遭受影響。為此，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器相關(guān)企業(yè)動(dòng)作頻頻，在外部供應(yīng)不足的情況下，積極加大投資或釋放產(chǎn)能，以期填補(bǔ)供應(yīng)鏈缺口，進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

　　前不久，紫光宣布投資300億美元在南京建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，主要生產(chǎn)NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等。據(jù)了解，這個(gè)工廠建成后將是迄今為止中國(guó)規(guī)模最大的芯片制造廠，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)10萬(wàn)片。

　　今年年初，中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)芯片，此類(lèi)芯片密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫(xiě)入速度快1000倍，且性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于DRAM。由此可見(jiàn)，中芯國(guó)際對(duì)于存儲(chǔ)器市場(chǎng)早已勢(shì)在必得。

　　與此同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫等企業(yè)也不甘示弱，紛紛緊鑼密鼓地建設(shè)存儲(chǔ)器芯片廠，預(yù)計(jì)最快的明年便能投產(chǎn)。

　　作為消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)核心元器件，存儲(chǔ)芯片受制于人并不是長(zhǎng)久之計(jì)。市場(chǎng)上，存儲(chǔ)器產(chǎn)品的供不應(yīng)求也為國(guó)產(chǎn)化提供了契機(jī)，企業(yè)應(yīng)該抓住機(jī)遇實(shí)現(xiàn)自主化生產(chǎn)，從而擺脫進(jìn)口的依賴(lài)，提升競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。