聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能

　　中國臺灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時間預(yù)計3年的情況下，則新廠2020年將可進入投產(chǎn)。

　　華邦電為臺灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片，2017年年底將擴增至4.8萬片，2018年底則擴增到5.3萬片。未來，最大的擴充能量到5.5萬片時就已經(jīng)將當(dāng)前臺中廠的剩余空間給全部用光。

　　因此，面對未來的營運成長，興建新廠成為不得不做的準備。在相關(guān)人員查看過南科路竹基地的土地之后，希望可以取得25公頃規(guī)模來建廠，于是華邦電在2017年6月底向經(jīng)濟部補件遞交計劃書，現(xiàn)在終于獲得相關(guān)單位的同意。

　　華邦電表示，目前公司正致力于轉(zhuǎn)型為利基型存儲器解決方案供應(yīng)商，近年持續(xù)穩(wěn)定獲利，轉(zhuǎn)型效益顯著。華邦電在營運成長之際，隨著物聯(lián)網(wǎng)等未來趨勢之新興需求不斷崛起，尋求下一階段成契長機，秉持重視臺灣在地投資的理念，向園區(qū)提出投資設(shè)立新廠案，希望進一步深耕臺灣產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　未來將依董事會通過時程公告建廠及產(chǎn)能規(guī)劃相關(guān)事宜，亦密切觀察市場動態(tài)與供需情況，以穩(wěn)健腳步審視產(chǎn)能配置，期以充沛產(chǎn)能滿足客戶需求。

　　之前華邦電董事長焦佑鈞曾經(jīng)表示，關(guān)于新建廠的計劃，原本一點也不急。不料，當(dāng)前臺中12寸廠產(chǎn)能在市況好的情況下，很短的時間內(nèi)就擴產(chǎn)完畢，而且還不敷使用。再加上因為缺工的因素下，新建廠從動工到試產(chǎn)要花3年的時間，光是土建就要花上20個月。所以，最快必須在當(dāng)下就決定落腳處，不然時間將會來不及。

　　而根據(jù)《科技新報》獨家掌握到的消息指出，未來華邦電南科新廠的產(chǎn)能將規(guī)劃為每月達4萬片，以因應(yīng)目前市場上的需求。而且，近期華邦電就將在董事會上通過該項投資的各項內(nèi)容，另外預(yù)計還進行特定對象的私募增資計劃。據(jù)了解，該私募計劃已經(jīng)獲得國際性半導(dǎo)體大廠的青睞，預(yù)計屆時將參與該項華邦電的私募。

　　未來，由于有該國際性半導(dǎo)體大廠的加入，使得華邦電的產(chǎn)品有了穩(wěn)定的出海口之后，可能會進一步驅(qū)動縮短建廠的時程。據(jù)了解，如果一切順利，未來期望藉由新廠的土建時期，就逐步先行導(dǎo)入生產(chǎn)設(shè)備，并先利用臺中廠的有限空間，再逐漸將部分設(shè)備安裝到位。之后，隨著新廠完成興建，再將設(shè)備陸續(xù)搬遷至新廠中，以期能縮短其中所必須消耗的測試時間，希望能提早產(chǎn)品進入市場的時間。

　　至于新廠制程計劃，主要是為了因應(yīng)2020年之后需求，生產(chǎn)線將以20納米世代制程DRAM為主體，也可望建置3x納米NAND/NORFlash產(chǎn)能。

　　華邦電總經(jīng)理詹東義日前指出，臺中廠產(chǎn)能不足且Flash需求強勁，DRAM及Flash的生產(chǎn)設(shè)備不同，今年擴產(chǎn)都以Flash為主，目前臺中廠DRAM制程已可支援3x/2x納米，但投資金額很大，反而是擴充Flash產(chǎn)能的投資效益較好，臺中廠的擴產(chǎn)以投資報酬率(ROI)最大化為主軸。但長期來看，華邦電需要興建新晶圓廠，DRAM產(chǎn)能限制才能移除。

　　華邦電的DRAM制程下半年將開始導(dǎo)入38納米，低容量NANDFlash目前采用46納米生產(chǎn)1～2Gb容量芯片，后續(xù)進行制程微縮后可望進入32納米世代，至于NORFlash制程以46/58納米為主。設(shè)備業(yè)者預(yù)期，華邦電新廠應(yīng)可在2020年進入量產(chǎn)，以制程推進來看，新廠將會以20納米世代制程DRAM產(chǎn)線為主軸，NAND/NORFlash則會建置3x納米產(chǎn)能，后續(xù)再視情況建置2x納米生產(chǎn)線。