國家存儲器基地一期提前封頂 年產值可達100億美元
9月28日消息,由紫光集團聯合國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北省集成電路產業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房,實現提前封頂。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201709/364987.htm趙偉國表示,存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業(yè)規(guī)?;l(fā)展“零”的突破,相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航。該項目實現提前封頂,這是為不辱使命、堅定不移推進國家戰(zhàn)略所必須要做到的??陀^地說,我們在核心技術和產品結構上仍然與世界一流水平存在差距,實現追趕超越的目標絕非一朝一夕,需要堅定的戰(zhàn)略定力和耐力,以及矢志不渝的長期投入;而另一方面,從現在開始到未來的5-10年,也正是中國集成電路產業(yè)發(fā)展的最佳窗口期。既然選擇了存儲芯片作為切入點和突破口,紫光集團和長江存儲就一定要抓住機遇,直面挑戰(zhàn),知難而上,通過超常規(guī)的投入縮短發(fā)展周期,迅速登上全球存儲行業(yè)的競爭舞臺。
據悉,國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城,項目一期規(guī)劃投資240億美元,占地面積1968畝,于2016年12月30日正式開工建設,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產廠房,其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。
此次提前封頂的項目(一期)一號生產及動力廠房建筑面積達52.4萬㎡,預計將于2018年投入使用。項目(一期)達產后,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。
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