電流中的同步整流是什么意思?同步整流的意義是什么?半波全波橋式整流電路特點(diǎn)都是什么?
同步整流工作原理:
從同步整流原理圖中可以看出,整流管VT3和續(xù)流管VT2的驅(qū)動(dòng)電壓從變壓器的副邊繞組取出,加在MOS管的柵G和漏D之間,如果在獨(dú)立的電路中MOS管這樣應(yīng)用不能完全開(kāi)通,損耗很大,但用在同步整流時(shí)是可行的簡(jiǎn)化方案。由于這兩個(gè)管子開(kāi)關(guān)狀態(tài)互瑣,一個(gè)管子開(kāi),另一個(gè)管子關(guān),所以我們只簡(jiǎn)要分析電感電流連續(xù)時(shí)的開(kāi)通情況,我們知道MOS管具有體內(nèi)寄生的反并聯(lián)二極管,這樣電感電流連續(xù)應(yīng)用時(shí),MOS管在真正開(kāi)通之前并聯(lián)的二極管已經(jīng)開(kāi)通,把源S和漏D相對(duì)柵的電平保持一致,加在GD之間的電壓等同于加在GS之間的電壓,這樣變壓器副邊繞組同銘端為正時(shí),整流管VT3的柵漏電壓為正,整流管零壓開(kāi)通,當(dāng)變壓器副邊繞組為負(fù)時(shí),續(xù)流管VT2開(kāi)通,濾波電感續(xù)流。柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱(chēng)之為同步整流。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201710/365324.htm同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專(zhuān)用功率MOSFET,來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
同步整流的基本電路結(jié)構(gòu):
功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線(xiàn)性關(guān)系。用功率MOSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱(chēng)之為同步整流。
為什么要應(yīng)用同步整流技術(shù):
電子技術(shù)的發(fā)展,使得電路的工作電壓越來(lái)越低、電流越來(lái)越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗,但也給電源設(shè)計(jì)提出了新的難題。
開(kāi)關(guān)電源的損耗主要由3部分組成:功率開(kāi)關(guān)管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出??旎謴?fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降,這就導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低。
比如有些CPU用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達(dá)幾十安培。此時(shí)超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過(guò)電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會(huì)達(dá)到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無(wú)法滿(mǎn)足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開(kāi)關(guān)電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。
同步整流比之于傳統(tǒng)的肖特基整流技術(shù)可以這樣理解:
這兩種整流管都可以看成一扇電流通過(guò)的門(mén),電流只有通過(guò)了這扇門(mén)才能供負(fù)載使用。
傳統(tǒng)的整流技術(shù)類(lèi)似于一扇必須要通過(guò)有人大力推才能推開(kāi)的門(mén),故電流通過(guò)這扇門(mén)時(shí)每次都要巨大努力,出了一身汗,損耗自然也就不少了。
而同步整流技術(shù)有點(diǎn)類(lèi)似我們通過(guò)的較高檔場(chǎng)所的感應(yīng)門(mén)了:它看起來(lái)是關(guān)著的,但你走到它跟前需要通過(guò)的時(shí)候,它就自己開(kāi)了,根本不用你自己費(fèi)大力去推,所以自然就沒(méi)有什么損耗了。
通過(guò)上面這個(gè)類(lèi)比,我們可以知道,同步整流技術(shù)就是大大減少了開(kāi)關(guān)電源輸出端的整流損耗,從而提高轉(zhuǎn)換效率,降低電源本身發(fā)熱。
能量再生與同步整流:
在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),變壓器接收的電能除了磁化電流外都將傳送到輸出端。而管V關(guān)躍的反激作用期間,導(dǎo)向二極管D2用反偏置故不可能有鉗位作用或能量泄放的回路。磁化能量將會(huì)產(chǎn)生較大的反壓加在開(kāi)關(guān)管的集一射極之間。為了防止高反壓的產(chǎn)生,設(shè)置了“能量再生繞組”P2,由繞組P2經(jīng)過(guò)二極管D1,使存儲(chǔ)的能量反饋回直流電源Ui中。只要滿(mǎn)足Wp1=Wp2的關(guān)系,D1流過(guò)電流時(shí)Up2=Ui,則開(kāi)關(guān)管V上承受的集一射極電壓為2Ui。
為了避免在P1和P2繞組之間存在的漏電感過(guò)大,和因此而在開(kāi)關(guān)管集電極上產(chǎn)生過(guò)高的電壓,一般采用初級(jí)繞組P1與能量再生繞組P2雙線(xiàn)并繞的方法。在這種配置中,二極管D1接在能量再生繞組如圖所示的位置是非常重要的。原因是雙線(xiàn)并繞引起的內(nèi)部雜散電容Cc是在開(kāi)關(guān)管V的集電極與繞組P2和D1連接點(diǎn)之間的寄生電容。按照?qǐng)D中的接法是有優(yōu)點(diǎn)的,如在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),由于二極管D1,反向而隔開(kāi)了集電極,沒(méi)有任何的電流在V瞬時(shí)導(dǎo)通時(shí)流進(jìn)電容Cc中(注意,繞組P1和P2的非同銘端同時(shí)變負(fù),而且Cc的兩端電壓不會(huì)改變)。但是在反激期間,Cc提供開(kāi)關(guān)管V的鉗位作用,任何過(guò)電壓的趨勢(shì)都會(huì)引起Cc流過(guò)電流,而且經(jīng)過(guò)D1,反饋到電源線(xiàn)上。如果寄生電容不夠大,只靠P1、P2繞組磁耦合,鉗位電壓超值時(shí),常??梢栽?位置加外接電容補(bǔ)充以改善它的鉗位作用。然而,如果電容值過(guò)大時(shí),會(huì)使得輸出電壓線(xiàn)上有輸人電壓嘰紋波頻率調(diào)制的電壓分量,所以要小心地選用附加電容Cc的值。
在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),輸入電壓Ui加在(Lp+LLT)上,由于D2反偏置阻止C2的充電,所以Uc2≈0。當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),由于反激作用,V的集電極電壓Uc快速上升,但由于碭此時(shí)受正偏壓而導(dǎo)通,使V電流被C2、R1分流,Uc電壓逐漸上升,即UD1電壓也是逐漸上升,而且鉗位在2Ui數(shù)值上。從而把Uc上升的尖峰電壓的頂部消去,如虛線(xiàn)所示的脈沖尖峰。
在一個(gè)周期剩下的時(shí)間里,隨著R1放電電流的減小,C2上的電壓降會(huì)返回到原來(lái)值。多余的反激電能,被消耗在R1上。此鉗位電壓是自跟蹤的,在穩(wěn)態(tài)工作時(shí),因?yàn)镃2上的電壓會(huì)自動(dòng)地調(diào)整,直到所有多余的反激電能消耗在R1上。如果在所有其他情況下,都要維持某一恒定鉗位電壓時(shí),則可以通過(guò)減小R1值或漏電感Lyp的值,來(lái)抑制鉗位電壓的升高趨勢(shì)。
不能把鉗位電壓設(shè)計(jì)得太低,因?yàn)榉醇み^(guò)沖電壓也有有用的一面。在反激作用時(shí),它提供了一個(gè)附加強(qiáng)制電壓值來(lái)驅(qū)動(dòng)電能進(jìn)入到次級(jí)電感。使變壓器次級(jí)的反激電流迅速增加。提高了變壓器的傳輸效率,同時(shí)也減小了電阻R)上的損耗。這對(duì)于低壓大電流輸出是很有意義的。
半波,全波,及橋式整流電路的特點(diǎn):
單相半波整流電路的特點(diǎn)如下:
?。?) 電路簡(jiǎn)單,使用器件少。
?。?)無(wú)濾波電路時(shí),整流電壓的直流分量較小,Vo=0.45V2
?。?)整流電壓的脈動(dòng)較大。
(4)變壓器的利用率低。
單相全波整流電路的特點(diǎn)如下:
?。?)使用的整流器件較半波整流時(shí)多一倍。
(2)整流電壓脈動(dòng)較小,比半波整流小一半。無(wú)濾波電路時(shí)的輸出電壓Vo=0.9V2。
?。?)變壓器的利用率比半波整流時(shí)高。
(4)變壓器二次繞組需中心抽頭。
?。?)整流器件所承受的反向電壓較高。
單相橋式整流電路的特點(diǎn)如下:
?。?)使用的整流器件較全波整流時(shí)多一倍。
(2)整流電壓脈動(dòng)與全波整流相同。
?。?)每個(gè)器件所承受的反向電壓為電源電壓峰值,即 。
?。?)變壓器利用率較全波整流電路高。
評(píng)論