帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生,它到底有多???
富士通半導體(上海)有限公司日前宣布,成功推出擁有1 Mb內存的FRAM產品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP),使得其體積僅為3.09&TImes; 2.28 &TImes; 0.33 mm,一舉成為業(yè)內擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201710/365478.htmMB85RS1MT為智能可穿戴設備提供了理想的內存器件的選擇,除了可讓終端應用產品的整體體積變小之外,更可讓整個系統(tǒng)在寫入數據時將功耗降至最低,以延長系統(tǒng)工作時間。
智能可穿戴設備是當下的市場熱點,并以驚人的速度快速滲透和發(fā)展。智能可穿戴設備應用涵蓋范圍廣闊且種類繁多,包括智能眼鏡、頭戴式顯示器、隱蔽式助聽器和智能脈搏計等,以及可記錄卡路里消耗量和運算數據的活動記錄器如智能手環(huán)等。而在這些眾多智能可穿戴設備當中,持續(xù)的實時記錄數據亦是必備的。
圖一:SOP封裝及WL-CSP外觀
與一般的非揮發(fā)性內存如EEPROM和閃存(Flash)等相比,富士通FRAM可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期,它的寫入速度為前者的1000倍以上,而功耗僅為其1/1000-1/100000,FRAM的使用壽命更是超過EEPROM和Flash10000倍以上,是實時存儲數據的理想選擇。
圖二:SOP封裝及WL-CSP封裝體積比較
為了在更廣泛的應用中進一步擴大的FRAM快速讀寫、高可靠性和低功耗的特點,富士通半導體在為1MB FRAM器件采用SOP封裝之后,更推出了其全新WL-CSP封裝版本(見圖一)。在采用WL-CSP封裝后,MB85RS1MT的體積僅為3.09 &TImes; 2.28 &TImes; 0.33 mm,比SOP封裝體積小了95%(見圖二)---其面積比SOP封裝小了77%(見圖三),其厚度僅相當于信用卡厚度的一半(見圖四)。
圖三:SOP封裝及WL-CSP封裝面積比較
圖四:SOP封裝及WL-CSP封裝厚度比較
低功耗作業(yè)是FRAM眾多優(yōu)點之一。相較于一般使用的EEPROM非揮發(fā)性內存,FRAM寫入數據的速度也比較快,因此可在寫入數據時大幅降低功耗(如圖五)?;诖嗽?,為了實時記錄而需經常性寫入數據的穿戴式裝置在采用此FRAM后,可擁有更佳電池續(xù)航力和更小體積的優(yōu)勢。
圖五:寫入時功耗量比較
富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來,已將上述產品特性廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫(yī)療裝置等領域。此次采用WL-CSP封裝的MB85RS1MT器件的推出,則將其應用領域延展到智能可穿戴設備應用當中,為客戶提供更小、更薄和功能更豐富的產品,并大幅延長待機時間。
更多的富士通半導體產品信息:
富士通半導體網站:http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/
FRAM產品網站:http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/
MB85RS1MT:http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/standalone/1m-spi-wlp.html
MB85RS1MT數據:http://edevice.fujitsu.com/cgi-bin/document/document_search.cgi?LANG=ENPARTNO=MB85RS1MTDOCTYPES=D02,D05
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