次世代記憶體換當家？關(guān)于新當家的那點事
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據(jù)韓媒BusinessKorea報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。（本文引用自“電子發(fā)燒友網(wǎng)”報道，有刪節(jié)）
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201710/365485.htm什么是FRAM
FRAM（鐵電隨機存取存儲器）采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)，具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
存儲器分類中的FRAM
鐵電存儲器工作原理
當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。
PZT晶體結(jié)構(gòu)和FRAM工作原理
上圖表解釋了PZT晶體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩(wěn)定點。它們可以根據(jù)外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設(shè)定，即使在出現(xiàn)電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以“1”或“0”的形式存儲。
相比之下，鐵電電容的漏電流沒有EEPROM、FLASH之類的傳統(tǒng)非易失性存儲器那么重要，因為FeRAM的信息存儲是由極化來實現(xiàn)的，而不是自由電子。
與傳統(tǒng)存儲器相比，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢
· 非易失性
- 即使沒有上電，也可以保存所存儲的信息。
- 與SRAM相比，無需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）
· 更高速度寫入
- 像SRAM一樣，可覆蓋寫入不要求改寫命令
- 對于擦/寫操作，無等待時間
寫入循環(huán)時間 =讀取循環(huán)時間
寫入時間： E2PROM的1/30，000
· 具有更高的讀寫耐久性
- 確保最大1012次循環(huán)（100萬億循環(huán)）/位的耐久力
耐久性：超過100萬次的 E2PROM
· 具有更低的功耗
- 不要求采用充電泵電路
功耗：低于1/400的E2PROM
與其它存儲器產(chǎn)品相比，F(xiàn)RAM的特性
*1） T=晶體管。 C=電容器
*2） 256Kb獨立的FRAM存儲器的技術(shù)規(guī)格
*3） 讀寫操作的總循環(huán)
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