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          基于TOP223Y多路單端反激式開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案

          作者: 時(shí)間:2017-10-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            0 引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201710/367235.htm

            單片自問世以來,以其效率高,體積小,集成度高,功能穩(wěn)定等特點(diǎn)迅速在中小功率精密穩(wěn)壓電源領(lǐng)域占據(jù)重要地位。美國PI公司的TOPSwitch系列器件即是一種新型三端離線式單片高頻芯片,開關(guān)頻率fs高達(dá)100 kHz,此芯片將PWM控制器、高耐壓功率MOSFET、保護(hù)電路等高度集成,外圍連接少許器件即可使用。本文介紹了一種基于 輸出為+5 V/3 A,+12 V/1 A的單端反激式方案設(shè)計(jì)的原理和方法。

            1 方案設(shè)計(jì)的原理

            開關(guān)電源是涉及眾多學(xué)科的一門應(yīng)用領(lǐng)域,通過控制功率開關(guān)器件的開通與關(guān)閉調(diào)節(jié)脈寬調(diào)制占空比達(dá)到穩(wěn)定輸出的目的,能夠?qū)崿F(xiàn)AC/DC或者DC/DC轉(zhuǎn)換。

            共三個(gè)端:控制極C、源極S、漏極D.因只有漏極D用作脈寬調(diào)制功率控制輸出,故稱單端;高頻變壓器在功率開關(guān)導(dǎo)通時(shí)只是將能量存儲在初級繞組中,起到電感的作用,在功率開關(guān)關(guān)閉時(shí)才將能量傳遞給次級繞組,起變壓作用,故稱反激式。

            

            電路功能部分主要由輸入/輸出整流濾波、功率變換、反饋電路組成。工作原理簡述為:220 V市電交流經(jīng)過整流濾波得到直流電壓,再經(jīng)脈寬調(diào)制和高頻變壓器DC-AC變換得到高頻矩形波電壓,最后經(jīng)輸出整流濾波得到品質(zhì)優(yōu)良的直流電壓,同時(shí)反饋回路通過對輸出電壓的采樣、比較和放大處理,將得到的電流信號輸入到TOP223Y的控制端C,控制占空比調(diào)節(jié)輸出,使輸出電壓穩(wěn)定。

            2 方案設(shè)計(jì)的要求

            設(shè)計(jì)作為某智能儀器的供電電源,具體的參數(shù)要求如下:交流輸入電壓最小值:VACMIN=85 V;交流輸入電壓最大值:VACMAX=265 V;輸出:U1:+5 V/3 A;U2:+12 V/1 A;輸出功率:Po=27 W;偏置電壓:VB=12 V;電網(wǎng)頻率fL=50 Hz;開關(guān)頻率fs=100 kHz;紋波電壓:小于100 mV;電源效率:η大于80%;損耗分配因數(shù)Z 為0.5;功率因數(shù)為0.5.

            3 設(shè)計(jì)實(shí)例

            本設(shè)計(jì)方案是基于TOP223Y的多路單端反激式開關(guān)電源,性能優(yōu)越,便于集成。電路原理如圖2所示,可分為輸入保護(hù)電路、輸入、鉗位保護(hù)電路、高頻變壓器、輸出、反饋回路、控制電路7個(gè)部分。

            

            3.1 輸入保護(hù)電路

            由保險(xiǎn)絲F1、熱敏電阻RT和壓敏電阻RV組成,對輸入端進(jìn)行過電壓、過電流保護(hù)。

            保險(xiǎn)絲F1用于當(dāng)線路出現(xiàn)故障產(chǎn)生過電流時(shí)切斷電路,保護(hù)電路元器件不被損壞,其額定電流IF1 按照IF1》2IACRMS選擇3 A/250 VAC保險(xiǎn)絲,其中IACRMS為原邊有效電流值。熱敏電阻RT用以吸收開機(jī)浪涌電流,避免瞬間電流過大,對整流二極管和保險(xiǎn)絲帶來沖擊,造成損壞,加入熱敏電阻可以有效提高電源設(shè)計(jì)的安全系數(shù),其阻值按照RRT1》0.014VACMAX/IACRMS 選擇10D-11(10 Ω/2.4 A)。壓敏電阻RV能在斷開交流輸入時(shí)提供放電通路,以防止大電流沖擊,同時(shí)對沖擊電壓也有較好鉗位作用。RV選取MY31-270/3,標(biāo)稱值為220 V.

            3.2 輸入

            由EMI濾波電路、整流電路、穩(wěn)壓電路組成。

            EMI濾波電路針對來自電網(wǎng)噪聲干擾。采用由L1,CX1,CX2,CY1,CY2構(gòu)成典型的Π型濾波器。

            CX1和CX2用來濾除來自電網(wǎng)的差模干擾,稱為X電容,通常取值100~220 nF,這里取100 μF;CY1和CY2用來濾除來自電網(wǎng)的共模干擾,稱為Y電容,通常取值為1~4.7 nF,這里取2.2 nF;同樣用來消除共模干擾的共模電感L1的取值8~33 mH,這里取8 mH,采取雙線并繞。

            輸入整流電路選擇不可控全波整流橋。整流橋的反向耐壓值應(yīng)大于1.25倍的最大直流輸入電壓,整流橋的額定電流應(yīng)大于兩倍的交流輸入的有效值,計(jì)算后選擇反向擊穿電壓為560 V,額定電流為3 A的KBP306整流橋。

            在當(dāng)前的供電條件下,輸入儲能電容器CIN的值根據(jù)輸出功率按照2~3 μF/W 來取值,考慮余量,取CIN=100 μF/400 V的電解電容。假設(shè)整流橋中二極管導(dǎo)通時(shí)間為tc=3 ms,可由:

            

            得到輸入直流電壓的最小值和最大值。

            3.3 鉗位保護(hù)電路

            當(dāng)功率開關(guān)關(guān)斷時(shí),由于漏感的影響,高頻變壓器的初級繞組上會產(chǎn)生反射電壓和尖峰電壓,這些電壓會直接施加在TOPSwitch芯片的漏極上,不加保護(hù)極容易使功率開關(guān)MOSFET燒壞。加入由R1、C2和VD1組成經(jīng)典的RCD鉗位保護(hù)電路,則可以有效地吸收尖峰沖擊將漏極電壓鉗位在200 V左右,保護(hù)芯片不受損壞。推薦鉗位電阻R1取27 kΩ/2 W,VD1鉗位阻斷二極管快恢復(fù)二極管耐壓800 V 的FR106,鉗位電容選取22 nF/600 V的CBB電容。

            3.4 高頻變壓器

            3.4.1 磁芯的選擇

            磁芯是制造高頻變壓器的重要組成,設(shè)計(jì)時(shí)合理、正確地選擇磁芯材料、參數(shù)、結(jié)構(gòu),對變壓器的使用性能和可靠性,將產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。高頻變壓器磁芯只工作在磁滯回線的第一象限。在開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)只儲存能量,而在截止時(shí)向負(fù)載傳遞能量。因?yàn)殚_關(guān)頻率為 100 kHz,屬于比較高的類型,所以選擇材料時(shí)選擇在此頻率下效率較高的鐵氧體,由:

            

            估算磁芯有效截面積為0.71 cm2,根據(jù)計(jì)算出的Ae 考慮到閾量,查閱磁芯手冊,選取EE2825,其磁芯長度A=28 mm,有效截面積SJ=0.869 cm2,有效磁路長度L=5.77 cm,磁芯的等效電感AL=3.3 μH/匝2,骨架寬度Bw=9.60 mm.

            3.4.2 初級線圈的參數(shù)

           ?。?)最大占空比。根據(jù)式(1),代入數(shù)據(jù):寬范圍輸入時(shí),次級反射到初級的反射電壓VoR 取135 V,查閱TOP223Y數(shù)據(jù)手冊知MOSFET導(dǎo)通時(shí)的漏極至源極的電壓VDS=10 V,則:

            

           ?。?)設(shè)置KRP .KRP= IR IP ,其中IR為初級紋波電流;IP為初級峰值電流;KRP用以表征開關(guān)電源的工作模式(連續(xù)、非連續(xù))。連續(xù)模式時(shí)KRP小于1,非連續(xù)模式KRP大于1. 對于KRP的選取,一般由最小值選起,即當(dāng)電網(wǎng)入電壓為100 VAC/115 VAC或者通用輸入時(shí),KRP=0.4;當(dāng)電網(wǎng)輸入電壓為230 VAC時(shí),取KRP=0.6.當(dāng)選取的KRP較小時(shí),可以選用小功率的功率開關(guān),但高頻變壓器體積相對要大,反之,當(dāng)選取的KRP較大時(shí),高頻變壓器體積相對較小,但需要較大功率的功率開關(guān)。對于KRP的選取需要根據(jù)實(shí)際不斷調(diào)整取最佳。

            (3)初級線圈的電流初級平均輸入電流值(單位:A):

            

            可知,KRP 選取合適。TOPSwitch器件的選擇遵循的原則是選擇功率容量足夠的最小的型號。

           ?。?)變壓器初級電感

            

            3.4.3 初級次級繞組匝數(shù)

            當(dāng)電網(wǎng)電壓為230 V和通用輸入220 V時(shí):每伏特取0.6匝,即KNS=0.6.由于輸出側(cè)采用較大功率的肖特基二極管用作輸出整流二極管,因此VD取0.7 V,磁芯的最大工作磁通密度在BM在2 000~3 000 GS范圍內(nèi)。偏置二極管VDB的壓降取0.7 V,偏置電壓VB取12 V.

            初級繞組匝數(shù):

            

            3.5 輸出整流濾波電路

            由整流二極管、濾波電容和平波電感組成。將次級繞組的高頻方波電壓轉(zhuǎn)變成脈動(dòng)的直流電壓,再通過輸出濾波電路濾除高頻紋波,使輸出端獲得穩(wěn)定的直流電壓。肖特基二極管正向?qū)〒p耗小、反向恢復(fù)時(shí)問短,在降低反向恢復(fù)損耗以及消除輸出電壓中的紋波方面有明顯的性能優(yōu)勢,所以選用肖特基二極管作為整流二極管,參數(shù)根據(jù)最大反向峰值電壓VR選擇,同時(shí)二極管的額定電流應(yīng)該至少為最大輸出電流的3~5倍。次級繞組的反向峰值電壓VSM為:

            

            式中:Iout是輸出端的額定電流,單位為A;Dmin是在高輸入電壓和輕載下所估計(jì)的最小占空比(估計(jì)值為0.3);V(PK-PK)是最大的輸出電壓紋波峰峰值,單位為mV.計(jì)算得出后考慮閾值C6取100 μF/10 V,C8取220 μF/35 V.

            第二級經(jīng)LC濾波使不滿足紋波要求的電壓再次濾波。輸出濾波電容器不僅要考慮輸出紋波電壓是否可以滿足要求,還要考慮抑制負(fù)載電流的變化,在這里可以選擇C7取22 μF/10 V,C9取10 μF/35 V.C5取經(jīng)驗(yàn)值0.1 μF/25 V.輸出濾波電感根據(jù)經(jīng)驗(yàn)取2.2~4.7 μH,采用3.3 μH 的穿心電感,能主動(dòng)抑制開關(guān)噪聲的產(chǎn)生。

            為減少共模干擾,在輸出的地與高壓側(cè)的地之間接共模抑制電容C15.

            3.6 反饋回路設(shè)計(jì)

            開關(guān)電源的反饋電路有四種類型:基本反饋電路、改進(jìn)型基本反饋電路、配穩(wěn)壓管的光耦反饋電路、配TL431的光耦反饋電路。本設(shè)計(jì)采用電壓調(diào)整率精度高的可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431加線形光耦PC817A構(gòu)成反饋回路。

            TL431通過電路取樣電阻來檢測輸出電壓的變化量ΔU,然后將采樣電壓送入TL431 的輸入控制端,與TL431的2.5 V參考電壓進(jìn)行比較,輸出電壓UK也發(fā)生相應(yīng)變化,從而使線性光電耦合器中的發(fā)光二極管工作電流發(fā)生線性變化,光電耦合器輸出電流。

            經(jīng)過光電耦合器和TL431組成的外部誤差放大器,調(diào)節(jié)TOP223Y控制端C 的電流IC,調(diào)整占空比D(IC與D成反比),從而使輸出電壓變化,達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的目的。

            對于電路中的反饋部分,開關(guān)電源反饋電路僅從一路輸出回路引出反饋信號,其余未加反饋電路。這樣,當(dāng)5 V輸出的負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí),定會影響12 V輸出的穩(wěn)定性。

            解決方法是給12 V輸出也增加反饋電路。另外,電路中C10為TL431的頻率補(bǔ)償電容,可以提高TL431的瞬態(tài)頻率響應(yīng)。R5為光電耦合器的限流電阻,R5的大小決定控制環(huán)路的增益。電容器C13為軟啟動(dòng)電容器,可以消除剛啟動(dòng)電源時(shí)芯片產(chǎn)生的電壓過沖。

            下面主要是確定R4~R8的值:

            按照應(yīng)用要求,對5 V電源要求較高,但也要兼顧12 V電源,權(quán)衡反饋量,將R7,R8的反饋權(quán)值均設(shè)置為0.6,0.4,各個(gè)輸出的穩(wěn)定性均得到保障和提高。

            只有5 V輸出有反饋時(shí),如R4,R7取值均為10 kΩ,此時(shí)電流IR7 =250 μA,分權(quán)后,R7分得150 μA、R8分得150 μA.根據(jù)TL431的特性知,Vo,VREF,R7,R8,R4之間存在以下關(guān)系:

            

            式中:VREF為TL431參考端電壓,為2.5 V;Vo為TL431輸出電壓。根據(jù)電流分配關(guān)系得(單位:kΩ):

            

            式中:VF 為光耦二極管的正向壓降,由PC817技術(shù)手冊知,典型值為1.2 V.先取R5=390 Ω,可得R6=139 Ω,取標(biāo)稱值150 Ω。

            3.7 控制回路

            由電容C7和電阻R12串聯(lián)組成。C9用來濾除控制端的尖峰電壓并決定自動(dòng)重啟動(dòng)時(shí)序,并和R12一起設(shè)定控制環(huán)路的主極點(diǎn)為反饋控制回路進(jìn)行環(huán)路補(bǔ)償。由數(shù)據(jù)手冊知,C9選擇47 μF/25 V的電解電容,當(dāng)C9 =47 μF時(shí),自動(dòng)重啟頻率為1.2 Hz,即每隔0.83 s檢測一次調(diào)節(jié)失控故障是否已經(jīng)被排除,若確認(rèn)已被排除,就自動(dòng)重啟開關(guān)電源恢復(fù)正常工作。R12取6.2 Ω。

            4 方案的實(shí)驗(yàn)結(jié)果

            根據(jù)以上方案設(shè)計(jì)的方法和規(guī)范,設(shè)計(jì)出的一種基于TOP223Y雙路+5 V/3 A,+12 V/1 A輸出的反激式開關(guān)電源。在寬范圍85~265 VAC的輸入范圍下對其性能進(jìn)行了測試,如表1所示。

            

            由以上選取的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得出,+5 V/3 A(反饋權(quán)重0.6,負(fù)載500 Ω)輸出的電壓調(diào)整率為SV = ±0.18%,輸出的紋波電壓為39 mV,輸出的最大電流為3.2 A;+12 V/1 A(反饋權(quán)重0.4,負(fù)載750 Ω)輸出的電壓調(diào)整率為SV = ±0. 3%,輸出的紋波電壓為68 mV,輸出的最大電流為1.10 A.

            該電源在滿載狀態(tài)時(shí),功率可達(dá)27.6 W,最大占空比為0.60,電源效率為83.1%,開關(guān)電源具有良好的性能,滿足應(yīng)用要求。

            5 結(jié)語

            本文所設(shè)計(jì)的開關(guān)電源方案,芯片的高度集成化,外圍電路設(shè)計(jì)簡單。電源的性能通過參數(shù)的調(diào)節(jié)仍有提升的空間。雙輸出雙反饋異權(quán)重的設(shè)計(jì)使開關(guān)電源的更加實(shí)用靈活,不同的保護(hù)電路的設(shè)計(jì),使電源的實(shí)用更加安全可靠,該方案所設(shè)計(jì)的電源在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)良好。



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