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          淺談AMOLED補(bǔ)償技術(shù)

          作者: 時間:2017-10-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            有機(jī)發(fā)光顯示二極管()作為一種電流型發(fā)光器件已越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示中。由于它自發(fā)光的特性,與LCD相比,具有高對比度、超輕薄、可彎曲等諸多優(yōu)點(diǎn)。但是,亮度均勻性和殘像仍然是它目前面臨的兩個主要難題,要解決這兩個問題,除了工藝的改善,就不得不提到補(bǔ)償技術(shù)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201710/367634.htm

            介紹補(bǔ)償技術(shù)之前,首先我們來看看為什么需要補(bǔ)償。下圖所示為一個最簡單的像素電路,它由兩個薄膜晶體管(TFT)構(gòu)建像素電路為OLED器件提供相應(yīng)的電流。

            

            與一般的非晶硅薄膜晶體管(amorphous-Si TFT)相比,LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的遷移率和更穩(wěn)定的特性,更適合應(yīng)用于AMOLED顯示中。在中小尺寸應(yīng)用中多采用低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT),而在大尺寸應(yīng)用中多采用氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)。這是因?yàn)長TPS TFT遷移率更大,器件所占面積更小,更適合于高PPI的應(yīng)用。而Oxide TFT均勻性更好,工藝與a-Si兼容,更適合在高世代線上生產(chǎn)大尺寸AMOLED面板。然后它們又各有缺點(diǎn),由于晶化工藝的局限性,在大面積玻璃基板上制作的LTPSTFT,不同位置的TFT常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)上具有非均勻性,這種非均勻性會轉(zhuǎn)化為OLED顯示器件的電流差異和亮度差異,并被人眼所感知,即mura現(xiàn)象。Oxide TFT 雖然工藝的均勻性較好,但是與a-Si TFT類似,在長時間加壓和高溫下,其閾值電壓會出現(xiàn)漂移,由于顯示畫面不同,面板各部分TFT的閾值漂移量不同,會造成顯示亮度差異,由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān),因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象,也就是通常所說的殘像。

            因此,在當(dāng)前的工藝制作中,不管是LTPS還是Oxide都存在均勻性或穩(wěn)定性的問題,而且OLED本身也會隨著點(diǎn)亮?xí)r間的增加亮度逐漸衰減。既然這些問題難以在工藝上完全克服,就必須要在設(shè)計(jì)上通過各種補(bǔ)償技術(shù)來解決。通常OLED的發(fā)光亮度和電流成正比,而電流是由TFT提供的,與TFT的特性參數(shù)相關(guān)。電流通常表示為,k是和TFT遷移率有關(guān)的參數(shù),Vgs和Vds又和電源電壓與OLED驅(qū)動電壓有關(guān)。可知影響電流大小的參數(shù)有TFT遷移率、閾值電壓,OLED的驅(qū)動電壓以及電源電壓的大小。補(bǔ)償技術(shù)的主要目的就是要消除這些因素的影響,最終讓所有像素的亮度達(dá)到理想值。因?yàn)樽兞刻啵夹g(shù)難度很大,補(bǔ)償技術(shù)已成為 AMOLED顯示的核心技術(shù)之一。

            補(bǔ)償方法可以分為內(nèi)部補(bǔ)償和外部補(bǔ)償兩大類。內(nèi)部補(bǔ)償是指在像素內(nèi)部利用TFT構(gòu)建的子電路進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆椒āM獠垦a(bǔ)償是指通過外部的驅(qū)動電路或設(shè)備感知像素的電學(xué)或光學(xué)特性然后進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆椒?。通常?nèi)部補(bǔ)償?shù)南袼亟Y(jié)構(gòu)和驅(qū)動方式都較復(fù)雜,且補(bǔ)償效果僅限于TFT 閾值電壓和IR Drop,補(bǔ)償范圍偏小,難以解決殘像問題。這種補(bǔ)償方式在TV產(chǎn)品中應(yīng)用不多,但是在手機(jī)/平板這些使用頻率不高,產(chǎn)品生命周期短的應(yīng)用中,也足以滿足需求。而外部補(bǔ)償?shù)姆绞骄哂邢袼亟Y(jié)構(gòu)簡單,驅(qū)動速度快和補(bǔ)償范圍大的優(yōu)點(diǎn),但缺點(diǎn)是外圍驅(qū)動電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度高,在大尺寸AMOLED TV顯示應(yīng)用中,外部補(bǔ)償被認(rèn)為是較佳的補(bǔ)償方案。但是最近隨著用戶對產(chǎn)品特性的要求提高,外部補(bǔ)償也在逐漸向中小尺寸應(yīng)用中發(fā)展。

            下圖是一個典型的內(nèi)部補(bǔ)償型電路,它由7個TFT和1個存儲電容組成,因此被簡稱為7T1C結(jié)構(gòu),類似還有6T1C,5T2C等很多類似電路結(jié)構(gòu),經(jīng)過近幾年的不斷研究和發(fā)展,內(nèi)部補(bǔ)償電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)幾乎已被窮盡,很難再有實(shí)用性的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新。這種像素電路工作時一般都會有三個工作階段,會經(jīng)歷復(fù)位、補(bǔ)償、發(fā)光,即一個驅(qū)動周期至少要干2到3件事,因此對電路驅(qū)動能力和面板上的負(fù)載都有一定要求。它的一般工作思路是在補(bǔ)償階段把TFT的閾值電壓 Vth先儲存在它的柵源電壓Vgs內(nèi),在最后發(fā)光時,是把Vgs-Vth轉(zhuǎn)化為電流,因?yàn)閂gs已經(jīng)含有了Vth,在轉(zhuǎn)化成電流時就把Vth的影響抵消了,從而實(shí)現(xiàn)了電流的一致性。但是實(shí)際因?yàn)榧纳鷧?shù)和驅(qū)動速度等影響,Vth并不能完全抵消,也即當(dāng)Vth偏差超過一定范圍時(通常?Vth≥0.5V),電流的一致性就不能確保了,因此說它的補(bǔ)償范圍是有限的。

            

            外部補(bǔ)償根據(jù)數(shù)據(jù)抽取方法的不同又可以分為光學(xué)抽取式和電學(xué)抽取式。光學(xué)抽取式是指將背板點(diǎn)亮后通過光學(xué)CCD照相的方法將亮度信號抽取出來,電學(xué)抽取式是指通過驅(qū)動芯片的感應(yīng)電路將TFT和OLED的電學(xué)信號抽取出來。兩種方法抽取的信號種類不同,因此數(shù)據(jù)處理的方式也不同。光學(xué)抽取的方式具有結(jié)構(gòu)簡單,方法靈活的優(yōu)點(diǎn),因此在現(xiàn)階段被廣泛采用。

            下圖是外部光學(xué)補(bǔ)償原理圖。OpTIcal sensor通常是高分辨率和高精度的CCD照相機(jī)。

            

            外部光學(xué)補(bǔ)償原理圖

            其補(bǔ)償過程是用CCD對整個面板拍照,得到每個像素在幾個特征灰階下的亮度值,然后對子像素進(jìn)行建模,得到每個像素的灰階-亮度的特性曲線。在對某一顯示圖像進(jìn)行補(bǔ)償時,我們根據(jù)輸入灰階相對應(yīng)的理想亮度,從該子像素的灰階-亮度特征曲線中可以反推出為了使該子像素達(dá)到相同的亮度,所對應(yīng)的補(bǔ)償灰階,對所有的子像素都進(jìn)行類似操作,我們就可以得到一個所謂的補(bǔ)償圖像,使用這個補(bǔ)償圖像驅(qū)動背板,就可以達(dá)到我們想要的理想亮度值。這一技術(shù)的難點(diǎn)是如何用CCD準(zhǔn)確抓到每個像素的正確亮度并建立正確的模型,要通過算法克服子像素準(zhǔn)確定位、摩爾紋等問題。因?yàn)楣鈱W(xué)補(bǔ)償要借助專業(yè)化的設(shè)備,只能在出廠前做初始化校準(zhǔn),無法在產(chǎn)品使用中進(jìn)行補(bǔ)償,因此只能補(bǔ)償顯示非均勻性,無法補(bǔ)償使用中產(chǎn)生的殘像。

            

            光學(xué)外部補(bǔ)償方案

            外部補(bǔ)償?shù)牧硪环N方式是電學(xué)補(bǔ)償,即通過像素內(nèi)部的TFT將驅(qū)動管的I-V特性以及OLED器件的I-V特性讀取到外部感應(yīng)電路,計(jì)算需要補(bǔ)償?shù)尿?qū)動電壓值并反饋給驅(qū)動面板的芯片從而實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償。它需要開發(fā)具有信號提取功能的新型IC。

            

            圖中Column readout作用是監(jiān)測 TFT I-V 特性變化和均勻性,監(jiān)測OLED均勻性和老化;Image processing LSI作用是根據(jù)監(jiān)測結(jié)果計(jì)算補(bǔ)償量,并將補(bǔ)償量和初始數(shù)據(jù)整合輸出給Data Driver

            外部補(bǔ)償像素電路比較簡單,通常是3T1C結(jié)構(gòu)如下圖,除了傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)線以外,它有一個感應(yīng)線(SENSE)可以將TFT和OLED的電流抽取到驅(qū)動IC中。

            

            外部補(bǔ)償像素結(jié)構(gòu)

            它有兩種抽取電信號方式,一種是抽取TFT電流,被稱作TFT sensing,一種是抽取OLED電流,被稱作OLED sensing?;驹矶际墙o定TFT或OLED的驅(qū)動電壓,把電流從感應(yīng)線傳抽取到驅(qū)動IC,如下圖所示

            

            TFT和OLED感應(yīng)方式

            讀出電信號后,外部補(bǔ)償方式可借助外部的集成電路芯片實(shí)施較復(fù)雜的算法,對TFT閾值電壓和遷移率的非均勻性以及OLED 老化等實(shí)施補(bǔ)償。外部電學(xué)補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)難點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)高精度和高速的TFTOLED電學(xué)參數(shù)讀取,感應(yīng)線上的寄生效應(yīng)會影響讀取速度并造成信號衰減,感應(yīng)電路的誤差會造成輸出失真,相鄰感應(yīng)線或外界環(huán)境的噪聲會干擾感應(yīng)信號的準(zhǔn)確性。外部補(bǔ)償技術(shù)是一個包含面板設(shè)計(jì),IC設(shè)計(jì),驅(qū)動電路設(shè)計(jì),算法設(shè)計(jì)的系統(tǒng)級方案,任何一個環(huán)節(jié)做不好都有可能影響補(bǔ)償效果,但是一旦實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)設(shè)計(jì),它的補(bǔ)償效果是最好的,可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時補(bǔ)償,即在產(chǎn)品生命周期內(nèi),在使用過程中持續(xù)進(jìn)行補(bǔ)償,可有效提升產(chǎn)品壽命。

            由于補(bǔ)償技術(shù)非常關(guān)鍵,很多公司都在積極開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的補(bǔ)償技術(shù)。目前內(nèi)部補(bǔ)償技術(shù)積累較深厚的公司是三星,外部補(bǔ)償業(yè)內(nèi)只有LG率先實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。其他面板廠或公司都在大力投入、針對這一技術(shù)積極進(jìn)行研發(fā),BOE目前也開發(fā)完成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的內(nèi)部補(bǔ)償和外部補(bǔ)償技術(shù),并已完成了在產(chǎn)品端的驗(yàn)證,在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位。但即使是三星或LG,現(xiàn)在的補(bǔ)償技術(shù)并不能說是毫無瑕疵,還需要繼續(xù)創(chuàng)新和改進(jìn),伴隨著工藝水平和能力的進(jìn)步,相信未來的AMOLED產(chǎn)品會更加完美。

            作者簡介:吳仲遠(yuǎn) BOE VO SBU OLED開發(fā)副本部長2004年獲得清華大學(xué)微電子與固體物理學(xué)專業(yè)碩士學(xué)位,2004~2010在韓國三星半導(dǎo)體從事顯示驅(qū)動IC設(shè)計(jì),2010年加入京東方至今一直專注于大尺寸OLED技術(shù)領(lǐng)域?,F(xiàn)負(fù)責(zé)大尺寸OLED技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)工作。個人主要研究興趣方向包括AMOLED像素設(shè)計(jì)、驅(qū)動技術(shù)、補(bǔ)償算法、IC設(shè)計(jì)等。主要負(fù)責(zé)的55 UHD AMOLED開發(fā)、外部補(bǔ)償?shù)软?xiàng)目曾獲集團(tuán)卓越優(yōu)秀項(xiàng)目獎。目前擔(dān)任SID北京分會專業(yè)技術(shù)委員會委員。



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