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          碳時代開啟:碳納米管與石墨烯技術分析

          作者: 時間:2017-10-27 來源:網絡 收藏

            利用已發(fā)現20多年的碳納米管和發(fā)現10年的等微細碳材料,電子部件終于開始實用化。包括最近性能大幅提高的金剛石半導體在內,“碳電子”將大大改變電子部件和電子電路的形態(tài)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201710/368754.htm

            “我的夢想是用碳(C)取代硅(Si),實現全部用碳制造電子電路的全碳化”、“3000年前是青銅器(Cu)時代,20世紀前半期是鐵(Fe)時代,之后是硅時代,而今后將是碳時代”。

            一位碳材料研究人員就研究的意義和目標如此說道。尤其是電子電路的全碳化,可以說是碳材料研究人員的共識。如今,這個夢想正朝著實現奮進。如果全碳化成為現實,電子產品將比現在更輕量、更結實,柔性產品也能實現超高性能,而且價格會大幅降低。

            鴻海開發(fā),華為采用

            碳化的動向似將從電子產品的外圍向中心進發(fā)。個人電腦等的機殼材料就常使用碳纖維增強樹脂基復合材料(CFRP)。其最大優(yōu)點是,既輕又結實。

            在電子產品的內部,碳作為導電材料的使用雖未能取得進展,但2013年中期終于在觸摸面板和太陽能電池等上開始了實用化。觸摸面板配備在了中國華為技術有限公司于2013年5月上市的智能手機上。

            觸摸面板的開發(fā)商是臺灣鴻海精密工業(yè)在中國大陸的集團公司——中國富納源創(chuàng)(CNTouch)。為高度兼顧透明性和導電性而采用了管狀碳材料——碳納米管(CNT)。

            備注:

            碳納米管(CarbonNanotube)即管狀碳材料。把碳原子以蜂窩狀相連的薄膜()再制成管狀。管的直徑細至0.4nm~50nm。根據把薄膜卷成管狀的方法的不同(手性),分為金屬型和半導體型。半導體型的帶隙因直徑而異。碳納米管是名城大學研究生院理工學研究科教授、NEC特別研究員飯島澄男1991年發(fā)現的。

            太陽能電池方面,從前有機薄膜太陽能電池就一直將稱為富勒烯*的足球狀碳材料作為n型半導體使用。經過長期的研究開發(fā),2013年三菱化學開始量產并開始了樣品供貨。

            富勒烯(Fullerene)即組成五元環(huán)或六元環(huán)的碳原子相互連接形成的球狀或橢球狀材料的總稱。共計由60個碳原子組成球狀的材料稱為C60。C60的五元環(huán)和六連環(huán)的連接形態(tài)與足球相同。該材料發(fā)現于1985年,三位發(fā)現者獲得了1996年的諾貝爾化學獎。

            后硅時代的有力候補

            不僅如此,已完成開發(fā)、只等著上市的材料和部件接連不斷地涌現。電容器、存儲器、各種高性能傳感器等部件也開發(fā)出了采用薄膜狀碳材料CNT和*的產品。性能十分高,如果材料量產成本降低,便能立即實用化的開發(fā)案例非常多。

            備注:

            石墨烯(Graphene)=六個碳原子組成六元環(huán),然后再相連形成蜂窩狀薄膜的材料。也是構成石墨的基本單位。認識這種基本單位是在1962年,但從石墨中以不含雜質的形式分離出來是在2004年。是用膠帶轉印的機械剝離法實現的。實現了分離,而且探明了大量特殊物理性質的兩人獲得了2010年的諾貝爾物理學獎。

            金剛石半導體的實用化也在研究人員的考慮之中。意在以前只能使用真空管的用途。比如用于電力系統(tǒng)控制和電視臺發(fā)射塔的高耐壓控制元件等。

            接下來,可以稱之為全碳化的核心、用碳材料實現超越硅極限的高性能IC和微處理器的技術也看到了曙光。目前已經集成出了CNT晶體管,試制了原始的微處理器,并確認了工作情況。

            IBM公司表示,利用CNT晶體管和現有的半導體制造工藝,有可能實現與目前的高性能微處理器相匹敵的晶體管集成度。正以本世紀20年代上半期實現實用化為目標推進開發(fā)。

            材料潛力超高

            碳材料受到關注,全碳化目標備受矚目主要有兩大理由。(1)碳材料的基本特性遠遠高于其他材料、(2)碳為常見元素,采購成本低。

            關于(1),在電特性、導熱性和機械特性三方面均遠遠高于其他材料。電特性方面,單層CNT和石墨烯的載流子遷移率在室溫環(huán)境下理論上為10萬~20萬cm2/Vs,實測值也達到3萬cm2/Vs,是硅的20~100倍。對大電流的耐性也高達銅(Cu)的1000倍。

            導熱率與其他材料相比也非常高。例如,CNT和石墨烯的導熱率是硅的20~30倍,是銅(Cu)和銀(Ag)的約10倍,即使與以前導熱率最高的金剛石相比,也高達其2倍左右。

            機械特性方面,破壞強度達到鋼鐵的約20倍以上,硬度也與金剛石相當或者更高。比表面積為1300~2600m2/g,在相同表面的材料中為最輕。

            還有潛力作受光元件

            CNT和石墨烯的光學特性也很高。二者均為直接躍遷型、即非常容易發(fā)光的材料,而硅正好相反,是難以發(fā)光的材料。石墨烯還具有電磁波吸收率不受頻率影響的特點。

            而且,石墨烯還有很多其他碳材料所不具備的性質。例如,具備極高的阻隔性能,不會透過氦原子;因形狀的不同而具備磁性,等等注2)。

            注2)除此之外還具備幾何學相位Berry相位,石墨烯上的電子的有效質量像光子一樣為零。

            關于(2)碳為常見材料這一點,與以硅為基礎的電子部件相比,有望大幅降低成本。這是因為碳材料成本本身就很低,而且還能大幅簡化制造裝置。說得極端點,就連鉛筆也能成為制造裝置。用鉛筆寫字繪畫,就如同涂布了石墨烯。實際上已經有了用鉛筆制作電池和傳感器的例子。

            開發(fā)制造技術尚需時間

            雖然這些材料潛力非常高,但迄今基本沒在電子領域應用過。CNT的發(fā)現已經20年有余,石墨烯也發(fā)現有10年了,金剛石更是歷史悠久,但一直都處于“默默無聞”的狀態(tài)。

            原因在于,沒有能夠發(fā)揮這種高潛力的材料合成技術和電子部件制造技術。尤其是合成材料時,存在純度低、結晶缺陷多的課題,量產極為困難。獲得高品質CNT和石墨烯的精煉成本非常高,最終價格會達到每克幾十萬~幾百萬日元。

            碳用于電子部件時的課題也還很多。合成的單層CNT直徑為0.4nm~幾十nm,石墨烯每個原子的厚度只有約0.3nm,難以處理。而且,用于晶體管也存在深刻的課題,比如單層CNT一般呈金屬型和半導體型混合的狀態(tài)、石墨烯不能直接作為半導體使用,等等。

            碳材料的應用在最近突然呈暴發(fā)性成長,是因為這材料合成技術和電子部件制造技術的課題取得了巨大進展。雖然在充分發(fā)揮碳材料本來的實力方面還處于研發(fā)途中,但碳材料的高潛力已初露端倪。



          關鍵詞: 石墨烯

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