物聯(lián)網領域，NB-IOT之后下一個爆發(fā)點是MEMS

　　隨著2016年NB-IOT的R3核心標準凍結，迎來了一波物聯(lián)網的熱，這一輪NB-IOT持續(xù)了一年多，很快就會進入下一個階段，在NB-IOT之后，物聯(lián)網領域哪些技術會有大機會?

　　當然物聯(lián)網平臺、邊緣計算一定都是未來的機會，這個稍微有點常識的都會知道這兩個是未來的機會，我就不在這里說了!

　　根據NB-IOT特點尋找

　　看一下NB-IOT包括五個特點：

　　低功耗：10年電池壽命

　　低成本：極低的模組成本

　　廣覆蓋：20dB+增強，10公里覆蓋

　　大容量：沒消去5萬終端。

　　抓住NB-IOT里兩個重要特點：低功耗，低成本。

　　未來設備通訊方式要求低功耗，低成本。他們未來的產品上低功耗，低成本都會是未來物聯(lián)網領域的主要特點。

　　看下物聯(lián)網的發(fā)展瓶頸

　　從時間軸上看物聯(lián)網發(fā)展：

　　首先遇到的瓶頸是連接的瓶頸，所以第一步是解決連接問題，實現(xiàn)大量設備的連接。

　　第二步會遇到感知的瓶頸，第二步會有更多物的狀態(tài)的感知，形成大數據。

　　第三步會遇到智能的瓶頸，初始智能已經實現(xiàn)，未來自學習，雙向聯(lián)動智能化更為重要。

　　NB-IOT解決的是低功耗，低成本設備的連接問題，而低功耗，低成本設備的感知問題用什么解決?

　　抓住三個關鍵詞：低功耗、低成本、感知，我認為MEMS會是下一輪爆發(fā)的物聯(lián)網技術。

　　什么是MEMS

　　微機電系統(tǒng)(MEMS)技術是特征尺度跨越微米和納米兩個鄰微小領域的高新技術，是武器裝備信息化的關鍵核心技術，包括：MEMS靜電馬達，硅微型傳動機構，MEMS智能微塵，硅微陀螺，芯片原子鐘。

　　隨著技術的發(fā)展，過去20年中一直遵循Moor定律：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

　　隨著IC行業(yè)的發(fā)展，摩爾定律事否會失效?

　　但超越摩爾定律，會有三個發(fā)展方向：

　　特征尺寸繼續(xù)等比例縮小并立體化;

　　集成電路(IC)將發(fā)展成為芯片系統(tǒng)(SoC);

　　微電子技術與其他領域相結合將產生新的產業(yè)和新的學科，MEMS為代表的微系統(tǒng)技術就是重要顛覆技術之一。

　　MEMS與IC的區(qū)別是：MEMS具有可動結構，利用微納技術同時加工出機械結構和電路系統(tǒng)。

　　MEMS特點

　　微型化、低成本、低功耗，高可靠。

　　高精度。

　　高集成度。

　　高性能。

　　其他特點不虛多講，低成本、低功耗、高集成度，這三個特點值得關注。

　　在NB-IOT通訊完善之后，必然激發(fā)對低功耗、低成本、體積小的傳感器的需求。MEMS技術已經發(fā)展很多年，廣泛存在，現(xiàn)在手機上已經有很多MEMS傳感器。而物聯(lián)網的普及必然激發(fā)MEMS傳感器的需求。