三星考慮明年擴大DRAM產(chǎn)能，恐改變目前供給緊俏格局

　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，由于DRAM廠近兩年來產(chǎn)能擴張幅度有限，加上制程轉(zhuǎn)換的難度，DRAM供給成長明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾，DRAM合約價自2016年中開啟漲價序幕。然而，三星傳出在考慮提高競爭者進(jìn)入門檻的情況下，可能將擴大DRAM產(chǎn)能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價為例，從去年中開始起漲，由當(dāng)時的DDR4 4GB 13美元均價拉升至今年第四季合約價30.5美元，報價連續(xù)六個季度向上，合計漲幅超過130%，帶動相關(guān)DRAM大廠獲利能力大幅提升。截至目前為止，三星第二季度DRAM事業(yè)營業(yè)利益率來到59%，SK海力士也有54%的表現(xiàn)，美光亦達(dá)44%。展望第四季，DRAM合約價持續(xù)上漲，各家廠商的獲利能力亦可望繼續(xù)攀升。

　　三星擴產(chǎn)目的維持1-2年技術(shù)領(lǐng)先，提升新進(jìn)者進(jìn)入門檻

　　正因DRAM產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入寡占格局，理論上廠商對于高獲利的運作模式是樂觀其成，然而，在連續(xù)數(shù)季內(nèi)存價格上升的帶動下，SK海力士、美光皆累積許多在手現(xiàn)金。有了豐沛的資源，SK海力士將在年底進(jìn)行18nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)，無錫二廠也將在明年興建，預(yù)計2019年產(chǎn)出;美光借著股價水漲船高之際宣布現(xiàn)金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產(chǎn)能與制程升級上預(yù)做準(zhǔn)備，此舉無疑激起三星的警戒心，使得三星開始思索DRAM擴產(chǎn)計劃。

　　三星可能采取的擴產(chǎn)動作，除了是應(yīng)對供給吃緊狀況，最重要的是借助提高DRAM產(chǎn)出量，壓抑內(nèi)存價格上漲幅度。雖然短期內(nèi)的高資本支出將帶來折舊費用的提升，并導(dǎo)致獲利能力下滑，但三星著眼的是長期的產(chǎn)業(yè)布局與保有其在DRAM市場的領(lǐng)先地位，以及與其他DRAM大廠維持1-2年以上的技術(shù)差距。此外，明年堪稱中國內(nèi)存發(fā)展的元年，三星透過壓低DRAM或是NAND的價格，將能提升中國競爭者的進(jìn)入門檻，并使競爭對手虧損擴大、增加發(fā)展難度并減緩其開發(fā)速度。

　　SK海力士與美光可望跟進(jìn)擴產(chǎn)，2018年DRAM供給成長率將達(dá)22.5%

　　DRAMeXchange指出，三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線，部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM，并全數(shù)采用18nm制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)，預(yù)計三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80-100K，也代表三星的DRAM產(chǎn)能可能由2017年底的390K一口氣逼近至500K的水平，亦將帶動三星明年位元產(chǎn)出供給量由原本預(yù)估的18%成長上升至23%。

　　從整體DRAM供給來看，2018年供給年成長率將來到22.5%，高于今年的19.5%，亦即明年DRAM供需缺口將可能被彌平，預(yù)期SK海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高，為DRAM市場增添新的變量。

　　然而，DRAMeXchange認(rèn)為，三星此舉將可能改變DRAM市場供給緊俏格局，只是修正目前競爭對手的超額利潤，降為較合理獲利結(jié)構(gòu);再者，隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash轉(zhuǎn)往DRAM，將可望降低明年NAND Flash供過于求的情形，并進(jìn)而減緩整體NAND Flash平均售價(average selling price)下滑的速度。三星擴廠或許對2018年DRAM市場將帶來部分沖擊，但就整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展來看未必是負(fù)面消息。