MOS管功率損耗竟然還可以這么測

　　MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?

　　1.1功率損耗的原理圖和實測圖

　　一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計。

　　圖 1開關管工作的功率損耗原理圖

　　實際的測量波形圖一般如圖 2所示。

　　圖 2開關管實際功率損耗測試

　　1.2MOSFET和PFC MOSFET的測試區(qū)別

　　對于普通MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同，因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于PFC MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形都不相同，因此功率損耗的準確評估依賴較長時間(一般大于10ms)，較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲，此時需要的存儲深度推薦在10M以上，并且要求所有原始數(shù)據(jù)(不能抽樣)都要參與功率損耗計算，實測截圖如圖 3所示。

　　圖 3 PFC MOSFET功率損耗實測截圖

　　1.3MOSFET和PFC MOSFET的實測演示視頻

　　開關損耗測試對于器件評估非常關鍵，通過示波器的電源分析軟件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，ZDS3000/4000系列示波器免費標配電源分析軟件。