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          三星宣布全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS閃存

          作者: 時(shí)間:2017-12-06 來源:IT之家 收藏
          編者按:據(jù)介紹,三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。

            12月5日消息電子今天宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存(),以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201712/372587.htm

            為了最大限度發(fā)揮512GB 的性能和能源效率,推出了一套新的獨(dú)家技術(shù)。512GB 控制器采用64層512Gb V-NAND先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和新的電源管理技術(shù),將能源消耗降到最低。另外,512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉(zhuǎn)換為物理塊地址的映射過程。

            三星512GB eUFS讀寫性能也非常強(qiáng)大。512GB嵌入式存儲(chǔ)器的順序讀寫速度分別達(dá)到860MB/s和255MB/s,能夠在6秒內(nèi)將5GB的全高清視頻片段傳輸?shù)絊SD,相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。

            對(duì)于隨機(jī)操作,三星512GB eUFS可以讀取42,000 IOPS并寫入40,000 IOPS?;趀UFS的快速隨機(jī)寫入,比傳統(tǒng)micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍,移動(dòng)用戶可以享受無縫的多媒體體驗(yàn),如高分辨率連拍,以及雙重文件搜索和視頻下載應(yīng)用程序查看模式。

            另外,三星還計(jì)劃穩(wěn)步增加其64層512Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量,并擴(kuò)大256Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量,以滿足高級(jí)嵌入式移動(dòng)存儲(chǔ)以及高密度、高性能的高級(jí)固態(tài)硬盤和可移動(dòng)存儲(chǔ)卡的需求。



          關(guān)鍵詞: 三星 eUFS

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