三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告，開(kāi)了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預(yù)測(cè)明年NAND將供過(guò)于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯(cuò)看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。

　　韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見(jiàn)此)，IHS Markit報(bào)告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí)，明年全球NAND需求提高36.7%至2,424億GB，供給超出需求17億GB，供給過(guò)剩比率約為0.7%。

　　盡管NAND轉(zhuǎn)跌，DRAM價(jià)格仍旺，業(yè)界人士說(shuō)，三星也許會(huì)減產(chǎn)NAND、增產(chǎn)DRAM。 美系外資附和此一看法，推測(cè)三星平澤廠的二樓產(chǎn)線，可能從生產(chǎn)NAND改為生產(chǎn)DRAM。 若真是如此，該外資預(yù)估，明年NAND供給將短缺0.7%，供不應(yīng)求情況到明年第三、四季更為嚴(yán)重，將分別短缺2%、3.2%，吃緊情況為去年第四季以來(lái)之最。

　　部分觀察家則說(shuō)，另一個(gè)可能影響產(chǎn)出的因素是制程轉(zhuǎn)換的技術(shù)問(wèn)題，也許會(huì)讓增產(chǎn)幅度小于預(yù)期。 技術(shù)難度不斷提高，過(guò)去六、七年來(lái)，業(yè)者投資規(guī)模大致維持不變，但是產(chǎn)出成長(zhǎng)幅度卻減半。 隨著三星和SK海力士轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，結(jié)果或許好壞參半，壓縮成長(zhǎng)增幅。

　　嘉實(shí)XQ全球贏家系統(tǒng)報(bào)價(jià)顯示，臺(tái)北時(shí)間5日上午9點(diǎn)36分，三星電子走低0.74%、報(bào)2,548,000韓圜。 SK海力士下跌1.01%、報(bào)78,300韓圜。

　　在此之前，另一韓媒也說(shuō)，三星平澤廠二樓主要用于生產(chǎn)DRAM，但是警告此舉也許會(huì)讓DRAM供過(guò)于求。

　　韓媒etnews 4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星平澤廠區(qū)的半導(dǎo)體一號(hào)廠，共有兩層樓。 一樓設(shè)有餐廳和辦公室等，剩余空間較少，每月只能生產(chǎn)10萬(wàn)組芯片。 二樓空間較多，每月可生產(chǎn)20萬(wàn)組芯片。 二樓分為東西兩翼，東翼預(yù)定生產(chǎn)7萬(wàn)組3D NAND flash和3萬(wàn)組DRAM、西翼預(yù)定生產(chǎn)10萬(wàn)組DRAM，三星不久后應(yīng)會(huì)下單采購(gòu)DRAM設(shè)備。

　　報(bào)導(dǎo)稱，要是三星加快投資腳步，并決定把二樓多用于生產(chǎn)DRAM，DRAM可能供過(guò)于求，價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌。 業(yè)界人士說(shuō)，內(nèi)存價(jià)格取決于三星投資速度;不僅如此，三星的西安廠可能也會(huì)投資增產(chǎn)(應(yīng)為NAND flash)，料于2018年底或2019年啟動(dòng)。