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          南亞科:明年DRAM市場穩(wěn)健,Q1供貨仍吃緊

          作者: 時間:2017-12-18 來源:工商時報 收藏

            今年市場強勁成長,技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊,平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018,預(yù)期明年整體市場供需均衡且健康,市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201712/373138.htm

            隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運算等應(yīng)用,促進半導體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展,DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件,帶動今年內(nèi)存市場強勁成長逾50%。

            展望2018年,預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能,DRAM位年成長率在20%~25%,預(yù)估2018年需求將較2017年成長23%,預(yù)期2018年DRAM市場將持續(xù)維持穩(wěn)健的態(tài)勢。

            2017年全球半導體市場預(yù)計大幅成長20%,規(guī)模達4,111億美元,內(nèi)存市場年成長更高達57%,規(guī)模達1,260億美元,2017年內(nèi)存市場營收占半導體市場31%。

            內(nèi)存市場于2017年突破1200億美元規(guī)模,預(yù)估2017年DRAM市場成長率67%,產(chǎn)值685億美元,預(yù)估2017年NAND Flash市場成長率51%,產(chǎn)值535億美元,DRAM加NAND占內(nèi)存市場總產(chǎn)值97%。

            就內(nèi)存產(chǎn)業(yè)資本支出來看,NAND資本支出持續(xù)大幅提升,以作為擴充3D NAND產(chǎn)能所需,相對而言,DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能;預(yù)估,2018年DRAM位年成長率20%~25%, 2018年下半起將有新增DRAM產(chǎn)能投入量產(chǎn),NAND位年成長率則達40%~45% ;預(yù)估2018年全球DRAM平均月產(chǎn)能將由2017年113.3萬片微幅提升至2018年121萬片,預(yù)期2018年DRAM市場供需均衡且健康。



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