兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機

　　搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。

　　DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高達720億美元。

　　為迎合市場龐大需求，三星內(nèi)存事業(yè)部門總裁Gyoyoung Jin表示，第二代DDR4 DRAM的電路設(shè)計與制程新技術(shù)，讓該公司突破DRAM擴展性的主要障礙;三星將加速新產(chǎn)品的量產(chǎn)，同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。

　　據(jù)悉，三星第二代10奈米制程所生產(chǎn)的8Gb DDR4 DRAM，比第一代在生產(chǎn)效率上提高了近30%。 同時，為提升DRAM效能，該組件使用全新技術(shù)，分別為高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)及「空氣間隔」方案，而非過往的EUV技術(shù)。

　　三星指出，透過高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)，可更精準確定每個內(nèi)存單元內(nèi)儲存的數(shù)據(jù)，提升電路整合度以及制造生產(chǎn)力;而在字符線(Bit Lines)周遭放置空氣間隔，可降低寄生電容，達到更高等級的微縮及快速的單元運作。

　　新技術(shù)的加持讓第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省電效益分別提高了約10%和 15%;且每個引腳能以每秒3,600Mbit/s的速度運行，比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度，提升10%以上。

　　三星指出，在第二代10奈米等級DRAM所采用的創(chuàng)新技術(shù)，將讓該公司能加速未來DRAM芯片的問世，包括DDR5、HBM3、LPDDR5與GDDR6，用于企業(yè)服務(wù)器、超級計算機、高性能運算系統(tǒng)，以及行動設(shè)備等。

　　目前三星已和CPU制造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模塊的驗證，接下來計劃將與全球IT企業(yè)緊密合作，開發(fā)更高效的運算系統(tǒng)。 未來三星除迅速增加第二代10奈米DRAM產(chǎn)量外，也將持續(xù)生產(chǎn)更多第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量，以滿足日益增長的DRAM市場。