復旦大學設(shè)計出新型態(tài)光敏感性半導體內(nèi)存
近日有研究團隊基于原子級薄度的半導體設(shè)計出一種內(nèi)存,除了具有良好的性能,也可以在完全不需要電力輔助的情況下,用光線就能消除儲存數(shù)據(jù),團隊認為這種新的內(nèi)存在系統(tǒng)整合型面板(System on Panel)上, 具有十分大的應(yīng)用潛力。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201801/373841.htmPhys.org 報導,復旦大學和中國科學院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關(guān)研究人員最近在新的應(yīng)用物理學快報(AIP)期刊上發(fā)表了一個關(guān)于新型態(tài)內(nèi)存的論文。
由于大多數(shù)現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)都太過笨重,無法整合應(yīng)用在顯示面板上,研究人員一直都在研究全新的設(shè)計和材料,試圖制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設(shè)備。
在這項新的研究中,研究人員透過二維過度金屬材料「二硫化鉬」(MoS2)的應(yīng)用,創(chuàng)造出一種原子級薄度的半導體,它的電導率(conductivity)可以被精細的調(diào)整,進而形成具有高開關(guān)電流比的內(nèi)存基礎(chǔ)組件。
除此之外,團隊也在測試中證實,這類型內(nèi)存具有運行速度快、大容量的內(nèi)存空間和優(yōu)異的保存性,研究人員估計,即使處在 85°C(185°F)的高溫下 10 年,儲存空間仍可以保存原有的 60% 左右,對于實際應(yīng)用來說仍然足夠。
過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性(photoresponsive),這意味著一些性質(zhì)可以運用光來控制,為了了解實際應(yīng)用情況,團隊也實際進行了相關(guān)實驗,結(jié)果他們發(fā)現(xiàn),當光線照射到已編程的存儲設(shè)備上時,儲存數(shù)據(jù)被完全消除, 但同時運用電壓抹除信息的方式也仍然可以使用。
合著人 Hao Zhu 表示,團隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間,來大規(guī)模整合這種儲存組件。 研究人員相信未來這種儲存設(shè)備,將會在系統(tǒng)整合型面板的應(yīng)用上扮演重要角色。
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