今年DRAM產(chǎn)能增長10% 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“三高”產(chǎn)值逼進(jìn)5000億美元

　　據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新指出，2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將首度突破4000億美元的大關(guān)，而2018年仍會是樂觀成長的一年，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)值將成長4%-8%，且2019年產(chǎn)值將可望挑戰(zhàn)5000億美元關(guān)口。

　　SEMI臺灣區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆表示，2017年是全球半導(dǎo)體產(chǎn)值破紀(jì)錄的一年，年成長率達(dá)20%，主因是存儲器強(qiáng)勁成長的帶動，其中，DRAM產(chǎn)值年成長75%、儲存型閃存產(chǎn)值(NAND Flash)年成長45%、其他IC產(chǎn)值年成長9%。

　　三星、海力士、美光擴(kuò)產(chǎn) ，今年DRAM產(chǎn)能成長挑戰(zhàn)10%

　　DRAM和 NAND Flash是這兩年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)欣欣向榮的重要推手，尤其是在2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4,000億美元中，受DRAM漲價潮帶動功不可沒。據(jù)SEMI預(yù)估，在三星電子、SK海力士持續(xù)擴(kuò)展DRAM產(chǎn)能下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能成長10%，這會是較大的成長，然終端需求也急起直追，估計到2021年，DRAM年成長率上看30%。

　　觀察全球DRAM產(chǎn)業(yè)三大陣營三星、海力士、美光，其中三星、SK海力士兩大韓系原廠在擴(kuò)產(chǎn)腳步上加速，包括三星在南韓平澤(Pyeongtaek)的P1廠房和Line 15生產(chǎn)線，以及SK海力士的M14生產(chǎn)線;另外，美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴(kuò)產(chǎn)計劃，但目前擴(kuò)產(chǎn)的主力仍是在韓系兩大廠商。

　　除了DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)外，針對NAND產(chǎn)業(yè)，目前有擴(kuò)產(chǎn)計劃的業(yè)者包括三星平澤廠、SK海力士的M14生產(chǎn)線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)等。

　　SEMI估計，2017年DRAM廠設(shè)備支出約130億美元，較2016一年成長了一倍，預(yù)計2018年持續(xù)成長至140億美元水準(zhǔn);2017年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出約190億美元，較2016年100億美元有飛躍式成長，預(yù)計2018年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出上看200億美元。

　　事實(shí)上，無論是DRAM和NAND陣營對于擴(kuò)增產(chǎn)能都滿懷信心，但不要忽略，在物聯(lián)網(wǎng)、AI、汽車電子和消費(fèi)類電子的應(yīng)用驅(qū)動下，需求端也是呈現(xiàn)井噴式發(fā)展態(tài)勢。2017年半導(dǎo)體的主要成長來源是DRAM、NAND、傳感器、光電和分離式元件，預(yù)期這些應(yīng)用今年仍會持續(xù)驅(qū)動產(chǎn)業(yè)成長，另外，無線、車用與消費(fèi)類電子產(chǎn)品等應(yīng)用需求也將進(jìn)一步成長。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“三高”氣勢旺，國產(chǎn)化優(yōu)勢逐步顯現(xiàn)

　　在2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值突破4,000美元大關(guān)中，3D NAND大廠、DRAM原廠、晶圓代工廠三路人馬均在擴(kuò)產(chǎn)搶占市場，這也激發(fā)出半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)難得一見的巨大商機(jī)，面對2018年，整個全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會出現(xiàn)前所未見的欣欣向榮局面。

　　“六大3D NAND廠、三大DRAM陣營、兩岸晶圓代工廠擴(kuò)產(chǎn)，帶動2017年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出達(dá)570億美元，創(chuàng)下歷史新高記錄。”國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI預(yù)測，2018年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出更會達(dá)到630億美元，再度攀上高峰!

　　除了全球半導(dǎo)體產(chǎn)值和半導(dǎo)體設(shè)備投資創(chuàng)新高外，2017年硅晶圓出貨量也出現(xiàn)新高。此即為2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“三高”，分別是產(chǎn)值銷售金額創(chuàng)新高、設(shè)備支出創(chuàng)新高、硅晶圓出貨量創(chuàng)新高。

　　綜觀3D NAND、DRAM、晶圓代工三大陣營的擴(kuò)產(chǎn)現(xiàn)況，在3D NAND產(chǎn)業(yè)方面，計劃擴(kuò)產(chǎn)的有三星平澤廠、SK海力士的M14生產(chǎn)線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)等;在DRAM產(chǎn)業(yè)方面，則有三星平澤P1廠房和Line 15生產(chǎn)線、SK海力士M14生產(chǎn)線、美光廣島的Fab 15和Fab 16。

　　根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年DRAM產(chǎn)能增加幅度上看10%;3D NAND產(chǎn)能成長幅度高達(dá)48%;晶圓代工達(dá)5%。

　　在晶圓代工產(chǎn)業(yè)方面，有12寸廠的擴(kuò)產(chǎn)計劃的包括臺積電沖刺7納米和5納米制程的Fab 12/14/15晶圓廠;三星的S2和S3;GlobalFoundries的Fab1/8/11;中芯國際的北京廠B2、上海新廠、深圳新廠、聯(lián)電的Fab 12A P5和廈門廠。

　　受此建廠狂潮，最大受益者莫過于半導(dǎo)體機(jī)臺設(shè)備商，尤其是3D NAND產(chǎn)業(yè)和20納米以下制程技術(shù)大量使用蝕刻機(jī)臺，其次是CVD機(jī)臺，相關(guān)設(shè)備商會最先受惠。

　　而在全球各地的設(shè)備支出金額方面，2017年韓國受惠三星、SK海力士大力擴(kuò)產(chǎn)DRAM產(chǎn)能，韓國以180億美元取代臺灣躍升為全球最大的支出市場，其次是臺灣的126億美元;此外，SEMI預(yù)計，2018年韓國將持續(xù)以169億美元穩(wěn)居第一，而中國大陸可能取代臺灣，成為全球第二大設(shè)備支出市場。

　　另值得注意的是，2018年中國半導(dǎo)體設(shè)備材料支出的后勁將會逐步顯現(xiàn)。由于2018年中國大陸受惠許多去年完工的晶圓廠可望進(jìn)入設(shè)備裝機(jī)階段，因此中國支出金額會有較大成長。但與過去不同的是，過去大陸的晶圓廠投資大多來自外來廠商，而在2018年大陸本土晶圓廠設(shè)備支出金額將首次趕上外來廠商水準(zhǔn)，包括長江存儲、福建晉華、華力微電子、合肥長鑫等許多新進(jìn)業(yè)者都計劃在中國大陸大舉投資設(shè)廠的計劃，并且建置，產(chǎn)業(yè)格局將逐步改變。