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          納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術論壇活動上
          
						
          
				作者：
				時間：2018-01-29
				來源：電子產品世界

				
				
				
				
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          　　納微 (Navitas)半導體宣布其現(xiàn)場應用及技術營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201801/375067.htm
          　　黃萬年表示：“在四十多年來一直采用慢速且低效的硅組件之后，現(xiàn)時電力電子產業(yè)正進入一個令人興奮的新材料、新器件、新磁學、新控制器及富有想象力的拓樸的新時代。納微非常期待展示如何在氮化鎵組件中實現(xiàn)功率、驅動和邏輯的單片化集成，為智能手機、膝上型計算機、消費產品、電視和新能源應用提供新一代高效、高密度的充電器及適配器。”
          　　該論壇將于2018年1月30日下午1:00至5:10于臺北科技大學億光大樓二樓集思北科大會議中心舉行，此活動詳情請參見網頁http://www.mem.com.tw/meeting_arti.php?sn=1712190001。
          　　如果想參加該論壇，請發(fā)送電郵至info@navitassemi.com，或是致電聯(lián)絡+1 ThinkGaNIC (+1 844-654-2642)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            納微
                        SiC
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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          技術專區(qū)
          
      
          
      
          
			
      
           
       

          

   










          
	
          
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