安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)。

　　安森美半導體最新發(fā)布的650 V SiC 二極管系列提供6安培(A)到50 A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容量和正溫度系數(shù)。

　　工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。

　　這些650 V器件提供的系統(tǒng)優(yōu)勢包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓(VF)及SiC二極管的無反向恢復電荷能減少功率損耗，因而提高能效。SiC二極管更快的恢復速度令開關速度更高，因此可以縮減磁性元件和其他無源元件的尺寸，實現(xiàn)更高的功率密度和更小的整體電路設計。此外，SiC二極管可承受更高的浪涌電流，并在 -55至 +175°C的工作溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定性。

　　安森美半導體的SiC肖特基二極管具有獨特的專利終端結(jié)構(gòu)，加強可靠性并提升穩(wěn)定性和耐用性。此外，二極管提供更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非鉗位感應開關(UIS)能力和最低的電流泄漏。

　　安森美半導體MOSFET業(yè)務部高級副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示：“安森美半導體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現(xiàn)有的1200 V SiC器件相輔相成，為客戶帶來更廣泛的產(chǎn)品范圍。SiC技術利用寬帶隙 (WBG) 材料的獨特特性，比硅更實惠，其穩(wěn)健的結(jié)構(gòu)為嚴苛環(huán)境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設計更小的新器件。”

　　封裝與定價

　　650 V SiC二極管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封裝，每千件的單價為1.30美元至14.39美元。

　　欲了解更多安森美半導體SiC產(chǎn)品組合如何實現(xiàn)更高的能效和可靠性，請訪問碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品網(wǎng)頁，以及博客《碳化硅二極管的最低功率損耗可實現(xiàn)最高功率密度》。

　　歡迎蒞臨安森美半導體在美國APEC #601號展臺，觀看SiC MOSFET和二極管的現(xiàn)場演示，展示安森美半導體最新的仿真建模技術如何精確地匹配真實的器件工作。