ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級高效率與軟開關兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”

　　<概要>

　　全球知名半導體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關版)”，共21種機型。這些產品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機及功率控制板工業(yè)設備、空調、IH(感應加熱)等消費電子產品的通用變頻器及轉換器的功率轉換。

　　此次開發(fā)的新系列產品采用薄晶圓技術及ROHM獨有結構，在具有權衡關系的低導通損耗和高速開關特性方面，獲得了業(yè)界頂級的性能。例如，在交錯式PFC電路中使用時，與以往產品相比，輕負載時效率提升1.2%，重負載時效率提升0.3%，有助于進一步降低應用的功耗。另外通過元器件內部的優(yōu)化，實現了順暢的軟開關。與同等效率的普通產品相比，成功減少50%電壓過沖※4，從而減少以往需要用來對策的部件數量，可顯著減輕設計負擔。

　　本系列產品已于2017年10月開始出售樣品(樣品價格400日元～/個：不含稅)，并于2017年12月開始暫以月產10萬個的規(guī)模開始量產。前期工序的生產基地為藍碧石半導體宮崎株式會社(日本宮崎縣)，后期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰國)。

　　<背景>

　　近年來，隨著IoT進程帶來的數據量増加，對數據中心高性能化的要求越來越高。不僅服務器本身，包括進行主體電源穩(wěn)定供給所不可欠缺的UPS等在內，系統整體的功耗量顯著增加，進一步降低功耗已成為重要課題。

　　另外，在使用IGBT的大功率應用中，為確保設備的可靠性，必須對可引發(fā)元器件故障或設備誤動作的開關時的過沖采取措施，簡化需求日益迫切。

　　<特點>

　　1.實現業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關性能

　　在本新系列產品中，利用薄晶圓技術使晶圓厚度比以往產品再薄15%，另外采用ROHM獨創(chuàng)的單元微細化結構，成功實現業(yè)界頂級的低導通損耗(VCE(sat)=1.5V)和高速開關特性(tf=30～40ns)。

　　2.實現軟開關，減輕設備的設計負擔

　　通過元器件內部優(yōu)化，實現了ON/OFF順暢切換的軟開關。由此，開關時產生的電壓過沖與普通產品相比減少了50%，可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數量。使用IGBT時，應用端不再需要以往需要的過沖對策，有利于減輕設計負擔。

　　<產品陣容>

　　產品陣容又新增了以“短路耐受能力保持2μs”為特點的RGTV系列和以“高速開關性能”為特點的RGW系列，能夠支持更廣泛的應用。

　　RGTV系列(短路耐受能力保持版)

　　RGW系列(高速開關版)

　　<應用>

　　工業(yè)設備(UPS(不間斷電源)、焊接機、功率控制板等)、空調、IH(感應加熱)　等

　　<術語解說>

　　※1 導通損耗

　　MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結構的緣故，在電流流動時發(fā)生電壓下降。

　　導通損耗是因這種元器件的電壓下降而產生的損耗。

　　※2　IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極晶體管)

　　MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性兼?zhèn)涞墓β示w管。

　　※3　短路耐受能力

　　對引起元器件損壞的短路(電子電路的2點用低阻值的電阻器連接)

　　的耐受能力。

　　※4　電壓過沖

　　開關ON/OFF時產生超出規(guī)定電壓值的電壓。

　　電壓值因過沖而暫時超出穩(wěn)態(tài)值，之后返回到接近穩(wěn)態(tài)值。