韓、臺存儲器廠商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期

　　長期以來，我國的NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片的需求幾乎全部靠進(jìn)口來解決，市場長期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。

　　以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%，閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29%，閃存市場占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據(jù)了全球75%的內(nèi)存市場以及閃存市場的半壁江山。如果再加上美光的市場份額，這三家企業(yè)的全球內(nèi)存市場份額之和達(dá)到了95%。

　　毫無疑問，現(xiàn)在存儲市場話語權(quán)仍被這幾家外國企業(yè)控制。但在國家政策支持、大量資金投入后，國內(nèi)存儲企業(yè)取得了不小的突破。2018年下半年，以NAND閃存為主的長江存儲、以DRAM為主合肥長鑫和福建晉華都會開始試產(chǎn)，并于2019年開始量產(chǎn)，雖然短時間內(nèi)尚未形成較大規(guī)模，但未來幾年勢必會對壟斷的存儲器市場帶來一定的影響，這幾年的空檔期內(nèi)將是DRAM市場上最后的紅利期。

　　對于中國大陸企業(yè)的進(jìn)入，韓國、中國臺灣地區(qū)等存儲器企業(yè)表現(xiàn)出了自己的擔(dān)憂，并且已經(jīng)開始采取行動。在中國企業(yè)競爭力尚未形成規(guī)模之前，韓、臺等存儲器廠商已經(jīng)正在大規(guī)模的擴產(chǎn)DRAM，以期在最后的紅利期搶占更多的市場，獲得更多的利潤。

　　韓廠商在DRAM上動作不斷

　　去年的這個時候，正是存儲芯片漲價漲得最歡的時候，市場缺貨引發(fā)了價格的不斷飆升。三星為了鞏固自己在存儲芯片的統(tǒng)治地位，于2017年7月宣布至少投資約186.3億美元用于生產(chǎn)線的建設(shè)。

　　當(dāng)時這筆資金主要用于平澤市的NAND閃存工廠建設(shè)，但隨著NAND閃存供應(yīng)能夠滿足市場需求后，三星已經(jīng)將平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線，部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM，而且三星原有的Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)，也已經(jīng)使用起來。至此，三星在DRAM的產(chǎn)能上已經(jīng)從2017年的390K上升到了500K的水平。

　　而近日，三星(中國)半導(dǎo)體存儲芯片二期項目也于西安正式開工了，這是繼2012年第一期100億美元投資之后，三星再一次重注壓在中國。

　　長期排名第二的SK海力士最近有被美光趕超的趨勢，但絲毫不影響SK海力士著手DRAM產(chǎn)業(yè)的布局。

　　和三星一樣，從2017年開始，SK海力士就將M14工廠二樓的部分NAND閃存芯片產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)DRAM，目前轉(zhuǎn)換還在進(jìn)行當(dāng)中，若搭配擴增的后段制程產(chǎn)線，產(chǎn)能將會進(jìn)一步提升。

　　2017年年底，SK海力士在重慶的工廠追加投資，增設(shè)后段制程產(chǎn)線。

　　近期在韓國將利川廠區(qū)內(nèi)的舊 LCD 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體封裝及測試用途，同時也會將現(xiàn)有的部分后段制程產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至此，并添購機臺設(shè)備進(jìn)行擴產(chǎn)。

　　除了這些，SK海力士還在中國無錫工廠投資36億美元建設(shè)新的內(nèi)存工廠，看來這是要將產(chǎn)能擴張到最大。

　　韓國廠商這些對DRAM擴產(chǎn)的動作，除了是解決市場供給吃緊的現(xiàn)狀，更有壓低內(nèi)存價格上漲的意思。不得不說這些韓廠的心機較重，在中國競爭者即將進(jìn)入之際，通過壓低DRAM或是NAND的價格，可以提高進(jìn)入的門檻，讓競爭對手的壓力驟增、虧損擴大，進(jìn)而達(dá)到減緩競爭對手發(fā)展速度的目的。

　　臺灣地區(qū)上演資本支出大戰(zhàn)

　　一直以來跟在三星、SK海力士之后默默喝湯的中國臺灣存儲器廠商們近來也開始發(fā)力了。

　　其中主攻存儲器芯片設(shè)計與制造的南亞科加碼投資20納米制程，今年資本支出由原訂的115億元上調(diào)至197.1億元，增幅逾71%，規(guī)劃在明年第2季底前，將20納米制程月產(chǎn)能提升至4.7萬片，也讓南亞科DRAM月產(chǎn)能增至7.3萬片。

　　華邦電今年的資本支出也達(dá)到了182億元新臺幣，支出比去年增加了兩成。預(yù)計今年的月產(chǎn)能能夠增長至5.2萬片，明年的月產(chǎn)能增至5.4萬片，其中DRAM產(chǎn)出占比達(dá)到了50%。

　　力晶雖已宣布轉(zhuǎn)型晶圓代工，但仍有不少業(yè)務(wù)涉及到存儲芯片，而且力晶近期也宣布將斥資2780億元新臺幣建設(shè)一座12英寸新廠，預(yù)期從2020年開始，分三期完成建設(shè)。第一期到第三期的月產(chǎn)能分別是1.5萬片、3.5萬片和5萬片。

　　面對存儲器市場持續(xù)火熱，臺灣地區(qū)各大廠商選擇加大資本投入，擴大產(chǎn)出，希望能搶到更多商機，不過這同時也為未來市場供需失去平衡埋下了伏筆。

　　期待國內(nèi)存儲競爭力的到來

　　筆者在之前的《內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來》一文中曾提到過，以目前國內(nèi)存儲器廠商的研發(fā)實力以及產(chǎn)出計劃來看，起碼還需要3年時間產(chǎn)量才能形成一定的規(guī)模。存儲巨頭們一定會趁著這最后的紅利期再狠狠的賺上一筆。

　　果不其然，韓、臺地區(qū)的存儲器廠商紛紛選擇擴大產(chǎn)能，趕在中國競爭力進(jìn)入市場之前盡可能的搶占更多的市場。

　　但韓、臺雙方的目的性不盡相同，作為第一梯隊的三星、SK海力士，無疑是想通過擴大產(chǎn)能來壓低的市場價格，對即將進(jìn)入市場的國內(nèi)存儲廠商形成成本上的壓制，減緩新來者的發(fā)展腳步，讓自身的統(tǒng)治地位更穩(wěn)固。而臺灣地區(qū)的廠商由于本身技術(shù)沒有達(dá)到三星、SK海力士這一水平，競爭力有限，一旦競爭開始，將會是第一波被沖擊的目標(biāo)，只能選擇在這段時間里盡可能的多出貨。

　　總的來說，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)的競爭力相對來說依然較弱，遠(yuǎn)遠(yuǎn)還沒達(dá)到能夠撼動三星、SK海力士等巨頭地位的階段，但形成一定規(guī)模后，一定會對DRAM市場帶來部分沖擊，也會打破維系已久的產(chǎn)業(yè)平衡。未來是否會讓一直處于上漲的DRAM市況止?jié)q下跌，答案想必是肯定的。