一文讀懂28GHz 5G通信頻段射頻前端模塊
盡管5G通信系統(tǒng)需要線性放大來保持調(diào)制保真度,但為了提供一個便于比較的性能指標(biāo),還是有必要測量輸出P1dB和PAE。測量所得性能如圖8所示,可見P1dB在20.2dBm左右,并在飽和時上升到21dBm。FEM的發(fā)射通道PAE約為20%,僅在該頻帶的高段略有下降。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201806/381406.htm圖8:發(fā)射通道測得的P1dB和PAE隨頻率的變化關(guān)系
如上所述,該FEM的設(shè)計是為了實現(xiàn)從P1dB回退7dB左右時的最佳性能指標(biāo)(OIP3和PAE)。具體指標(biāo)是在100MHz間隔的雙頻測試中,IMD3(三階交調(diào)項)相對于所需有用信號,要低-35dBc。這個工作點(diǎn)很接近于該射頻前端將用于的5G系統(tǒng)的設(shè)定要求。
圖9顯示了在-35dBc的IMD3點(diǎn)工作時,測量和仿真的PAE和總射頻輸出功率的關(guān)系圖。測得的PAE達(dá)到較好的6.5%,主要是由于PA被設(shè)計工作在深A(yù)B類。總射頻輸出功率大約為13.5dBm,這對應(yīng)于+28dBm的OIP3功率。
圖9:7dB功率回退下發(fā)射通道測試和仿真所得的功率和PAE比較。
根據(jù)片上射頻通道功率檢測器的特性,可通過一個直流電壓監(jiān)測射頻輸出功率的大小。圖10給出了溫度補(bǔ)償檢測器輸出電壓“Vref-Vdet”(mV為單位,對數(shù)坐標(biāo))與輸出功率(單位dBm)的關(guān)系,包含了超過15dB的變化范圍。在對數(shù)坐標(biāo)下這個特性關(guān)系是線性的,使得功率監(jiān)測更容易。
圖10:28GHz時射頻前端模塊發(fā)射通道的片上功率檢測器輸出特性曲線
當(dāng)使用FEM的接收通道時,PA被關(guān)閉,“Vctrl1”設(shè)置為0V,LNA被偏置在+4V電源下10mA左右,此時在“LNA_Vsense”引腳上觀察到3.9V電壓。圖11給出了測量和仿真增益和噪聲系數(shù)(NF)的比較。測得的小信號增益約為13.5dB,整個頻段的增益平坦度達(dá)到±0.3dB。接收通道具有極佳的噪聲系數(shù),從27到29GHz的典型值為3.3dB,且仿真和測量到的性能之間具有良好的一致性。
圖11:接收通道測試和仿真所得增益與噪聲系數(shù)
接收通道也具有相當(dāng)不錯的線性度,且只消耗不大的功率(只有40mW:4V時10mA)。諸如P1dB和OIP3等關(guān)鍵指標(biāo)在整個頻段分別為6.2和21dBm左右。圖12是測試所得P1dB和OIP3隨頻率變化的關(guān)系。
圖12:接收通道測試所得P1dB和OIP3
4.結(jié)論
本文介紹的射頻前端MMIC將在未來的28GHz頻段5G系統(tǒng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。該模塊已經(jīng)驗證可以滿足集成到毫米波相控陣或波束切換終端的所有要求,并提供卓越的發(fā)射通道線性度和效率,同時還有出色的接收噪聲系數(shù)。發(fā)射和接收通道的關(guān)鍵性能指標(biāo)都達(dá)到了設(shè)計要求,使得該模塊非常適合毫米波5G應(yīng)用。該芯片還包括了多種實用的功能,如發(fā)射功率檢測器、發(fā)射和接收賦能電路,SPDT譯碼器電路和接收偏置監(jiān)測電路。采用最先進(jìn)的0.15μm增強(qiáng)型砷化鎵PHEMT工藝實現(xiàn)。該模塊非常易于使用常見的多通道ADC和DAC芯片進(jìn)行控制和監(jiān)測。此外,該模塊可方便地封裝在一個緊湊且低成本的5mm × 5mm QFN表貼塑料封裝中。
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