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          為什么微波輔助磁記錄(MAMR)硬盤能夠比熱輔助磁記錄(HAMR)硬盤更迅速地提升企業(yè)能力?

          作者:Brendan Collins 時間:2018-07-04 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            本文作者:Brendan Collins 公司 Device 部門市場部副總裁

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201807/382733.htm

            從大數(shù)據(jù)和其他大型數(shù)據(jù)生成應(yīng)用領(lǐng)域獲得的價值和情報,既為企業(yè)開創(chuàng)了擴(kuò)大硬盤容量的戰(zhàn)略機(jī)遇,也激化了我們在若干年前就已經(jīng)開始著手應(yīng)對的挑戰(zhàn)。在成功開發(fā)第四代氦氣硬盤后,我們即意識到,現(xiàn)有的垂直磁記錄(PMR)技術(shù)可能無法獲得更多的硬盤容量提升,于是我們很早就投入了多種的技術(shù)研發(fā),以期能夠擴(kuò)大硬盤容量。現(xiàn)在看來,我們的這一決定非常明智并為未來發(fā)展鋪平了道路,我們可以將大馬士革磁頭制造技術(shù)和能量輔助磁記錄技術(shù)相結(jié)合,用來增加PMR硬盤的容量。

            由于磁頭組件會影響硬盤擴(kuò)容,因此,如果寫入磁頭過大,則很難產(chǎn)增加面密度(即沿磁道的每英寸位數(shù)(BPI)乘以每英寸磁道數(shù)(TPI)所得結(jié)果)所需的較小磁道。每英寸磁道數(shù)越多,面密度就越大,磁盤表面可用的每平方英寸容量就越大。由于尺寸縮放受到磁道長度寫入性能的限制,為了擴(kuò)大容量,需要引入一個窄小可靠且間距更小的寫入磁頭,以容納較小的磁道。

            我們將采用大馬士革工藝生產(chǎn)的寫入磁頭與微驅(qū)動設(shè)計相結(jié)合,獲得了優(yōu)于以往干式磁極頭工藝的每英寸磁道數(shù),提升了寫入性能,可以更好地控制磁頭幾何形狀和制造工藝公差,改善了磁頭尺寸的縮放,并大幅減少了相鄰磁道干擾(ATI)。由此,我們不僅可以大幅提升可利用磁道密度,而且提升了磁頭質(zhì)量和相關(guān)產(chǎn)量。借助大馬士革制造工藝將多層材料沉積并鍍在磁頭部位,可以更好地控制磁頭形狀和尺寸,還可使用極薄的多層材料來制成復(fù)雜的磁頭結(jié)構(gòu),無論何種形狀都可制作。

            下一波硬盤擴(kuò)容

            隨著移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備產(chǎn)生的數(shù)據(jù)洪流達(dá)到新的水平,硬盤在近期需要進(jìn)一步擴(kuò)大容量并獲得更多的技術(shù)投資,與此同時,硬盤還將在未來的10-15年內(nèi)繼續(xù)為企業(yè)創(chuàng)造數(shù)十億美元的發(fā)展機(jī)遇。硬盤擴(kuò)容的下一步是需要減小介質(zhì)顆粒的尺寸,并使用較小的磁頭來磁化顆粒。大馬士革工藝旨在生產(chǎn)出更窄小的磁頭,使得每個微小磁化顆粒可以向上或向下對齊,以便執(zhí)行寫入操作。

            在開發(fā)窄小的寫入磁頭的過程中,難點(diǎn)在于較小尺寸的磁頭能否產(chǎn)生足夠的磁場使磁體向上或向下翻轉(zhuǎn)。如果能量勢壘過低,則磁性膜介質(zhì)容易受到磁盤上的熱不穩(wěn)定性影響,并且磁體可能無意中自行翻轉(zhuǎn),從而失去數(shù)據(jù)的完整性。要想增加磁盤容量,存儲介質(zhì)所具有的能量勢壘必須能夠克服熱不穩(wěn)定性,此外,寫入磁頭必須要在進(jìn)行寫入磁盤操作時協(xié)助降低能量勢壘。目前有兩種磁記錄技術(shù)正在開發(fā)之中,能夠通過熱輔助或微波輔助的方式實(shí)現(xiàn)能量提升,但是這兩種技術(shù)都需要克服一些困難。

            每個比特都存儲在連續(xù)磁性膜內(nèi)的磁性顆粒中。

            想要增加磁盤容量,介質(zhì)上的顆粒尺寸必須更小,還需要使用較小的磁頭來磁化顆粒。

            微波輔助磁記錄()技術(shù)概況:



            技術(shù)利用由自旋力矩震蕩器(STO)產(chǎn)生的微波場來提供能量輔助。雖然技術(shù)本身并不新穎,但使用自旋力矩震蕩器生成磁場來翻轉(zhuǎn)硬盤中的磁體不僅具有創(chuàng)新性,而且對硬盤設(shè)計產(chǎn)生了變革性影響。

            根據(jù)這種方法,自旋力矩震蕩器位于磁頭的寫入磁極旁邊,可產(chǎn)生電磁場,從而在較弱的磁場中將數(shù)據(jù)寫入到介質(zhì)中。微型自旋力矩震蕩器嵌入在磁頭內(nèi)部,不僅在磁頭組件設(shè)計方面取得突破,還可大幅增加容量并提升可靠性。

            磁盤上的磁性顆粒與旋轉(zhuǎn)陀螺儀相類似,在沒有外部磁場作用的情況下,可以在向上或向下的方向上保持穩(wěn)定。當(dāng)沿著與磁體當(dāng)前狀態(tài)相反的方向施加足夠的磁場時,磁極會在施加的磁場方向上翻轉(zhuǎn)。通過自旋力矩震蕩器施加額外的磁場,可以在較弱的磁場條件下更快速地翻轉(zhuǎn)磁體。

            內(nèi)部測試表明,MAMR能量輔助與利用大馬士革工藝生產(chǎn)的磁頭相結(jié)合使用,能夠創(chuàng)造出比當(dāng)前業(yè)界領(lǐng)先的PMR磁頭更多的容量提升,并具有更加廣闊的面密度增加前景。壽命可靠性測試表明,MAMR磁頭的平均無故障時間是熱輔助磁頭的一百倍。此外,我們還對多個磁頭進(jìn)行了可靠性測試,99.99%的受試MAMR磁頭在寫入壽命小時數(shù)方面要優(yōu)于99.99%的受試熱輔助磁頭好幾個數(shù)量級。學(xué)術(shù)研究還發(fā)現(xiàn),MAMR能夠?qū)⒚婷芏葦U(kuò)升到每平方英寸4Tb以上。

            因此,為提高企業(yè)級硬盤存儲容量,我們將于2019年推出MAMR硬盤產(chǎn)品;與此同時,我們還將繼續(xù)投資于MAMR技術(shù),充分利用現(xiàn)有的PMR能力以及經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的成功基礎(chǔ)架構(gòu)。我們已經(jīng)制定了一份技術(shù)路線圖,計劃推出多代超大容量企業(yè)級產(chǎn)品,在未來五年內(nèi)將磁道密度擴(kuò)展至100萬TPI以上。

            熱輔助磁記錄()技術(shù)概況:



            過去10-15年間,業(yè)界對熱輔助磁記錄()技術(shù)充滿期待,希望借此開發(fā)出硬盤產(chǎn)品。然而時至今日,并無任何HAMR硬盤產(chǎn)品問世,這肯定是有原因的。HAMR技術(shù)的實(shí)施成本高昂,還存在技術(shù)復(fù)雜和可靠性方面的問題,因此在短期內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化和批量生產(chǎn)。

            該技術(shù)的原理是:將一個激光二極管直接置于寫入磁頭組件的前方,然后迅速地加熱高矯頑磁性的介質(zhì),這種介質(zhì)只有經(jīng)過加熱才能寫入數(shù)據(jù);隨著激光二極管產(chǎn)生的高熱量減少,介質(zhì)逐漸冷卻下來,介質(zhì)的矯頑磁性增加,比特數(shù)據(jù)存儲到磁盤上,使得數(shù)據(jù)很難被意外刪除。

            在每個硬盤磁頭組件中部署激光二極管不僅成本高昂,而且真正令人擔(dān)憂的是,在狹小的空間內(nèi)產(chǎn)生高熱量會導(dǎo)致嚴(yán)重的可靠性問題。而且,在寫入磁頭或介質(zhì)磨損用壞之前,介質(zhì)可被加熱和寫入的次數(shù)是有限的。

            激光二極管加熱后會產(chǎn)生高溫,必須使用昂貴的玻璃基板,無法使用如今超大容量企業(yè)級硬盤常用的高性價比鋁磁盤材料。此外,HAMR硬盤還需要使用新材料來涂覆介質(zhì),因而提升了技術(shù)和制造風(fēng)險。鐵鉑材料之所以被選擇,是因?yàn)槠渚哂锌沙惺芗す饧訜岬某C頑磁性和熱性能。目前我們使用的硬盤通常采用經(jīng)過幾代強(qiáng)化的鈷鉑介質(zhì),并且是通過高效制造工藝加工而成。

            要想使用HAMR技術(shù)來滿足當(dāng)今數(shù)據(jù)中心的可靠性要求并制造出可行的高容量HAMR硬盤,我們還需要花費(fèi)大量的時間來解決相關(guān)的技術(shù)難題。這些難題包括但不限于:利用激光二極管以可靠的方式加熱窄小的點(diǎn),消除導(dǎo)致磁頭組件殘留的碳蒸汽沉積物,減少磁頭和介質(zhì)的磨損等,而這樣一來,可能還需要對主機(jī)軟件進(jìn)行更改。

            結(jié)語:

            我們評估認(rèn)為,HAMR硬盤在短期內(nèi)并不具備商業(yè)可行性,在未來幾年里仍然需要解決許多工程、制造和可靠性方面的難題。根據(jù)我們的產(chǎn)品投資策略,我們還是會在未來繼續(xù)投資研發(fā)HAMR技術(shù),但是與此同時,我們將致力于MAMR技術(shù)的開拓創(chuàng)新,據(jù)此開發(fā)新一代的超大容量企業(yè)級硬盤。MAMR是一種能量輔助磁記錄技術(shù),能夠完美匹配我們的氦氣密封硬盤,因此我們認(rèn)為,盡快實(shí)現(xiàn)MAMR產(chǎn)品化將帶來充足的增長空間,使我們能夠在未來十年甚至更長時間內(nèi)提升企業(yè)能力。

            作者簡介:Brendan Collins

            Brendan Collins現(xiàn)任公司Device部門市場部副總裁,負(fù)責(zé)保障公司硬盤產(chǎn)品的創(chuàng)新性、高品質(zhì)和競爭力,同時滿足從企業(yè)級電子產(chǎn)品到消費(fèi)類電子產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域客戶提出的各種需求。

            Brendan Collins擁有超過20年的硬盤行業(yè)技術(shù)及管理經(jīng)驗(yàn),曾擔(dān)任希捷科技企業(yè)市場開發(fā)總監(jiān)和邁拓公司(被希捷收購)營銷副總裁,還曾在昆騰公司和數(shù)字設(shè)備公司的產(chǎn)品開發(fā)和制造工程部門擔(dān)任過管理職務(wù)。



          關(guān)鍵詞: 西部數(shù)據(jù) MAMR HAMR

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