IGBT掃盲文,IGBT基礎(chǔ)與運用知識學習
我覺得這種做法的最大的問題是把整個Tsw全部作為充放電的時間,對此還是略有些疑惑的。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201807/382764.htm說說我個人的看法,對這個問題,定量的去計算得到整個時間非常困難,其實就是仿真也是通過數(shù)字建模之后進行實時計算的結(jié)果,這個模型與實際的條件進行對比也可能有很大的差距。
因此如果有人要核算整個柵極控制時序和時間,利用電容充電的辦法大致給出一個很粗略的結(jié)果是可以的,如果要精確的,算不出來。
對于門級電阻來說,每次開關(guān)都屬于瞬態(tài)功耗,可以使用以前介紹過的電阻的瞬態(tài)功率進行驗算吧。
電阻抗脈沖能力
我們選電阻的大小是為了提供足夠的電流,也是為了足夠自身散熱情況。
前級的三極管,這個三極管的速度要非常快,否則如果進入飽和的時間不夠短,在充電的時候?qū)⒖赡苡秀Q制作用,因此我對于這個電路的看法是一定要做測試。空載的和帶負載的,可能情況有很大的差異。
柵極驅(qū)動的改進歷程和辦法(針對米勒平臺關(guān)斷特性)
前面都講了一些計算的東西,這次總結(jié)一些設(shè)計法則。
柵極電阻:其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生電感與電容振蕩,限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值。
柵極電阻值小——充放電較快,能減小開關(guān)時間和開關(guān)損耗,增強工作的耐固性,避免帶來因dv/dt的誤導(dǎo)通。缺點是電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰,使得柵極承受噪聲能力小,易產(chǎn)生寄生振蕩。
柵極電阻值大——充放電較慢,開關(guān)時間和開關(guān)損耗增大。
一般的:開通電壓15V±10%的正柵極電壓,可產(chǎn)生完全飽和,而且開關(guān)損耗最小,當<12V時通態(tài)損耗加大,>20V時難以實現(xiàn)過流及短路保護。關(guān)斷偏壓-5到-15V目的是出現(xiàn)噪聲仍可有效關(guān)斷,并可減小關(guān)斷損耗最佳值約為-8~10V。
柵極參數(shù)對電路的影響
IGBT 內(nèi)部的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響,并也會限制我們選取柵極阻抗的最小值。IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度實質(zhì)上只能與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相 兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力,而且由于IGBT模塊中di/dt的增大,也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。
柵極電阻與關(guān)斷變化圖
柵極驅(qū)動的印刷電路板布線需要非常注意,核心問題是降低寄生電感,對防止?jié)撛诘恼袷?,柵極電壓上升速率,噪音損耗的降低,降低柵極電壓的需求或減小柵極保護電路的效率有較大的影響。
措施
因此將驅(qū)動至柵極的引線加粗,將之間的寄生電感減至最低??刂瓢迮c柵極驅(qū)動電路需要防止功率電路和控制電路之間的電感耦合。
當控制板和IGBT控制端子不能直接連接時,考慮用雙股絞線(2轉(zhuǎn)/CM小于3CM長)或帶狀線,同軸線進行連接。
柵極保護
為了保險起見,可采用TVS等柵極箝位保護電路,考慮放置于靠近IGBT模塊的柵極和發(fā)射極控制端子附近。
耦合干擾與噪聲
IGBT的開關(guān)會使用相互電位改變,PCB板的連線之間彼此不宜太近,過高的dv/dt會由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。要減少器件之間的寄生電容,避免產(chǎn)生耦合噪聲。
由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容,所以會造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響(提高控制極驅(qū)動電壓電流,設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等)。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通,因為一個橋臂未完全關(guān)斷,而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài),直通炸模塊后后果非常嚴重(最好的結(jié)果是過 熱)。
死區(qū)時間(空載時間)設(shè)置
在控制中,人為加入上下橋臂同時關(guān)斷時間,以保證驅(qū)動的安全性。死區(qū)時間大,模塊工作更加可靠,但會帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。死區(qū)時間小,輸出波形要好一些,只是會降低可靠性,一般為us級,典型數(shù)值在3us以上。
在應(yīng)用中,特別要注意環(huán)境溫度對toff的影響很大,使得toff延長,并且柵極電阻的加入也是的關(guān)斷時間受一定的影響,因此需要進行調(diào)整。
IGBT柵極引起的問題列表(紅色部分圈注的):
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