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          基于J750EX測試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測試技術研究

          作者: 時間:2018-07-25 來源:網(wǎng)絡 收藏

          作者:王鑫,王烈洋,占連樣,陳像,張水蘋,湯凡,黃小琥,李光

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201807/383908.htm

          摘要

          VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機器()用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,其次詳細闡述了基于J750系統(tǒng)的技術研究,提出了采用J750EX系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實現(xiàn)對 VDSR16M32進行電性測試及功能測試。另外,針對的關鍵時序參數(shù),如TAA(地址變化到數(shù)據(jù)輸出有效時間)、TACS(片選下降到數(shù)據(jù)輸出有效時間)、TOE(讀信號下降到數(shù)據(jù)輸出有效時間)等,使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?,完成SRAM的時序配合,從而達到器件性能的測試要求。

          1引言

          SRAM靜態(tài)隨機存取存儲器是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路技能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。它的主要優(yōu)點是速度快,不必配備刷新電路,可提高整體的工作效率。集成度低,功耗小,相同容量的體積較大,而且價格較高。但在串行低速數(shù)據(jù)到并行高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的過程中,存儲器起的是數(shù)據(jù)緩沖作用。為了得到更高的傳輸速度和更大的傳輸容量,需要更高的速度和更大容量的存儲器。VDSR32M32是珠海歐比特公司研制出的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器,內(nèi)部由8片256Kbit CMOS SRAM組成,實現(xiàn)了由8個存儲容量為256K×16bits字節(jié)的芯片擴展成容量為1M×32bits的SIP大容量存儲器芯片,同時具有設計簡單,應用靈活等特點。

          2VDSR32M32芯片介紹

          2.1VDSR32M32的結(jié)構(gòu)

          本器件是一種大容量、高速的SRAM。采用了先進的立體封裝技術,把8片高速大容量的SRAM分八層進行疊裝,組成了總?cè)萘繛?2M bit數(shù)據(jù)寬度為32位的大容量存儲器,具體內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖1. 這種結(jié)構(gòu)不但大大的擴充了存儲器的容量和數(shù)據(jù)位寬,而且還可以在應用時大量節(jié)省了PCB板的使用空間。通過應用了立體封裝的技術縮短了互連導線,從而降低了寄生效應,使得器件具有高性能、高可靠、長壽命、大容量等的性能特點。圖2為VDSR32M32中的任一Block的結(jié)構(gòu)框圖,它主要由控制邏輯、存儲整列等組成。

          VDSR32M32主要特性如下:

          總?cè)萘浚?2M bit;

          工作電壓:3.3V(典型值),3.0~ 3.6V(范圍值);

          數(shù)據(jù)寬度:32位;

          訪問周期:12ns;

          所有輸入輸出兼容TTL電平;

          68腳SOP II 封裝。

          圖1 VDSR32M32原理圖

          圖2 VDSR32M32內(nèi)部Block的結(jié)構(gòu)框圖

          VDSR32M32立體封裝SRAM芯片采用8片型號為R1RW0416DSB-2PI的基片利用歐比特公司的SIP立體封裝工藝堆疊而成,分為獨立的8個片選信號(#CS0~#CS7),實現(xiàn)了由8個存儲容量為256K×16bits字節(jié)的芯片擴展成容量為1M×32bits的SIP大容量存儲器芯片。各引腳的功能使用說明如下:

          VCC:+3.3V電源輸入端;

          VSS:接地引腳;

          A0~A17:地址同步輸入端;

          #LB:低字節(jié)選擇;

          #UB: 高字節(jié)選擇;

          #OE:輸出使能, 數(shù)據(jù)讀取時需置為低,寫時置為低;

          #CE0/#CE7:片選信號,低電平有效時選中該片;

          DQ0~DQ32:數(shù)據(jù)輸入/輸出腳;

          #WE: 寫使能信號.

          2.2 VDSR32M32電特性。

          表 1 產(chǎn)品電特性

          2.3VDSR32M32功能操作

          表 2 器件功能真值表 1)

          注:1)、 X=任意, H=高電平, L=低電平, Z=高阻。

          2)、#CSn有效為#CS0、#CS1、#CS2 #CS3、#CS4、#CS5、#CS6和#CS7同時有效。

          3 VDSR32M32測試方案

          在本案例中,我們選用了Teradyne公司的J750測試系統(tǒng)對VDSR32M32進行全面的性能和功能評價。該器件的測試思路為典型的數(shù)字電路測試方法,即存儲陣列的讀寫功能測試及各項電特性參數(shù)測試。

          3.1 J750測試系統(tǒng)簡介

          J750測試系統(tǒng)是上海Teradyne公司生產(chǎn)的存儲器自動測試機,Teradyne J750的高容量并行測試能力的設備測試效率可以高達95%。零腳印系統(tǒng)允許測試頭里面可以容納多達1,024 個輸入/輸出(I/O)通道,提供一整套選項,包括轉(zhuǎn)換器測試選項、內(nèi)存測試選項、冗余分析和混合信號選項。這些極大地拓寬了測試能力范圍。該系統(tǒng)還有IG-XL (TM) 測試軟件,把最新PC技術和Windows NT操作系統(tǒng)的力量和性能與標準的Windows工具(比如Microsoft Excel 和Visual Basic)融合在一起。

          3.2DSIO簡介

          DSIO即為Digital Signal Input/Output(數(shù)字信號輸入/輸出)模塊的簡稱,它能使J750EX對數(shù)字信號進行發(fā)送(source)、抓取(capture)及分析(analyze)等操作。此模塊的應用方法十分靈活,轉(zhuǎn)換測試需要輸入的高速數(shù)字波形,器件寄存器需要動態(tài)寫入的數(shù)字數(shù)據(jù),獨立存在于數(shù)字測試矢量中的數(shù)據(jù)發(fā)送,以及對上述各類數(shù)據(jù)的抓取操作均可以使用該模塊順利完成。對VDSR16M32的測試就采用了DSIO可以獨立于測試矢量,對個別管腳單獨發(fā)送所需的數(shù)字數(shù)據(jù)這一功能。

          3.3 采用J750測試系統(tǒng)DSIO模塊測試方案設計

          1)硬件設計

          按照J750測試系統(tǒng)的測試通道配置規(guī)則,繪制VDSR32M32的測試轉(zhuǎn)接板,要對器件速率、工作電流、抗干擾等相關因素進行綜合考量。

          2)軟件設計

          考慮到使用該模塊為器件提供需要施加激勵信號的特殊性,我們采用了 J750測試系統(tǒng)基于Visual Basic 和Microsoft Excel工具,在IG-XL測試軟件下對程序進行編寫,具體實施步驟如下:

          A. 按照J750的標準編程方法,先完成對VDSR32M32的Pin Map、Channel Map、等芯片管腳進行定義;


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          關鍵詞: SRAM 測試

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